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Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법, 그에 의하여 제조되는 다결정 실리콘 나노 구조체 및 이를 포함하는 다결정 실리콘 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014052739
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법, 그에 의하여 제조되는 다결정 실리콘 나노 구조체 및 이를 포함하는 다결정 실리콘 박막 태양전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 저가형 기판에 형성한 다결정 실리콘 박막을 Ag 나노입자를 통하여 높은 종횡비를 가지는 다결정 실리콘 나노 구조를 형성할 수 있게 하는데 있다.이를 위해 본 발명의 일 실시예는 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판 상에 다결정 실리콘층을 증착하는 다결정 실리콘층 형성단계; 상기 다결정 실리콘층 상에 소정의 패턴을 가지는 금속 패턴층을 형성하는 금속 패턴층 형성단계; 상기 다결정 실리콘층과 금속 패턴층을 제1 에칭공정을 통하여 다결정 실리콘 나노 구조를 형성하는 다결정 실리콘 나노 구조 형성단계; 및 상기 다결정 실리콘 나노 구조 상의 금속 패턴층을 제2 에칭공정을 통하여 제거하는 금속 패턴층 제거단계;를 포함하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법을 개시한다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020120119311 (2012.10.25)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1375738-0000 (2014.03.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.25)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 이선화 대한민국 광주 광산구
3 박성재 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0873437-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0095940-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0813246-59
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0084728-42
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0084737-53
8 등록결정서
Decision to grant
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0152740-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판 상에 다결정 실리콘층을 증착하는 다결정 실리콘층 형성단계;상기 다결정 실리콘층 상에 소정의 패턴을 가지는 금속 패턴층을 형성하는 금속 패턴층 형성단계;상기 다결정 실리콘층과 금속 패턴층을 제1 에칭공정을 통하여 다결정 실리콘 나노 구조를 형성하는 다결정 실리콘 나노 구조 형성단계; 및상기 다결정 실리콘 나노 구조 상의 금속 패턴층을 제2 에칭공정을 통하여 제거하는 금속 패턴층 제거단계;를 포함하고,상기 실리콘 나노 구조는 상기 기판 상에 소정 간격으로 이격되도록 다수 개의 막대 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 금속 호일인 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 패턴층은 Ag 또는 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 소정의 패턴은 상기 다결정 실리콘층 상에 Ag를 열증발법을 이용하여 형성한 후, 급속 열처리 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 패턴층은 100 내지 400nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
7 7
제1항에 있어서,상기 다결정 실리콘층은 2um의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 에칭공정은 건식에칭공정인 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 에칭공정은 습식에칭공정인 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
10 10
제1항에 있어서,상기 기판 준비 단계는 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
11 11
제1항에 있어서,상기 다결정 실리콘층 형성단계는,상기 기판 상에 제1+형 다결정 실리콘층을 형성하는 제1+형 다결정 실리콘층 형성단계; 및상기 제1+형 다결정 실리콘층 상에 제1형 다결정 실리콘층을 형성하는 제1형 다결정 실리콘층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법
12 12
제1항, 제2항, 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법에 의하여 제조된 다결정 실리콘 나노 구조체이고,기판; 및상기 기판 상에 증착되는 다결정 실리콘 나노구조층;을 포함하며,상기 다결정 실리콘 나노구조층은 상기 기판 상에 소정 간격으로 이격되도록 다수 개의 막대 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
13 13
제12항에 있어서,상기 다결정 실리콘 나노구조층은,상부에 소정의 패턴을 가지는 금속 패턴층이 형성되고, 상기 금속 패턴층의 패턴 사이를 제1 에칭한 후, 제2 에칭에 의하여 제거되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
14 14
제12항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 금속 호일인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
15 15
제12항에 있어서,상기 금속 패턴층은 Ag 또는 Au로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
16 16
제12항에 있어서,상기 제1 에칭은 건식에칭인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
17 17
제12항에 있어서,상기 제2 에칭은 습식에칭인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
18 18
제12항에 있어서,상기 다결정 실리콘층은,상기 기판 상에 형성된 제1+형 다결정 실리콘층; 및상기 제1+형 다결정 실리콘층 상에 형성된 제1형 다결정 실리콘층을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 나노 구조체
19 19
제1항, 제2항, 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법에 의하여 제조된 다결정 실리콘 나노 구조체를 포함하는 다결정 실리콘 박막 태양전지
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