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나노입자층을 포함하는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052773
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 나노입자층을 포함하는 발광 다이오드 패키지 제조방법은, 기판 상에 발광 다이오드 칩을 실장하는 단계, 상기 발광 다이오드 칩 외측의 일부 영역을 감싸는 금속 나노입자층을 형성하는 단계 및 상기 금속 나노입자층의 외측에 봉지재를 형성하는 단계를 포함한다.그리고 본 발명의 나노입자층을 포함하는 발광 다이오드 패키지는, 기판, 상기 기판 상에 실장된 발광 다이오드 칩, 상기 발광 다이오드 칩 외측의 일부 영역을 감싸도록 구비된 금속 나노입자층 및 상기 금속 나노입자층의 외측에 형성된 봉지재를 포함한다.
Int. CL H01L 33/50 (2010.01) H01L 33/52 (2010.01) H01L 33/48 (2010.01)
CPC H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01) H01L 33/502(2013.01)
출원번호/일자 1020120148647 (2012.12.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1408867-0000 (2014.06.11)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.18)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유세훈 대한민국 인천 연수구
2 이창우 대한민국 경기 안양시 동안구
3 김정한 대한민국 서울 서초구
4 김준기 대한민국 경기 군포시 산본로***번길 **, **
5 이태영 대한민국 서울 구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 이창희 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, B동, ****호(국제특허이창)
3 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
4 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-1054658-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0926442-72
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096882-10
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0808159-67
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0065315-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0177959-30
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0282574-07
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0282542-46
11 등록결정서
Decision to grant
2014.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0355721-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판;상기 기판 상에 실장된 발광 다이오드 칩;상기 발광 다이오드 칩 외측의 전체 면적 중 일부 영역을 감싸도록 구비된 금속 나노입자층; 및상기 금속 나노입자층의 외측에 형성된 봉지재;을 포함하고, 상기 나노입자층의 굴절률은 상기 발광 다이오드 칩의 굴절률보다 크게 형성되며, 상기 봉지재의 굴절률보다 작게 형성된 발광 다이오드 패키지
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.