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터치 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014052951
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요약 본 발명은 터치감 및 복원력을 향상시킬 수 있는 터치 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.일례로, 판상으로 형성된 기판; 상기 기판의 상부에 형성되며, 표면에 터치 패턴이 형성된 금속층; 및 상기 기판과 상기 금속층 사이에 형성되며, 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성된 내부층을 포함하는 터치 센서를 개시한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) G01L 1/16 (2006.01)
CPC G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01)
출원번호/일자 1020120136963 (2012.11.29)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1398187-0000 (2014.05.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.29)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최현석 대한민국 충남 천안시 서북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0990371-28
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0751760-73
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1197226-40
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1197225-05
6 등록결정서
Decision to grant
2014.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0290314-22
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
판상으로 형성된 기판;상기 기판의 상부에 형성되며, 표면에 터치 패턴이 형성된 금속층; 및상기 기판과 상기 금속층 사이에 형성되며, 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성된 내부층을 포함하고,상기 금속층은 금 또는 은으로 형성되며,상기 터치 패턴은 상기 금속층을 가열하여 표면에 굴곡이 형성된 것을 특징으로 하는 터치 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 터치 패턴은 물결 형태 또는 요철 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 터치 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 터치 패턴의 간격은 10-90㎛ 인 것을 특징으로 하는 터치 센서
4 4
삭제
5 5
판상으로 형성된 기판;상기 기판의 상부에 형성되며, 표면에 터치 패턴이 형성된 금속층; 및상기 기판과 상기 금속층 사이에 형성되며, 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성된 내부층을 포함하고,상기 금속층은 금 또는 은으로 형성되며,상기 터치 패턴은 상기 금속층을 가압하여 표면에 굴곡이 형성된 것을 특징으로 하는 터치 센서
6 6
삭제
7 7
판상으로 형성된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판의 상면에 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성된 내부층을 형성하는 내부층 형성 단계;상기 내부층의 상면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 단계; 및상기 금속층의 표면에 터치 패턴을 형성하는 터치 패턴 형성 단계를 포함하고,상기 금속층 형성 단계에서는 상기 내부층의 상면에 금 또는 은을 증착하며,상기 터치 패턴 형성 단계에서는 상기 금속층을 가열하여 표면이 굴곡지도록 상기 터치 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 센서의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 터치 패턴 형성 단계에서 상기 터치 패턴은 물결 형태 또는 요철 형태인 것을 특징으로 하는 터치 센서의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
판상으로 형성된 기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판의 상면에 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 형성된 내부층을 형성하는 내부층 형성 단계;상기 내부층의 상면에 금속층을 형성하는 금속층 형성 단계; 및상기 금속층의 표면에 터치 패턴을 형성하는 터치 패턴 형성 단계를 포함하고,상기 금속층 형성 단계에서는 상기 내부층의 상면에 금 또는 은을 증착하며,상기 터치 패턴 형성 단계에서는 상기 금속층을 가압하여 표면이 굴곡지도록 상기 터치 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치 센서의 제조 방법
11 11
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.