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알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
- 기술번호 : KST2014052857
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스 및/또는 경화물에서, 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 코어에 적어도 하나의 알콕시실릴기 및 적어도 두 개의 에폭시기를 갖는 알콕시실릴계 에폭시 화합물; 출발물질의 알릴화, 클라이센 리어레인지먼트, 글리시딜화 및 알콕시실릴화로 제조되는 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 복합체는 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE 와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다. |
|---|---|
| Int. CL | C07D 407/12 (2006.01) C07F 7/18 (2006.01) C07D 303/12 (2006.01) C07D 407/10 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020120093320 (2012.08.24) |
| 출원인 | 한국생산기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1252063-0000 (2013.04.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0023168 (2013.03.07) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20130412) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020120059437 | 2012.06.01
대한민국 | 1020120074197 | 2012.07.06 대한민국 | 1020110085340 | 2011.08.25 |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.08.24) |
| 심사청구항수 | 109 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전현애 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 탁상용 | 대한민국 | 부산 중구 |
| 3 | 박수진 | 대한민국 | 경기 안산시 상록구 |
| 4 | 김윤주 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 5 | 박성환 | 대한민국 | 경기 군포시 수리산로 **, * |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국생산기술연구원 | 충청남도 천안시 서북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.08.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0684530-47 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0704467-27 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search |
2012.09.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search |
2012.09.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0071770-30 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.10.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0615652-59 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.12.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1043971-80 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.12.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1043973-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0107792-40 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하기 화학식 A' 내지 K'로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 코어에 적어도 하나의 하기 화학식 S1 치환기 및 두 개의 하기 화학식 S2의 에폭시기를 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 하기 화학식 S3의 치환기를 추가로 포함하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어떠한 일종의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 다수의 Q중 적어도 하나는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 5 |
5 제 3항에 있어서, 상기 다수의 Q중 적어도 하나는 상기 화학식 S1이며, 나머지는 상기 화학식 S3인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 6 |
6 제 3항에 있어서, 상기 R1 내지 R3 는 에톡시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 7 |
7 제 3항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 AI 내지 DI로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어떠한 하나인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 상기 화학식 DI이고, Y는 - C(CH3)2 -인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 10 |
10 제 3항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물은 하기 화학식 M의 화합물 중 어느 하나인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 |
| 11 |
11 하기 화학식 (A11) 내지 (K11)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 12 |
12 제 11항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(11) 중 어느 하나인 화합물 |
| 13 |
13 하기 화학식 (A12) 내지 (K12)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(12) 중 어느 하나인 화합물 |
| 15 |
15 하기 화학식 (A13) 내지 (K13)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(13) 중 어느 하나인 화합물 |
| 17 |
17 하기 화학식 (A13') 내지 (K13')로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 18 |
18 제 17항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(13')인 화합물 |
| 19 |
19 하기 화학식 (A23) 내지 (J23)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 20 |
20 제 19항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(23) 중 어느 하나인 화합물 |
| 21 |
21 하기 화학식 (A24) 내지 (J24)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 22 |
22 제 21항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(24) 중 어느 하나인 화합물 |
| 23 |
23 하기 화학식 (A25) 내지 (J25)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 24 |
24 제 23항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 S(25) 중 어느 하나인 화합물 |
| 25 |
25 하기 화학식 (A25') 내지 (J25')로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 화합물 |
| 26 |
26 하기 화학식 AP 내지 KP로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머 |
| 27 |
27 제 26항에 있어서, 상기 R1 내지 R3 는 에톡시기인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 폴리머 |
| 28 |
28 하기 화학식 (AS) 내지 (KS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A11) 내지 (K11) 중 어느 하나의 중간생성물(11)을 형성하는 제 1단계; 상기 중간생성물(11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (M12) 중 어느 하나의 중간생성물(12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물(12) 중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A13) 내지 (K13) 중 어느 하나의 중간생성물(13)를 형성하는 제 3단계; 및임의로 상기 중간생성물(13) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A13') 내지 화학식 (K13')중 어느 하나의 중간생성물 (13')를 형성하는 임의의 제 3-1단계; 및 상기 중간생성물(13) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물(13') 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재 하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 화학식 (A14) 내지 (K14)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 29 |
29 하기 화학식 (AS) 내지 (JS)중 어느 하나의 출발물질과 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A11) 내지 (J11) 중 하나의 중간생성물(11)을 형성하는 제 1단계; 상기 중간생성물(11)중 어느 하나를 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A12) 내지 (J12) 중 어느 하나의 중간생성물(12)를 형성하는 제 2단계; 상기 중간생성물(12) 중 어느 하나와 하기 화학식 B1의 알릴화합물을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A23) 내지 (J23)중 어느 하나의 중간생성물(23)을 형성하는 제 2-1 단계; 상기 중간생성물(23)을 임의의 용매 존재하에서 가열하여 하기 화학식 (A24) 내지 (J24) 중 어느 하나의 중간생성물(24)를 형성하는 제 2-2 단계; 상기 중간생성물(24)중 어느 하나와 에피클로로히드린을 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A25) 내지 (J25) 중 하나의 중간생성물(25)를 형성하는 제 3단계; 임의로 상기 중간생성물(25) 중 어느 하나와 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 (A25') 내지 화학식 (J25')의 중간생성물 (25')를 형성하는 임의의 제 3-1단계; 및 상기 중간생성물(25) 중 어느 하나 또는 상기 중간생성물(25') 중 어느 하나와 하기 화학식 B2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반응시키는 제 4단계를 포함하는 하기 화학식 (A26) 내지 (J26)의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 30 |
30 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 1단계는 상기 출발물질의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0 |
| 31 |
31 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 1단계는 상온 내지 100℃로 1시간 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 32 |
32 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 33 |
33 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 34 |
34 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 중간생성물(11)은 140℃ 내지 250℃의 온도로 1 내지 200시간 동안 가열되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 35 |
35 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 2단계에서 상기 용매는 자일렌, 1,2-다이클로로벤젠, 및 N,N-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 36 |
36 제 29항에 있어서, 상기 제 2-1 단계는 상기 중간생성물(12)의 히드록시기 1 당량에 대하여 상기 화학식 B1의 알릴화합물의 알릴기가 0 |
| 37 |
37 제 29항에 있어서, 상기 제 2-1 단계는 상온 내지 100℃로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 38 |
38 제 29항에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 39 |
39 제 29항에 있어서, 상기 제 2-1 단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 40 |
40 제 29항에 있어서, 상기 제 2-2 단계는 140℃ 내지 250℃의 온도로 1 내지 200시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 41 |
41 제 29항에 있어서, 상기 제 2-2 단계에서 상기 용매는 자일렌, 1,2-다이클로로벤젠, 및 N,N-다이에틸아닐린으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 42 |
42 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3단계는 상기 중간생성물(12) 또는 중간생성물(24)의 히드록시기 1 당량에 대하여 에피클로로히드린의 글리시딜기가 1 내지 10 당량이 되도록 반응되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 43 |
43 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3단계는 상온 내지 100℃에서 1 내지 120시간 동안 행하는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 44 |
44 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3단계에서 상기 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, Na2CO3, KHCO3, NaHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 45 |
45 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 46 |
46 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3-1 단계는 상기 중간생성물 (13) 또는 중간생성물 (25)의 알릴기 1 당량에 대하여 상기 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 내지 10 당량이 되도록 반응시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 47 |
47 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3-1 단계에서 과산화물은 m-CPBA(meta-chloroperoxybenzoic acid), H2O2, 및 DMDO(dimethyldioxirane)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 48 |
48 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3-1단계는 상온 내지 100℃로 1 내지 120시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 49 |
49 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3-1단계에서 용매는 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 50 |
50 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 3-1단계에서 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 51 |
51 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 4단계는 상기 중간생성물 (15), 중간생성물 (15'), 중간생성물 (25) 또는 중간생성물 (25')의 알릴기 1당량에 대하여 상기 화학식 B2의 알콕시실란이 1 당량 내지 5 당량이 되도록 반응시키는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 52 |
52 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 4단계는 상온 내지 120 ℃로 1 내지 72시간 동안 행하여지는 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 53 |
53 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 4단계에서 금속촉매는 PtO2 또는 H2PtCl6 인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 54 |
54 제 28항 또는 제 29항에 있어서, 상기 제 4단계에서 상기 용매는 톨루엔, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란, 메틸에틸케톤, 디메틸 포름아미드, 디메틸 술폭사이드 및 메틸렌 클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 55 |
55 하기 화학식 (AI) 내지 (KI)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물 |
| 56 |
56 제 55항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 57 |
57 제 56항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌(fluorene), 안트라센, 이소시아누레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀, 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물 |
| 58 |
58 제 57항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌, 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물 |
| 59 |
59 제 56항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 60 |
60 제 59항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 70wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 61 |
61 하기 화학식 AI 내지 KI로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물 |
| 62 |
62 제 61항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 63 |
63 제 62항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌(fluorene), 안트라센, 이소시아뉴레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물 |
| 64 |
64 제 63항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌, 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물 |
| 65 |
65 제 62항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 66 |
66 제 65항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 미만 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 초과 내지 70wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 67 |
67 제 55 내지 제 66항 중 어느 한 항에 있어서, 섬유를 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 68 |
68 제 67항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유, T 유리섬유, S 유리섬유, NE 유리섬유, D 유리섬유 및 석영 유리섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유, 폴리옥시벤자졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유, 폴리프로필렌 섬유, 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유, 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물 |
| 69 |
69 제 68항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유인 에폭시 조성물 |
| 70 |
70 제 68항에 있어서, 상기 섬유는 T 유리섬유인 에폭시 조성물 |
| 71 |
71 제 67항에 있어서, 상기 에폭시 조성물의 총 중량에 대하여 상기 섬유는 10 wt% 내지 90wt%로 포함되는 에폭시 조성물 |
| 72 |
72 제 67항에 있어서, 상기 무기입자를 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 73 |
73 제 72항에 있어서, 상기 무기입자는 SiO2, ZrO2, TiO2, 및 Al2O3 로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 T-10형 실세스퀴녹산, 래더(ladder)형 실세스퀴녹산, 및 케이지형 실세스퀴녹산로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물 |
| 74 |
74 제 67항에 있어서, 경화촉진제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 75 |
75 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료 |
| 76 |
76 제 67항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료 |
| 77 |
77 제 72항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료 |
| 78 |
78 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그 |
| 79 |
79 제 67항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그 |
| 80 |
80 제 72항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그 |
| 81 |
81 제 78항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판 |
| 82 |
82 제 79항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판 |
| 83 |
83 제 80항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판 |
| 84 |
84 제 78항의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판 |
| 85 |
85 제 79항의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판 |
| 86 |
86 제 80항의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판 |
| 87 |
87 제 84항의 인쇄배선판에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치 |
| 88 |
88 제 85항의 인쇄배선판에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치 |
| 89 |
89 제 86항의 인쇄배선판에 반도체 소자가 탑재된 반도체 장치 |
| 90 |
90 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판 |
| 91 |
91 제 67항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판 |
| 92 |
92 제 72항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판 |
| 93 |
93 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름 |
| 94 |
94 제 67항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름 |
| 95 |
95 제 72항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름 |
| 96 |
96 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료 |
| 97 |
97 제 67항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료 |
| 98 |
98 제 72항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료 |
| 99 |
99 제 96항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치 |
| 100 |
100 제 97항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치 |
| 101 |
101 제 98항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치 |
| 102 |
102 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 103 |
103 제 67항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 104 |
104 제 72항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 105 |
105 열팽창계수가 50ppm/℃ 내지 150ppm/℃인 제 55항 내지 제 66항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 106 |
106 열팽창계수가 15ppm/℃이하인 제 67항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 107 |
107 열팽창계수가 15ppm/℃이하인 제 72항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 108 |
108 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 제 67항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 109 |
109 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 제 72항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN103889977 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02767535 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | EP02767535 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 4 | EP02873672 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
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| 6 | JP26531473 | JP | 일본 | FAMILY |
| 7 | KR101520764 | KR | 대한민국 | FAMILY |
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| 9 | US09896535 | US | 미국 | FAMILY |
| 10 | US20140179836 | US | 미국 | FAMILY |
| 11 | US20150148452 | US | 미국 | FAMILY |
| 12 | US20160229948 | US | 미국 | FAMILY |
| 13 | WO2013028045 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 14 | WO2013028045 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
| 15 | WO2013180375 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN103889977 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 3 | EP2767535 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
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| 13 | WO2013028045 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
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| 특허 등록번호 | 10-1252063-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20120824 출원 번호 : 1020120093320 공고 연월일 : 20130412 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130218 청구범위의 항수 : 109 유별 : C07D 407/12 발명의 명칭 : 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 2,148,000 원 | 2013년 04월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 1,706,600 원 | 2016년 03월 28일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 1,706,600 원 | 2017년 03월 27일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 1,706,600 원 | 2018년 04월 03일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 2,121,000 원 | 2019년 04월 02일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 2,121,000 원 | 2020년 03월 26일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.08.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0684530-47 |
| 2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2012.08.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0704467-27 |
| 3 | [우선심사신청]선행기술조사의뢰서 | 2012.09.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | [우선심사신청]선행기술조사보고서 | 2012.09.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0071770-30 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2012.10.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0615652-59 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.12.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-1043971-80 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.12.14 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-1043973-71 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
| 9 | 등록결정서 | 2013.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0107792-40 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
| 기술번호 | KST2014052857 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국생산기술연구원 |
| 기술명 | 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 |
| 기술개요 |
본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스 및/또는 경화물에서, 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 코어에 적어도 하나의 알콕시실릴기 및 적어도 두 개의 에폭시기를 갖는 알콕시실릴계 에폭시 화합물; 출발물질의 알릴화, 클라이센 리어레인지먼트, 글리시딜화 및 알콕시실릴화로 제조되는 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴계 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 복합체는 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE 와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 화학 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
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