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화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지

기술번호 : KST2014052513
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	화학용액증착법을 이용하여 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 광전극의 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL	H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC	H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자	1020130021151 (2013.02.27)
출원인	서강대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1458448-0000 (2014.10.30)
공개번호/일자	10-2013-0098232 (2013.09.04) 문서열기
공고번호/일자	(20141110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보	대한민국 \| 1020120019950 \| 2012.02.27
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.02.27)
심사청구항수	15

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 마포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	문준혁	대한민국	서울 양천구
2	이영신	대한민국	경기 안산시 상록구
3	김혜나	대한민국	서울 종로구
4	조창열	대한민국	인천 연수구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서강대학교산학협력단		서울특별시 마포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2013-0176385-20
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.11.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0101418-67
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0282649-79
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.06.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0594279-16
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2014-0594278-71
7	등록결정서 Decision to grant	2014.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0734437-21
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 전도성 투명 기판을 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 중에 침지하여 화학용액성장법(chemical bath deposition)을 이용하여 상기 전도성 투명 기판 상에 금속산화물 층을 형성하는 단계; 및 상기 금속산화물 층이 형성된 기판을 전이금속 전구체 용액에 침지시켜 전이금속 산화물 쉘을 코팅시켜 금속산화물 코어-전이금속 산화물 쉘을 형성하는 단계를 포함하며,상기 금속산화물 층 및 상기 금속산화물 코어-전이금속 산화물 쉘을 형성하는 단계는, 상기 전도성 투명 기판을 제 1 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 상에 침지하여 제 1 금속 산화물 입자를 증착시킨 후, 상기 제 1 금속 산화물 전구체보다 낮은 농도를 갖는 제 2 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액에 침지하여 제 2 금속 산화물 입자를 증착시키는 것인, 광전극(photoelectrode)의 제조 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 층에 감광성 염료를 흡착하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 상기 금속산화물 코어-전이금속 산화물 쉘을 소성(calcination)하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판을 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 중에 침지하는 것은 실온 또는 그 이상의 온도에서 수행되는 것인, 광전극의 제조 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 중에 침지하기 전에 상기 전도성 투명 기판 상에 씨드층(seed layer)을 형성하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 금속의 유기 화합물, 금속의 무기 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이의 알콕사이드, 또는 이의 염을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 다공성을 가지는 것인, 광전극의 제조 방법
9	9 제 1 항에 있어서,상기 전이금속 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속 또는 이의 알콕사이드, 또는 이의 염을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
10	10 전도성 투명 기판; 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 금속산화물 층; 및 상기 금속산화물 층에 코팅된 전이금속 쉘을 포함하며, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된, 광전극
11	11 제 10 항에 있어서,상기 광전극은 상기 전도성 투명 기판과 상기 금속산화물 층 사이에 씨드층을 추가 포함하는 것인, 광전극
12	12 제 10 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 다공성을 가지는 것인, 광전극
13	13 제 10 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극
14	14 제 10 항에 있어서,상기 전이금속 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극
15	15 감광성 염료가 흡착된 제 10 항에 따른 광전극(photoelectrode);상기 광전극에 대향되는 상대 전극(counter electrode); 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는, 염료감응형 태양전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	서울특별시	서강대학교산학협력단	신기술연구개발사업	화학습식증착법에 의해 형성된 계층구조 다공성 광전극을 포함하는 염료감응
2	교육과학기술부	서강대학교산학협력단	원천기술개발사업	유도 자기조립을 이용한 계층형 이종나노구조의 고효율 광전변환 소재 기술
3	교육과학기술부	서강대학교산학협력단	나노원천기술개발사업	유도 자기조립을 이용한 계층형 이종나노구조의 고효율 광전변환 소재 기술

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1458448-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20130227 출원 번호 : 1020130021151 공고 연월일 : 20141110 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141028 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20191031

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	315,000 원	2014년 10월 31일	납입
제 4 년분	금 액	259,000 원	2017년 09월 27일	납입
제 5 년분	금 액	185,000 원	2018년 10월 04일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.02.27	수리 (Accepted)	1-1-2013-0176385-20
2	선행기술조사의뢰서	2013.11.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0101418-67
4	의견제출통지서	2014.04.25	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0282649-79
5	[명세서등 보정]보정서	2014.06.25	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0594279-16
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.06.25	수리 (Accepted)	1-1-2014-0594278-71
7	등록결정서	2014.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0734437-21
8	출원인정보변경(경정)신고서	2017.01.11	수리 (Accepted)	4-1-2017-5005781-67
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.01.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5014626-89


기술번호	KST2014052513
자료제공기관	NTB
기술공급기관	서강대학교
기술명	화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지
기술개요	화학용액증착법을 이용하여 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 광전극의 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	염료감응 태양전지
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1711000797
세부과제번호	2011-0030253
연구과제명	제한공간내 자기조립을 이용한 계층형 광전변환소재 구조제어 및 광전특성 분석
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2013
연구기간	201109~201808
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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[1020130111600]	금속 산화물-함유 다공성 구조체, 상기의 제조방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료 감응형 태양전지	새창보기
[1020130021151]	화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지	새창보기
[1020130021150]	다공성 전이금속 산화물 구조체, 상기의 제조 방법, 상기를 포함하는 광전극, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지	새창보기

중요키워드

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