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플라즈마가 형성되는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 내에 위치하고, 질화 대상체가 안착되는 플레이트; 상기 플라즈마 챔버 내에 위치하고, 상기 플레이트를 이격하여 둘러싸고, 상기 플라즈마를 형성하고, 1mm 내지 5mm 범위의 두께 및 5mm 내지 100mm 범위의 길이를 가지는 중공관 단위체(hollow tube)가 적층된 형태로 조립 결합된 음극 전극; 상기 플라즈마를 형성하도록, 상기 음극 전극에 음의 전압을 인가하는 전원; 및 상기 플라즈마 챔버 내에 상기 플라즈마를 형성하는 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 음극 전극의 외측에 위치하고, 상기 플라즈마로부터 상기 플라즈마 챔버를 보호하는 쉴드 부재; 를 포함하는, 질화처리용 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서,상기 음극 전극은, 상기 플레이트로부터 측 방향으로 이격되어, 상기 플레이트를 둘러싸는 측벽 요소; 및상기 플레이트로부터 상측 방향으로 이격되어, 상기 플레이트의 상측을 덮는 덮개 요소;를 포함하는, 질화처리용 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서,상기 음극 전극은 원기둥 형상 또는 다각형 기둥 형상을 가지는, 질화처리용 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서,상기 중공관 단위체는, 원기둥 형상 또는 다각형 기둥 형상을 가지는, 질화처리용 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서,상기 중공관 단위체는, 5 mm 내지 50 mm 범위의 직경, 변, 또는 최대 대각 길이의 크기를 가지는 내부 중공이 형성된, 질화처리용 플라즈마 장치
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제 1 항에 있어서,상기 중공관 단위체는, 형성된 내부 중공의 직경, 변, 또는 최대 대각 길이의 크기에 대하여 1 배 내지 20 배 범위의 길이를 가지는, 질화처리용 플라즈마 장치
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8
제 1 항에 있어서,상기 플레이트에 연결되고, 상기 플레이트에 바이어스 전압을 인가하는 바이어스 전원;을 더 포함하는, 질화처리용 플라즈마 장치
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9
제 1 항에 있어서,상기 플라즈마 챔버에 연결되어, 상기 플라즈마 챔버 내부를 진공으로 형성하는 진공 형성부;를 더 포함하는, 질화처리용 플라즈마 장치
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10
제 1 항에 있어서,상기 음극 전극의 외측에 위치하고, 상기 플라즈마 챔버 내부를 가열하여, 상기 가스를 활성화하는 가열 부재;를 더 포함하는, 질화처리용 플라즈마 장치
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11
삭제
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플레이트 및 중공관 단위체가 조립 결합된 음극 전극을 포함하는 청구항 1 내지 4, 6 내지 10 중 어느 한 항의 플라즈마 장치를 제공하는 단계; 상기 플레이트 상에 질화 대상체를 안착시키는 단계; 및 상기 음극 전극에 의하여 발생된 플라즈마를 이용하여, 상기 질화 대상체를 질화처리하는 단계; 를 포함하는, 플라즈마 질화처리 방법
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13
제 12 항에 있어서,상기 음극 전극에 의하여 발생된 플라즈마를 이용하여, 상기 질화 대상체를 질화처리하는 단계는, 상기 플라즈마 챔버 내부를 가열하는 단계;상기 플라즈마 챔버 내부에 수소와 질소의 혼합 가스를 인입시키는 단계; 및상기 음극 전극에 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켜, 상기 질화 대상체를 질화처리하는 단계;를 포함하는, 플라즈마 질화처리 방법
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14
제 12 항에 있어서,상기 질화 대상체를 안착시키는 단계를 수행한 후에 및 상기 질화 대상체를 질화처리하는 단계를 수행하기 전에, 상기 플라즈마 챔버를 진공처리하여 산화성 가스를 제거하는 단계; 및상기 음극 전극에 의하여 발생된 플라즈마를 이용하여, 상기 질화 대상체의 표면을 세정하는 단계;를 더 포함하는, 플라즈마 질화처리 방법
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제 14 항에 있어서,상기 음극 전극에 의하여 발생된 플라즈마를 이용하여, 상기 질화 대상체의 표면을 세정하는 단계는, 상기 플라즈마 챔버 내부를 가열하는 단계;상기 플라즈마 챔버 내부에 수소와 아르곤의 혼합 가스를 인입시키는 단계; 및상기 음극 전극에 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시켜, 상기 질화 대상체의 표면을 세정하는 단계;를 포함하는, 플라즈마 질화처리 방법
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