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챔버 내부 공정 가스 분석 장치

  • 기술번호 : KST2014052932
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 실제 공정을 수행하기 전에 공정 챔버 내에 형성된 공정 가스를 분석하여 공정의 신뢰성을 높일 수 있는 장치가 개시된다.일 예로, 공정 챔버 내에 삽입되어 공정 가스를 분석하는 장치에 있어서, 평평한 상면을 갖는 플레이트; 상기 플레이트의 상면에 배열되어 형성되고, 상기 공정 챔버 내의 광을 집광하는 복수개의 집광부; 상기 플레이트의 내부에 상기 집광부와 대응되도록 형성되어 상기 집광부의 광을 인가받는 광 전달부; 및 상기 플레이트의 내부에 형성되고, 상기 광 전달부에 연결되어 상기 광을 전달받으며, 적어도 하나의 파장에 대한 스펙트럼을 분석하는 분광부를 포함하는 공정 가스 분석 장치가 개시된다.
Int. CL G01N 21/25 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01) G01N 21/31(2013.01)
출원번호/일자 1020120109673 (2012.10.02)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1334385-0000 (2013.11.22)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.02)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0800250-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0080986-30
5 등록결정서
Decision to grant
2013.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0735551-62
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공정 챔버 내에 삽입되어 공정 가스를 분석하는 장치에 있어서,평평한 상면을 갖는 플레이트;상기 플레이트의 상면에 배열되어 형성되고, 상기 공정 챔버 내의 광을 집광하는 복수개의 집광부;상기 플레이트의 내부에 상기 집광부와 대응되도록 형성되어 상기 집광부의 광을 인가받는 광 전달부; 및상기 플레이트의 내부에 형성되고, 상기 광 전달부에 연결되어 상기 광을 전달받으며, 적어도 하나의 파장에 대한 스펙트럼을 분석하는 분광부를 포함하는 공정 가스 분석 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 집광부는 상기 플레이트의 상면에 격자형 또는 방사형으로 배열되어 형성된 공정 가스 분석 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 집광부는 렌즈(lens)로 형성된 공정 가스 분석 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광 전달부는상기 집광부의 하부에 대응되도록 구비된 수광부를 포함하는 공정 가스 분석 장치
5 5
제 4 항에 있어서,상기 수광부는 광섬유의 일단을 브이컷(V cut)한 형태 또는 렌즈 형태로 형성된 공정 가스 분석 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 수광부가 상기 집광부와 접하는 영역은 상기 플레이트의 상면과 동일 평면 상에 위치하는 공정 가스 분석 장치
7 7
제 4 항에 있어서,상기 광 전달부는 상기 수광부에 일체로 형성된 광섬유 또는 플레나 웨이브 가이드로 구성된 광 전달 경로부를 더 포함하는 공정 가스 분석 장치
8 8
제 1 항에 있어서,상기 분광부는 모노크로미터(Monochoromater)로 구성된 공정 가스 분석 장치
9 9
제 1 항에 있어서,상기 플레이트의 내부에 상기 분광부에 연결되도록 형성되고, 상기 공정 가스에 대한 스펙트럼 데이터를 저장하는 저장부를 더 포함하는 공정 가스 분석 장치
10 10
제 1 항에 있어서,상기 플레이트의 내부에 상기 공정 챔버 외부의 설비와 통신을 수행하도록 구성된 통신부를 더 포함하는 공정 가스 분석 장치
11 11
제 10 항에 있어서,상기 통신부는 블루투스 통신을 수행하는 공정 가스 분석 장치
12 12
제 1 항에 있어서,상기 플레이트의 상부 및 측부를 감싸도록 위치하고, 유리(Glass)를 포함하여 형성되는 커버를 더 포함하는 공정 가스 분석 장치
13 13
제 1 항에 있어서,상기 플레이트의 하면에 형성되는 서포트를 더 포함하는 공정 가스 분석 장치
14 14
제 13 항에 있어서,상기 서포트는 상기 공정 챔버 내에 삽입되는 실제 웨이퍼나 레티클과 대응되는 크기로 형성된 공정 가스 분석 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.