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발진 신호를 수신하고 기본 주파수에서 공진 신호를 발생하는 공진 회로;상기 공진 회로와 직렬 연결되어 상기 공진 신호를 궤환하는 궤환망;상기 궤환되는 공진 신호를 수신하고 상기 발진 신호를 발생하는 트랜지스터; 및상기 발진 신호를 수신하고, 상기 기본 주파수 및 고조파 주파수들 각각에서 최적의 부하 임피던스를 가지는 부하망을 구비하고,상기 공진 회로는상기 고조파 주파수들에 있어서 상기 부하망에서 바라본 상기 궤환망이 오픈 회로로서 동작하도록 하며, 직렬 연결된 제1캐패시터와 제1인덕터를 구비하는 LC직렬 공진 회로이고, 상기 최적의 부하 임피던스는 고조파 로드-풀 시뮬레이션에 의해서 획득하며,상기 궤환망은상기 제1인덕터에 연결된 일측을 가진 제2인덕터;상기 제1인덕터에 연결된 일측과 접지전압에 연결된 타측을 가진 제3인덕터;상기 제2인덕터의 타측에 연결된 일측과 상기 접지전압에 연결된 타측을 가진 제2캐패시터를 구비하고,상기 제2캐패시터의 일측이 상기 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제1항에 있어서,상기 트랜지스터는GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)인 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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발진 신호를 수신하고 기본 주파수에서 공진 신호를 발생하는 공진 회로;상기 공진 회로와 직렬 연결되어 상기 공진 신호를 궤환하는 궤환망;상기 궤환되는 공진 신호를 수신하고 상기 발진 신호를 발생하는 트랜지스터; 및상기 발진 신호를 수신하고, 상기 기본 주파수 및 고조파 주파수들 각각에서 최적의 부하 임피던스를 가지는 부하망을 구비하고,상기 공진 회로는상기 고조파 주파수들에 있어서 상기 부하망에서 바라본 상기 궤환망이 오픈 회로로서 동작하도록 하며, 직렬 연결된 제1캐패시터와 제1인덕터를 구비하는 LC직렬 공진 회로이고,상기 최적의 부하 임피던스는고조파 로드-풀 시뮬레이션에 의해서 획득하며,상기 궤환망은상기 제1인덕터에 연결된 일측을 가진 제2인덕터;상기 제2인덕터에 연결된 일측과 접지전압에 연결된 타측을 가진 제2캐패시터; 및상기 제2인덕터의 타측에 연결된 일측을 가진 제3캐패시터를 구비하고,상기 제3캐패시터의 타측이 상기 트랜지스터에 연결되는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제6항에 있어서,상기 제1인덕터와 상기 제2인덕터가 하나의 인덕터로 구성되는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제6항에 있어서,상기 제2인덕터와 상기 제2캐패시터 사이에 연결된 제1전송 라인; 및상기 제2캐패시터와 상기 제3캐패시터 사이에 연결된 제2전송 라인을 추가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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발진 신호를 수신하고 기본 주파수에서 공진 신호를 발생하는 공진 회로;상기 공진 회로와 직렬 연결되어 상기 공진 신호를 궤환하는 궤환망;상기 궤환되는 공진 신호를 수신하고 상기 발진 신호를 발생하는 트랜지스터; 및상기 발진 신호를 수신하고, 상기 기본 주파수 및 고조파 주파수들 각각에서 최적의 부하 임피던스를 가지는 부하망을 구비하고,상기 공진 회로는상기 고조파 주파수들에 있어서 상기 부하망에서 바라본 상기 궤환망이 오픈 회로로서 동작하도록 하며,상기 트랜지스터는 GaN 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT)이고,상기 부하망은상기 발진 신호를 수신하는 일측과 특정 노드에 연결된 타측을 구비하고, 상기 발진 신호를 노드로 전송하는 제1전송 라인;상기 특정 노드에 연결되고, 상기 기본 주파수의 3배의 주파수에서 λ/4의 길이를 가지는 제1오픈 스텁;상기 특정 노드에 연결된 일측을 구비하고, 상기 기본 주파수에서 λ/4의 길이를 가지는 제2전송 라인;상기 제2전송 라인의 타측에 연결된 일측을 구비하고, 상기 기본 주파수에서 λ/4의 길이를 가지는 제2오픈 스텁;상기 제2전송 라인의 타측에 연결된 일측을 구비하고, 상기 기본 주파수의 2배의 주파수에서 λ/4의 길이를 가지는 제3오픈 스텁; 및상기 제2전송 라인의 타측에 연결된 일측과 드레인 전압이 인가되는 타측을 가진 제3전송라인을 구비하고,상기 제1오픈 스텁에 의해서 상기 기본 주파수의 3배의 주파수에서 상기 특정 노드가 가상 그라운드되고, 상기 제2전송 선로, 상기 제2오픈 스텁, 상기 제3오픈 스텁에 의해서 상기 기본 주파수의 2배의 주파수에서 상기 특정 노드가 가상 그라운드되는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제9항에 있어서,상기 트랜지스터로 게이트 전압을 인가하기 위한 게이트 바이어스 회로; 및상기 드레인 전압을 인가하기 위한 드레인 바이어스 회로를 추가적으로 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제10항에 있어서,상기 게이트 바이어스 회로는상기 GaN 고전자 이동도 트랜지스터의 게이트에 연결된 일측을 가진 제1저항;상기 제1저항의 타측과 접지전압사이에 연결된 제4캐패시터;상기 제1저항의 타측으로 인가되는 게이트 전원을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제11항에 있어서,상기 드레인 바이어스 회로는상기 제3전송 라인의 타측으로 인가되는 게이트 전원;상기 제3 전송 라인에 연결된 일측을 가진 제4캐패시터;상기 제4캐패시터의 타측과 상기 접지전압 사이에 연결된 제2저항을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제9항에 있어서,상기 특정 노드와 출력단 사이에 연결되어, 상기 기본 주파수에서 상기 최적의 부하 임피던스를 제공하는 소정 개수의 제4전송 라인들을 구비하는 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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제 13항에 있어서, 상기 제1 내지 제3전송 라인들, 상기 소정 개수의 제4전송 라인들, 및 상기 제1 및 3 오픈 스텁들은 마이크로스트립 라인들인 것을 특징으로 하는 RF 발진기
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