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플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지

  • 기술번호 : KST2014052965
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 실리콘 기판의 블랙화 방법 이용한 태양전지용 기판 및 태양전지의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 태양전지용 기판 및 태양전지에 관한 것이다.일례로, 진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및 상기 진공챔버 내에 ClF3 가스를 주입하고 층류(laminar flow)를 형성하여 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 태양전지용 기판의 제조방법을 개시한다.본 발명예 따르면, 위한 기존의 건식공정에서 플라즈마를 형성시키지 않고, 반응성 기체의 층류(laminar flow)를 형성한 상태에서 공정조건을 조정하여 기판을 텍스처링함으로써, 태양전지용 기판 및 태양전지의 생산비용을 절감하고 생산수율이 높이며, 공정시간을 최소화할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020120121420 (2012.10.30)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1502967-0000 (2015.03.10)
공개번호/일자 10-2014-0056661 (2014.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20150317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 대한민국 광주 광산구
2 나현식 대한민국 서울 노원구
3 최연조 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0889186-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.08.08 수리 (Accepted) 9-1-2014-0065223-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0675644-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1157273-94
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-1157272-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
9 등록결정서
Decision to grant		 2015.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0159959-00
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
진공챔버 내에 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 및상기 진공챔버 내에 상기 기판의 식각 작용을 하는 반응성 가스를 가스 투입구를 통해 주입하고, 주입된 상기 반응성 가스가 상기 기판의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 배출구를 통해 배출하여 층류(laminar flow)를 형성함으로써, 상기 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계를 포함하고,상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판의 제조방법
5 5
제 1 도전성 타입의 기판의 일면을 텍스처링하는 기판 텍스처링 단계;상기 기판의 일면 상에 제 1 전극부를 형성하는 제 1 전극 형성단계;상기 기판의 타면 상에 제 2 도전성 타입의 반도체층을 형성하는 반도체층 형성단계; 및상기 반도체층 상에 제 2 전극부를 형성하는 제 2 전극 형성단계를 포함하고,상기 기판 텍스처링 단계는, 상기 기판이 준비된 진공챔버 내에 ClF3 가스를 가스 투입구를 통해 주입하고, 주입된 상기 ClF3 가스가 상기 기판의 표면과 평행한 방향으로 진행되도록 상기 가스 투입구와 마주보는 위치에 형성된 배출구를 통해 배출하여 층류(laminar flow)를 형성함으로써, 상기 기판의 일면을 텍스처링하고, 상기 기판 텍스처링 단계에서 상기 진공챔버 내의 압력은 3 내지 50 Torr인 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 반응성 가스는 ClF3 또는 XeF2를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서,상기 기판 텍스처링 단계는 5 내지 40분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 기판 텍스처링 단계는 15분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지의 제조방법
9 9
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지용 기판
10 10
제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 플라즈마 비적용 건식 에칭에 의한 저반사도 대면적 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.