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알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도
- 기술번호 : KST2014052860
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스 및/또는 경화물에서, 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 코어에 알콕시실릴기 및 에폭시기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물; 출발물질의 에폭시화 및 알콕시실릴화로 제조되는 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴계 이소시아누레이트 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 복합체는 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다. |
|---|---|
| Int. CL | C07F 7/08 (2006.01) C07D 405/14 (2006.01) C07D 251/32 (2006.01) C08G 59/26 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020120122947 (2012.11.01) |
| 출원인 | 한국생산기술연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1456025-0000 (2014.10.23) |
| 공개번호/일자 | 10-2013-0048185 (2013.05.09) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20141103) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
대한민국 | 1020110113007 | 2011.11.01
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2012.11.01) |
| 심사청구항수 | 66 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국생산기술연구원 | 대한민국 | 충청남도 천안시 서북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 전현애 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 탁상용 | 대한민국 | 부산 중구 |
| 3 | 박수진 | 대한민국 | 경기 안산시 상록구 |
| 4 | 김윤주 | 대한민국 | 서울 강남구 |
| 5 | 박성환 | 대한민국 | 경기 군포시 수리산로 **, * |
| 6 | 박숙연 | 대한민국 | 경기 군포시 오금로 **, * |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인씨엔에스 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국생산기술연구원 | 충청남도 천안시 서북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.11.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0897214-64 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.04.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0273068-41 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.05.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0478719-16 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0478718-71 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0714264-61 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 Y1은 C1-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, 상기 Y2는 C2-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 Y1은 C2-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, 상기 Y2는 C1-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서, 상기 Y1은 C2-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, 상기 Y2는 C2-C10 알칸디일, C6-C10 아릴디일 및 C7-C10 아릴화된 알칸디일 그룹으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 Ra 내지 Rc는 에톡시기인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물은 하기 화학식 (A) 내지 (C)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 |
| 7 |
7 삭제 |
| 8 |
8 삭제 |
| 9 |
9 염기, 임의의 촉매 및 임의의 용매 존재하에서, 하기 화학식 2-1의 화합물의 알케닐화 및 에폭시화로 하기 화학식 3의 중간체를 형성하는 제 1 단계; 및상기 화학식 3의 중간체와 하기 화학식 R2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매존재하에서 반응시키는 제 2 단계를 포함하는 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 제 1 단계는 상기 화학식 2-1의 화합물과 하기 화학식 R1의 알케닐 화합물을 반응시키는 알케닐화 다음에 원위치에서 에피클로로히드린과 연속적으로 반응시키는 에폭시화로 행하여지는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서, 상기 제 1 단계는 상기 화학식 2-1의 화합물과 에피클로로히드린과 반응시키는 에폭시화 다음에 원위치에서 하기 화학식 R1의 알케닐 화합물과 연속적으로 반응시키는 알케닐화로 행하여지는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 12 |
12 하기 화학식 2-2의 화합물과 과산화물을 임의의 염기 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 하기 화학식 3의 중간체를 형성하는 제 1 단계; 및상기 화학식 3의 중간체와 하기 화학식 R2의 알콕시실란을 금속촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반응시키는 제 2 단계를 포함하는, 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 13 |
13 제 12항에 있어서, 상기 화학식 2-2의 화합물은 하기 화학식 2-1의 화합물과 하기 화학식 R1의 알케닐 화합물을 염기, 임의의 촉매 및 임의의 용매 존재하에서 반응시켜서 얻어지는 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 14 |
14 제 10항에 있어서, 상기 제 1단계는 상기 화학식 2-1의 화합물의 아민 1 당량에 대하여 상기 화학식 R1의 화합물의 알케닐기가 0 |
| 15 |
15 제 11항에 있어서, 상기 제 1단계는 상기 화학식 2-1의 화합물의 아민 1 당량에 대하여 에피클로로히드린이 0 |
| 16 |
16 제 9항에 있어서, 상기 알케닐화는 상온 내지 150℃에서 1 내지 24시간 동안 행하며, 상기 에폭시화는 상온 내지 150℃에서 1 내지 24시간 동안 행하는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 17 |
17 제 9항에 있어서, 상기 제 1단계에서 염기는 NaH, KOH, NaOH, K2CO3 및 Na2CO3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 18 |
18 제 9항에 있어서, 상기 제 1단계에서 촉매는 테트라 메틸 암모늄 클로라이드, 테트라메틸 암모늄 브로마이드, 테트라 부틸 암모늄 아이오다이드, 트리메틸 벤질 암모늄 클로라이드, 및 트리에틸 벤질 암모늄클로라이드로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 19 |
19 제 9항에 있어서, 상기 제 1단계에서 용매는 1,4-디옥산, 아세토니트릴, THF(tetra hydro furan), DMF(dimethyl formamide), DMSO(dimethyl sulfoxide), 메탄올 및 에탄올로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 20 |
20 제 12항에 있어서, 제 1단계는 상기 화학식 2-2의 화합물의 알케닐 그룹 1 당량에 대하여 상기 과산화물의 퍼옥사이드 그룹이 1 내지 5 당량이 되도록 반응되는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 21 |
21 제 12항에 있어서, 상기 제 1단계에서 과산화물은 m-CPBA(meta-chloroperoxybenzoic acid), H2O2, DMDO(dimethyldioxirane) 및 옥손(oxone) 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 22 |
22 제 12항에 있어서, 상기 제 1단계는 상온 내지 100℃로 1 내지 120시간 동안 행하여지는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 23 |
23 제 12항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 임의의 염기는 KOH, NaOH, K2CO3, KHCO3, NaH, 트리에틸아민, 및 디이소프로필에틸 아민으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 24 |
24 제 12항에 있어서, 상기 제 1단계에서 상기 용매는 아세토니트릴, THF(tetra hydro furan), MEK(methyl ethyl ketone), DMF(dimethyl formamide), DMSO(dimethyl sulfoxide), 메틸렌 클로라이드(MC) 및 클로로포름으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 25 |
25 제 9항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제 2단계는 상기 화학식 3의 중간체의 알케닐 치환기 1당량에 대하여 상기 화학식 R2의 알콕시실란이 1 당량 내지 3당량이 되도록 반응되는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 26 |
26 제 9항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제 2단계는 상온 내지 120℃에서 1시간 내지 72시간 동안 행하여지는, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 27 |
27 제 9항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제 2단계에서 금속촉매는 PtO2 또는 H2PtCl6(Chloroplatinic acid)인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 28 |
28 제 9항 또는 제 12항에 있어서, 상기 제 2단계에서 용매는 톨루엔, 아세토니트릴, THF(tetra hydro furan), MEK(methyl ethyl ketone), DMF(dimethyl formamide), DMSO(dimethyl sulfoxide), 및 메틸렌 클로라이드(MC)로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인, 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물의 제조방법 |
| 29 |
29 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물 |
| 30 |
30 제 29항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 31 |
31 제 30항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌, 안트라센, 이소시아누레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 아미노페놀 시클로 지방족, 또는 노볼락 유니트를 갖는 에폭시 조성물 |
| 32 |
32 제 31항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌, 또는 플루오렌을 갖는 에폭시 조성물 |
| 33 |
33 제 29항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 이소시아네이트 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 34 |
34 제 33항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 이소시아네이트 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 70wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 35 |
35 하기 화학식 1의 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 및 경화제를 포함하는 에폭시 조성물 |
| 36 |
36 제 35항에 있어서, 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물을 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 37 |
37 제 36항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀, 비페닐, 나프탈렌, 벤젠, 티오디페놀, 플루오렌(fluorene), 안트라센, 이소시아뉴레이트, 트리페닐메탄, 1,1,2,2-테트라페닐에탄, 테트라페닐메탄, 4 |
| 38 |
38 제 37항에 있어서, 상기 에폭시 화합물은 코어구조로 비스페놀 A, 비페닐, 나프탈렌, 또는 플루오린(fluorine)을 갖는 에폭시 조성물 |
| 39 |
39 제 35항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 10 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 90wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 40 |
40 제 39항에 있어서, 에폭시 화합물의 총 중량을 기준으로 상기 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물 30 내지 100wt% 및 글리시딜에테르계 에폭시 화합물, 글리시딜계 에폭시 화합물, 글리시딜아민계 에폭시 화합물, 글리시딜에스테르계 에폭시 화합물, 고무 개질된 에폭시 화합물, 지방족 폴리 글리시딜계 에폭시 화합물 및 지방족 글리시딜 아민계 에폭시 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 최소 일종의 에폭시 화합물 0wt% 내지 70wt% 로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 41 |
41 제 29항에 있어서, 경화촉진제를 추가로 포함하는 에폭시 조성물 |
| 42 |
42 제 29항에 있어서,무기입자 또는 섬유를 추가로 포함하는, 에폭시 조성물 |
| 43 |
43 제 42항에 있어서, 상기 에폭시 조성물이 섬유를 포함하는 경우에, 무기입자를 또한 추가로 포함하는, 에폭시 조성물 |
| 44 |
44 제 42항에 있어서, 상기 무기입자는 실리카, 지르코니아, 티타니아, 알루미나, 질화규소 및 질화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종의 금속산화물, 및 T-10형 실세스퀴녹산, 래더(ladder)형 실세스퀴녹산, 및 케이지형 실세스퀴녹산로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물 |
| 45 |
45 제 42항에 있어서, 상기 에폭시 조성물에서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 5wt% 내지 95wt%인 에폭시 조성물 |
| 46 |
46 제 45항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 30wt% 내지 95wt%인 에폭시 조성물 |
| 47 |
47 제 46항에 있어서, 상기 무기입자는 에폭시 조성물의 총 중량을 기준으로 5wt% 내지 60wt%인 에폭시 조성물 |
| 48 |
48 제 43항에 있어서, 상기 무기입자는 총 레진 함량의 1wt% 내지 70wt%인 에폭시 조성물 |
| 49 |
49 제 42항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유, T 유리섬유, S 유리섬유, NE 유리섬유, D 유리섬유, 및 석영 유리섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유리섬유 및 액정 폴리에스테르 섬유, 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유, 전방향족 섬유, 폴리옥시벤자졸 섬유, 나일론 섬유, 폴리에틸렌 나프탈레이트 섬유, 폴리프로필렌 섬유, 폴리에테르 술폰 섬유, 폴리비닐리덴플로라이드 섬유, 폴리에틸렌 술파이드 섬유, 및 폴리에테르에테르케톤 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 유기 섬유로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 적어도 일종인 에폭시 조성물 |
| 50 |
50 제 49항에 있어서, 상기 섬유는 E 유리섬유인 에폭시 조성물 |
| 51 |
51 제 49항에 있어서, 상기 섬유는 T 유리섬유인 에폭시 조성물 |
| 52 |
52 제 42항에 있어서, 상기 에폭시 조성물의 총 중량에 대하여 상기 섬유는 10 wt% 내지 90wt%로 포함되는 에폭시 조성물 |
| 53 |
53 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 전자재료 |
| 54 |
54 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 프리프레그 |
| 55 |
55 제 54항의 프리프레그에 금속층이 배치된 적층판 |
| 56 |
56 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 기판 |
| 57 |
57 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 필름 |
| 58 |
58 제 54항의 프리프레그를 포함하는 인쇄배선판 |
| 59 |
59 제 58항의 인쇄배선판을 포함하는 반도체장치 |
| 60 |
60 제 29항 내지 제 52항 중 어느 한 항의 에폭시 조성물을 포함하는 반도체 패키징 재료 |
| 61 |
61 제 60항의 반도체 패키징 재료를 포함하는 반도체 장치 |
| 62 |
62 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 접착제 |
| 63 |
63 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 도료 |
| 64 |
64 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물을 포함하는 복합재료 |
| 65 |
65 제 29항 내지 제 52항 중 어느 일 항의 에폭시 조성물의 경화물 |
| 66 |
66 열팽창계수가 15ppm/℃이하인 제 35항 내지 제 52항 중 어느 한 항에 의한 에폭시 조성물의 경화물 |
| 67 |
67 유리전이온도가 100℃ 보다 높거나 유리전이온도를 나타내지 않는 제 35항 내지 제 52항 중 어느 한 항에 의한 에폭시 조성물의 경화물 |
| 68 |
68 열팽창계수가 50ppm/℃ 내지 150ppm/℃인 제 29항 내지 제 34항 중 어느 한 항에 의한 에폭시 조성물의 경화물 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
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| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN103906753 | CN | 중국 | FAMILY |
| 2 | EP02774929 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 3 | EP02774929 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 4 | JP27502919 | JP | 일본 | FAMILY |
| 5 | US09534075 | US | 미국 | FAMILY |
| 6 | US20140308527 | US | 미국 | FAMILY |
| 7 | WO2013066078 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN103906753 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN103906753 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | EP2774929 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 4 | EP2774929 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 5 | EP2774929 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 6 | JP2015502919 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
| 7 | US2014308527 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 8 | US9534075 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 9 | WO2013066078 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
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| 특허 등록번호 | 10-1456025-0000 |
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권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20121101 출원 번호 : 1020120122947 공고 연월일 : 20141103 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141021 청구범위의 항수 : 66 유별 : C07F 7/08 발명의 명칭 : 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,309,500 원 | 2014년 10월 24일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 1,044,400 원 | 2017년 09월 27일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2018년 10월 02일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 746,000 원 | 2019년 09월 25일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,304,000 원 | 2020년 09월 25일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.11.01 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0897214-64 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.29 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5017806-08 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2014.04.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0273068-41 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.05.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0478719-16 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.05.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0478718-71 |
| 6 | 등록결정서 | 2014.10.21 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0714264-61 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5006834-98 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.07.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5123030-77 |
| 기술번호 | KST2014052860 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국생산기술연구원 |
| 기술명 | 알콕시실릴기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도 |
| 기술개요 |
본 발명은 복합체에서 우수한 내열특성, 구체적으로, 낮은 열팽창계수(CTE, Coefficient of Thermal Expansion)와 높은 유리전이 온도 또는 Tg 리스 및/또는 경화물에서, 난연성을 나타내며 별도의 실란커플링제를 필요로 하지 않는 알콕시실릴계 이소시아누레이트 에폭시 화합물, 이의 제조방법, 이를 포함하는 조성물과 경화물 및 이의 용도에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 코어에 알콕시실릴기 및 에폭시기를 갖는 이소시아누레이트 에폭시 화합물; 출발물질의 에폭시화 및 알콕시실릴화로 제조되는 상기 에폭시 화합물의 제조방법; 상기 에폭시 화합물을 포함하는 에폭시 조성물; 및 이의 경화물 및 용도가 제공된다. 본 발명에 의한 새로운 알콕시실릴계 이소시아누레이트 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 복합체는 에폭시 화합물 중 알콕시실릴기와 충전제의 화학적 결합뿐만 아니라 알콕시실릴기를 갖는 에폭시 화합물의 알콕시실릴기간의 화합결합에 의해 에폭시 복합체 형성시, 화합결합 효율이 향상되며, 따라서, 우수한 내열특성, 즉, 낮은 CTE와 높은 유리전이온도 혹은 Tg 리스를 나타낸다. 또한, 본 발명에 의한 에폭시 화합물을 포함하는 조성물의 경화물은 우수한 난연성을 나타낸다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 화학 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제정보가 없습니다 |
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중요키워드
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