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애노드 전극;상기 애노드 전극 상에 형성되는 정공 주입 수송층;상기 정공 주입 수송층 상에 형성되는 발광층;상기 발광층 상에 형성되는 전자수송층;상기 전자수송층 상에 형성되는 전자주입층; 및캐소드 전극을 포함하고,상기 정공 주입 수송층은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 또는 NPB(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl- 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)에 15nm 이하의 ZnO 나노입자가 도핑된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입 수송층은,PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 또는 NPB(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl- 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)에 15nm 이하의 ZnO 나노입자를 용해시킨 후 상기 애노드 전극 상에 코팅하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 정공 주입 수송층은,상기 애노드 전극 상에 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 또는 NPB(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl- 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)과 15nm 이하의 ZnO 나노입자를 동시에 증착하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공저지층이 더욱 형성된 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드
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애노드 전극, 정공 주입 수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 캐소드 전극이 차례로 적층된 유기 발광 다이오드의 제조방법으로서,상기 정공 주입 수송층은 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 또는 NPB(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl- 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)에 15nm 이하의 ZnO 나노입자를 용해시킨 후 상기 애노드 전극 상에 코팅하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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애노드 전극, 정공 주입 수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 캐소드 전극이 차례로 적층된 유기 발광 다이오드의 제조방법으로서,상기 정공 주입 수송층은 상기 애노드 전극 상에 PEDOT:PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate):폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)) 또는 NPB(N,N'-bis(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl- 1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)과 15nm 이하의 ZnO 나노입자를 동시에 증착하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,상기 발광층과 상기 전자수송층 사이에 정공저지층을 더욱 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드의 제조방법
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