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냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러와 반도체 칠링 방법 및 반도체 칠러의 운전 방법

  • 기술번호 : KST2014052777
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러와 반도체 칠링 방법 및 그 운전 방법에 관한 것으로서, 반도체 제조공정의 공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01) H01L 21/02252(2013.01)
출원번호/일자 1020120132378 (2012.11.21)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1402588-0000 (2014.05.27)
공개번호/일자 10-2014-0065166 (2014.05.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140602) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.21)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오경 대한민국 충남 아산시
2 차동안 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유)화우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로***길 **, *층 (대치동, 삼호빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0960076-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.11.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0090051-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0797502-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0054162-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0054143-06
8 등록결정서
Decision to grant
2014.05.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0316115-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
압축기, 응축기, 팽창기, 증발기를 포함하되,반도체 제조공정의 공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하되,상기 팽창기의 출구와 상기 증발기의 입구 사이에 액분리기(accumulator);상기 응축기는 PCW inlet 및 PCW outlet이 연결되는 메인 열교환기;상기 액분리기와 상기 압축기 사이에 서브 열교환기;를 더 포함하고, 상기 서브 열교환기는 상기 PCW inlet 및 PCW outlet과 연결되는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
2 2
제1항에 있어서,상기 증발기는 만액식 증발기(flooded type evaporator)인 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 액분리기는 액면 제어기(floatless switch)를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
5 5
제1항에 있어서,상기 팽창기는 상기 액분리기의 입구 측에 마련되는 제1팽창기인 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
6 6
제5항에 있어서,상기 제1팽창기는 개도 조절을 통하여 팽창되는 냉매를 스텝 제어함으로써 상기 증발기에 유입되는 냉매의 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 서브 열교환기는 상기 PCW inlet 및 PCW outlet의 사이에 상기 서브 열교환기로 유출입되는 PCW 유량을 제어할 수 있는 PCW 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
9 9
제8항에 있어서,상기 응축기로부터 상기 메인 열교환기로 이어지는 유로와 상기 서브 열교환기로부터 상기 압축기로 이어지는 유로는 4-way 밸브에 연결되어 각각의 상기 유로의 출구가 상호 전환될 수 있도록 연결된 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
10 10
압축기, 응축기, 팽창기, 증발기를 포함하되,반도체 제조공정의 공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하되,상기 팽창기의 출구와 상기 증발기의 입구 사이에 액분리기(accumulator);상기 응축기는 PCW inlet 및 PCW outlet이 연결되는 메인 열교환기;상기 메인 열교환기와 상기 액분리기 사이에 제1밸브 및 리시버를 더 포함하고, 상기 제1밸브를 우회하는 제1바이패스유로 및 상기 제1바이패스유로에 연결된 제3팽창기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
11 11
압축기, 응축기, 팽창기, 증발기를 포함하되,반도체 제조공정의 공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하되,상기 팽창기의 출구와 상기 증발기의 입구 사이에 액분리기(accumulator);를 포함하고,상기 증발기를 거친 냉매는 상기 액분리기로 유입되며, 상기 액분리기에서 분리된 기상의 냉매는 상기 압축기로 유입되는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
12 12
제11항에 있어서,상기 증발기로부터 액분리기로 이어지는 유로에 마련되는 제5밸브 및 상기 액분리기로부터 상기 압축기로 이어지는 유로에 마련되는 제6밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
13 13
제12항에 있어서,상기 제5밸브 및 제6밸브를 우회하여 액분리기를 거치지 않고 서브 열교환기로 이어지는 제4바이패스유로를 더 포함하되, 상기 제4바이패스유로에는 제2팽창기가 마련되는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
14 14
제11항에 있어서,상기 액분리기와 상기 증발기 사이에 냉매펌프를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
15 15
제14항에 있어서,상기 냉매펌프와 상기 증발기 사이에 제3밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러
16 16
반도체 제조공정의 공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 직접 열교환을 수행하며,PCW 방식의 메인 열교환기가 마련된 응축기에서 냉매를 응축하는 응축단계;상기 응축단계를 거친 냉매가 팽창기에서 팽창되는 팽창단계;상기 팽창단계를 거친 냉매가 액분리기로 유입되어 액상과 기상으로 분리되는 액상분리단계;상기 액상분리단계를 거쳐 분리된 액상의 냉매가 냉매펌프를 지나 증발기 내부로 유입되는 펌핑단계;상기 펌핑단계를 거친 냉매가 공정부하와의 열교환으로 증발되는 증발단계;상기 증발단계를 거쳐 증발된 냉매가 다시 액분리기로 유입되어 액상과 기상으로 분리되는 기상분리단계; 및상기 기상분리단계를 거쳐 분리된 기상의 냉매가 압축기로 유입되어 압축되는 압축단계;를 포함하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠링 방법
17 17
삭제
18 18
제16항에 있어서, 상기 팽창기의 개도 조절을 통하여 팽창되는 냉매를 스텝 제어함으로써 상기 증발기에 유입되는 냉매의 온도를 제어하는 냉매온도제어단계;를 더 포함하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠링 방법
19 19
공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법에 있어서,공정부하의 온도 범위 -10℃~20℃에서의 운전 방법인 것을 특징으로 하되,PCW 방식의 메인 열교환기가 마련된 응축기에서 냉매를 응축하는 응축단계;상기 응축단계를 거친 냉매가 팽창기에서 팽창되는 팽창단계;상기 팽창단계를 거친 냉매가 액분리기로 유입되어 액상과 기상으로 분리되는 액상분리단계;상기 액상분리단계를 거쳐 분리된 액상의 냉매가 냉매펌프를 지나 증발기 내부로 유입되는 펌핑단계;상기 펌핑단계를 거친 냉매가 공정부하와의 열교환으로 증발되는 증발단계;상기 증발단계를 거쳐 증발된 냉매가 다시 액분리기로 유입되어 액상과 기상으로 분리되는 기상분리단계; 및상기 기상분리단계를 거쳐 분리된 기상의 냉매가 압축기로 유입되어 압축되는 압축단계;를 포함하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법
20 20
공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법에 있어서,공정부하의 온도 범위 20℃~40℃에서의 운전 방법인 것을 특징으로 하되,PCW 방식의 메인 열교환기가 마련된 응축기에서 냉매를 응축하는 응축단계;상기 응축단계를 거친 냉매가 팽창기를 거치지 않고 제2바이패스유로를 통하여 액분리기로 유입되는 단계;상기 액분리기로 유입된 냉매가 액상과 기상으로 분리되는 액상분리단계;상기 액상분리단계를 거쳐 분리된 액상의 냉매가 냉매펌프를 지나 증발기 내부로 유입되는 펌핑단계;상기 펌핑단계를 거친 냉매가 공정부하와의 열교환으로 증발되는 증발단계;상기 증발단계를 거쳐 증발된 냉매가 다시 액분리기로 유입되지 않고 제4바이패스유로로 유입되어 상기 제4바이패스유로에 마련된 팽창기를 통하여 팽창되는 팽창단계;상기 팽창단계를 거친 냉매가 PCW 방식의 서브 열교환기로 유입되어 열교환이 발생하는 서브열교환단계;상기 서브열교환단계를 거친 냉매가 압축기로 유입되어 압축되는 압축단계;를 포함하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법
21 21
공정부하와의 열교환을 위한 별도의 브라인(Brine) 사이클을 구비하지 않고, 증발기에 유입된 냉매를 통하여 상기 공정부하와 열교환을 수행하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법에 있어서,공정부하의 온도 범위 40℃~80℃에서의 운전 방법인 것을 특징으로 하되,PCW 방식의 메인 열교환기에서의 PCW열교환단계;상기 PCW열교환단계를 거친 냉매를 압축기에서 압축시키는 압축단계;상기 압축단계를 거친 냉매를 액분리기로 유입하여 기상과 액상을 분리시키는 기상분리단계;상기 기상분리단계를 거친 기상의 냉매를 증발기로 유입하여 공정부하와의 열교환을 수행하는 공정부하열교환단계;상기 공정부하열교환단계를 거친 냉매를 냉매펌프, 액분리기 및 제1팽창기를 거치지 않고 상기 냉매펌프 및 액분리기를 우회하는 제3바이패스유로로 유입시켜 리시버로 전달하는 우회단계;상기 리시버에 유입된 냉매를 상기 리시버와 상기 메인 열교환기 사이에 마련된 제3팽창기를 통하여 팽창시키는 팽창단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 냉매 직접 열교환 방식의 반도체 칠러의 운전 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.