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균일성이 확보된 POCI3 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지

  • 기술번호 : KST2014052763
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 POCl₃ 도핑 공정을 통한 나노/마이크로 복합구조체의 태양전지를 형성함으로써 태양전지의 고효율화에 기여할 수 있는 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지가 개시된다.일 예로, 제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계, 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계, 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계, 제 1 도전형 기판, 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 POCl₃를 도핑하여 제 2 도전형의 상부, 하부 에미터층 및 PSG를 형성하는 POCl₃ 도핑 단계, PSG를 제거하여 상부 및 하부 에미터층을 노출되도록 하는 PSG 제거 단계, 하부 에미터층을 제거하여 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층이 노출되도록 하는 에미터층 식각 단계, 노출된 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020120119306 (2012.10.25)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1366740-0000 (2014.02.18)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 이종환 대한민국 대전 서구
3 김호성 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0873432-59
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0776529-62
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2014-0023737-90
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0023739-81
6 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0068145-16
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 도전형 기판을 준비하는 제 1 도전형 기판 준비 단계;상기 제 1 도전형 기판에 포토 레지스트를 패터닝하여 마이크로 와이어를 형성하는 마이크로 와이어 형성 단계;상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 나노 와이어를 형성하는 나노 와이어 형성 단계;상기 제 1 도전형 기판, 마이크로 와이어 및 나노 와이어에 POCl₃를 도핑하여 제 2 도전형의 상부, 하부 에미터층 및 PSG를 형성하는 POCl₃ 도핑 단계;상기 PSG를 제거하여 상부 및 하부 에미터층을 노출되도록 하는 PSG 제거 단계;상기 하부 에미터층을 제거하여 상기 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층이 노출되도록 하는 에미터층 식각 단계; 및노출된 상기 제 1 도전형 기판 및 상부 에미터층에 전극을 형성하는 전극 형성 단계를 포함하여 이루어지고,상기 나노 와이어는 상기 제 1 도전형 기판 상의 상기 마이크로 와이어가 형성된 영역 주위를 감싸도록 형성되는 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 마이크로 와이어 및 나노 와이어는 상기 제 1 도전형 기판의 동일 면상에 형성되는 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어는 상기 마이크로 와이어가 형성되지 않은 영역에 AgNO₃를 증착 및 식각시켜 형성하는 태양 전지의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 AgNO₃는 KOH 용액에 의해 식각되는 태양 전지의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 POCl₃의 도핑은 820℃ 내지 880℃에서 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 에미터층은 400nm 내지 600nm로 형성되는 태양 전지의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 마이크로 와이어의 표면은 상기 에미터층에 의해 PN 접합을 형성하는 태양 전지의 제조 방법
9 9
제 1 항 내지 제 4 항, 제 6 항 내지 제 8 항 중 어느 하나에 기재된 방법에 의해 제조된 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104756260 CN 중국 FAMILY
2 KR101366737 KR 대한민국 FAMILY
3 KR101385669 KR 대한민국 FAMILY
4 US09530914 US 미국 FAMILY
5 US09972732 US 미국 FAMILY
6 US20150270425 US 미국 FAMILY
7 US20170084765 US 미국 FAMILY
8 WO2014065465 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN104756260 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN104756260 CN 중국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.