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광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 표면에 촉매를 코팅하는 단계;상기 촉매가 코팅된 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공 표면에 금속을 코팅하여 금속/포토레지스트 복합체를 형성하는 단계; 및상기 금속/포토레지스트 복합체로부터 상기 포토레지스트를 제거하여 3차원 다공성 구조체를 형성하는 단계를 포함하며,상기 금속/포토레지스트 복합체는, 상기 촉매가 코팅된 상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴의 기공의 일부 또는 전부를 채우도록 상기 금속을 코팅함으로써 형성되는 것인,3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속/포토레지스트 복합체로부터 상기 포토레지스트를 제거하는 것은 유기 용매에 의한 용해 처리 또는 소성(calcinations) 처리에 의하여 수행되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 구조체는, 상기 금속 또는 상기 금속의 산화물을 포함하며, 3차원적으로 배열되어 있는 기공을 가지며 상기 기공은 서로 연결되어 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 소성(calcination) 처리는 산화 분위기 또는 환원 분위기에서 수행되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광간섭 리소그래피를 이용하여 3차원 다공성 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는, 기재 상에 형성된 포토레지스트 층에 3차원 광간섭 패턴을 조사하고, 노광후 베이킹 (post-exposure baking) 및 현상하는 것을 포함하는 3차원 광간섭 리소그래피를 이용하여 수행되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 형성되는 3차원의 다공성 포토레지스트 패턴 또는 상기 패턴이 가지는 기공의 모양 또는 크기는, 간섭성 평행광의 조사 각도, 조사 방향, 조사 시간, 조사 세기 또는 이들의 조합에 의하여 조절되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 형성되는 3차원의 다공성 포토레지스트 패턴 또는 상기 패턴이 가지는 기공의 모양 또는 크기는 상기 노광 후 베이킹 시간에 의하여 조절되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 3차원 다공성 포토레지스트 패턴이 가지는 기공의 크기는 100 ㎚ 내지 10 ㎛ 인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 화학적 습식 증착법에 의하여 코팅되는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 촉매는 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 코발트(Co), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 3차원 다공성 구조체의 제조 방법
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