1 |
1
기재 상에 3 차원 기공 구조를 갖는 고분자 희생층을 형성하는 단계; 상기 고분자 희생층 내로 제 1 전이금속 산화물 전구체 또는 제 1 전이금속 산화물 입자를 주입하는 단계; 상기 고분자 희생층을 제거하여 3 차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체를 형성하는 단계; 상기 기공의 내벽에 제 2 전이금속 산화물을 코팅하여 제 2 전이금속 산화물층을 형성하는 단계; 및, 상기 제 2 전이금속 산화물층 상에 제 3 전이금속 산화물을 코팅하여 제 3 전이금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물, 상기 제 2 전이금속 산화물, 및 상기 제 3 전이금속 산화물은, 각각 독립적으로, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 기공의 크기는 10 nm 내지 50 ㎛ 범위인 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체는 역오팔 구조를 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물층을 형성한 후 열처리하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 고분자 희생층은 자기조립법에 의해 형성되는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 고분자 희생층은 폴리스타이렌(PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌/디비닐벤젠(PS/DVB), 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트)(PBMA), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 기재 상에 차단층을 형성하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 고분자 희생층 내로 상기 제 1 전이금속 산화물 전구체 또는 제 1 전이금속 산화물 입자를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 고분자 희생층의 제거는 가열 소성 공정 또는 용매를 이용하여 수행되는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
11 |
11
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전이금속 산화물의 코팅은 상기 기공 내로 상기 제 2 전이금속 산화물의 입자를 주입한 후 스핀 코팅을 수행하는 것을 추가 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법
|
12 |
12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 다공성 전이금속 산화물 구조체의 제조 방법에 의해 제조되는 다공성 전이금속 산화물 구조체로서,3 차원으로 배열된 기공을 가지는 제 1 전이금속 산화물 구조체; 상기 기공의 크기보다 작은 제 2 전이금속 산화물 입자들이 상기 기공 내에 3 차원으로 배열되어 형성된, 제 2 전이금속 산화물층; 및,상기 제 2 전이금속 산화물층 상에 형성된 제 3 전이금속 산화물층을 포함하는, 다공성 전이금속 산화물 구조체
|
13 |
13
삭제
|
14 |
14
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물, 상기 제 2 전이금속 산화물, 및 상기 제 3 전이금속 산화물은, 각각 독립적으로, Ti, Cu, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속의 산화물을 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
|
15 |
15
제 12 항에 있어서,상기 기공의 크기는 10 nm 내지 50 ㎛ 범위인 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
|
16 |
16
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전이금속 산화물 구조체는 역오팔 구조를 포함하는 것인, 다공성 전이금속 산화물 구조체
|
17 |
17
전도성 투명 기재 상에 형성된 제 12 항에 따른 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하는, 광전극
|
18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 추가 포함하는, 광전극
|
19 |
19
전도성 투명 기재 상에 형성된 제 12 항에 따른 다공성 전이금속 산화물 구조체, 및 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체에 흡착된 감광성 염료를 포함하는 광전극;상기 광전극에 대향되는 상대전극; 및,상기 광전극과 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는, 염료감응형 태양전지
|
20 |
20
제 19 항에 있어서,상기 광전극은, 상기 전도성 투명 기재와 상기 다공성 전이금속 산화물 구조체 사이에 형성된 차단층을 추가 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지
|