| 1 |
1
챔버;상기 챔버 내에 구비되고, 타겟 금속의 표면 형상에 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 타겟 금속의 표면과 이격된 상태로 상기 타겟 금속의 적어도 일부를 수용하며, 외부에서 공급된 질소를 상기 타겟 금속 측으로 공급하는 다수의 관통 홀을 포함하는 질소 통과부; 및상기 질소 통과부에 상기 질소 가스를 공급하는 질소 공급부;를 포함하는 금속 표면 질화처리 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 타겟 금속과 상기 질소 통과부는 서로 50 mm 이하의 간격으로 떨어져 있는 것인, 금속 표면 질화처리 장치
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 챔버 내를 가열하는 가열부를 더 포함하는 것인, 금속 표면 질화처리 장치
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 질소 공급부는 상기 챔버 내로 상기 질소 가스를 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 금속 표면 질화처리 장치는 연속식인 것인, 금속 표면 질화처리 장치
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 타겟 금속이 상기 챔버 내를 지나도록 하는 이송부를 더 포함하는 것인, 금속표면 질화처리 장치
|
| 7 |
7
타겟 금속의 적어도 일부를 질소 통과부 내에 수용시키는 단계; 및상기 타겟 금속의 표면 형상에 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 타겟 금속의 표면과 이격된 상태를 가지며, 다수의 관통 홀이 형성되어 있는 질소 통과부의 상기 다수의 관통 홀을 통하여 질소 가스를 공급하여 상기 타겟 금속의 표면에 질화층을 형성하는 단계;를 포함하는 금속 표면 질화처리 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 타겟 금속과 상기 질소 통과부가 0
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 질소 가스를 0
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 금속의 질화처리 방법은 연속식으로 수행하는 것인, 금속 표면 질화처리 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 금속의 질화처리 방법은, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 금속 표면 질화처리 장치를 이용하여 수행하는 것인, 금속 표면 질화처리 방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
삭제
|
| 14 |
14
삭제
|
