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3차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체; 및상기 기공의 크기보다 작은 제 2 전이금속 산화물 입자들이 상기 기공 내에 3차원으로 배열되어 형성된, 제 2 전이금속 산화물 구조체를 포함하며, 상기 기공의 크기는 1 μm 내지 1,000 μm이고, 상기 제 2 전이금속 산화물 입자의 크기는 1 nm 내지 1,000 nm인,다공성 전이금속 산화물 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는, 각각 독립적으로 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 기공은 단순입방정계(simple cubic), 체심입방정계(body-centered cubic), 면심입방정계(face-centered cubic), 또는 조밀육방구조(hexagonal closed packed lattice) 형태로 배열된 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물 입자는 단순입방정계(simple cubic), 체심입방정계(body-centered cubic), 면심입방정계(face-centered cubic), 또는 조밀육방구조(hexagonal closed packed lattice) 형태로 배열된 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
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기재 상에 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 희생층을 형성하고;상기 희생층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체 또는 제 1 전이금속 산화물 입자를 주입하고;상기 희생층을 제거함으로써 3차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하고;상기 제 1 전이금속 산화물 구조체의 상기 기공 내로, 상기 기공보다 작은 크기의 제 2 전이금속 산화물 입자를 주입함으로써, 제 2 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 것을 포함하며, 상기 기공의 크기는 1 μm 내지 1,000 μm이고, 상기 제 2 전이금속 산화물 입자의 크기는 1 nm 내지 1,000 nm인,다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물 입자를 주입한 후 열처리하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기재는 전도성 투명 기재를 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 고분자 콜로이드 입자는, 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 희생층은, 상기 고분자 콜로이드 입자를 함유하는 용액을 상기 기재 상에 스핀 코팅 또는 캐스팅함으로써 형성되는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 희생층 내로 상기 제 1 전이금속 산화물 전구체 또는 제 1 전이금속 산화물 입자를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 희생층의 제거는 가열 소성 공정 또는 용매를 이용하여 수행되는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 가열 소성 공정은 400℃ 내지 800℃의 온도에서 수행되는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 제 2 전이금속 산화물 구조체는, 각각 독립적으로 Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 기공 내로 상기 제 2 전이금속 산화물 입자를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
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전도성 투명 기재 상에 형성된 제 1 항에 따른 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 광전극
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제 17 항에 있어서,상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 추가 포함하는, 광전극
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제 17 항에 있어서,상기 전도성 투명 기재와 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는, 광전극
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전도성 투명 기재 상에 형성된 제 1 항에 따른 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극;상기 광전극에 대향되는 상대전극; 및,상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질:을 포함하는, 염료감응형 태양전지
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제 20 항에 있어서,상기 광전극은, 상기 전도성 투명 기재와 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지
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