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기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판의 표면에 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 수소화 비정질 실리콘층을 증착하는 수소화 비정질 실리콘층 형성단계; 및상기 수소화 비정질 실리콘층 상에 전자빔을 조사하여 상기 수소화 비정질 실리콘층을 결정화하여 다결정 실리콘층을 형성하는 다결정 실리콘층 형성단계;를 포함하고,상기 전자빔은 아르곤 가스가 플라즈마에 의해 아르곤 이온과 분리된 전자에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 금속 포일인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 보론이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제3항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 상기 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 상기 보론의 도핑농도가 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 100 내지 350nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 공정 압력 100 내지 500mtorr, 공정 파워 25 내지 100W, 공정 온도 150 내지 300도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 전자빔은 에너지가 1
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제1항에 있어서,상기 전자빔은 조사시간이 30초 내지 120초인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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제1항에 있어서,상기 전자빔은 상기 기판의 표면에 상기 수소화 비정질 실리콘층이 완전히 형성된 후에 조사되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법
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기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판 상에 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 제1+형 수소화 비정질 실리콘층을 증착하는 제1+형 수소화 비정질 실리콘층 증착단계;상기 제1+형 수소화 비정질 실리콘층 상에 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 제1형 수소화 비정질 실리콘층을 증착하는 제1형 수소화 비정질 실리콘층 증착단계;상기 제1형 수소화 비정질 실리콘층에 전자빔을 조사하여 상기 제1형 수소화 비정질 실리콘층과 제1+형 수소화 비정질 실리콘층을 결정화하여 흡수층을 형성하는 흡수층 형성단계;상기 흡수층 상에 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 제2형 수소화 비정질 실리콘층을 증착하는 제2형 수소화 비정질 실리콘층 증착단계; 및상기 제2형 수소화 비정질 실리콘층에 전자빔을 조사하여 상기 제2형 수소화 비정질 실리콘층을 결정화하여 에미터층을 형성하는 에미터층 형성단계를 포함하고,상기 전자빔은 아르곤 가스가 플라즈마에 의해 아르곤 이온과 분리된 전자에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 기판은 유리 기판 또는 금속 포일인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 기판 준비 단계는 버퍼층을 형성하는 버퍼층 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 보론이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 상기 플라즈마 화학기상 증착법을 통하여 상기 보론의 도핑농도가 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 수소화 비정질 실리콘층은 공정 압력이 100 내지 500mtorr, 공정 파워는 25 내지 100W, 공정 온도는 150 내지 300도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전자빔은 에너지가 1
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제10항에 있어서,상기 전자빔은 조사시간이 30초 내지 120초인 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전자빔은 상기 기판의 표면에 상기 수소화 비정질 실리콘층이 완전히 형성된 후에 조사되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법
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제10항 내지 제18항 중 어느 한 항에 기재된 플라즈마 화학기상 증착법으로 형성된 수소화된 비정질 실리콘 박막의 전자빔을 이용한 결정화방법에 의한 다결정 실리콘 박막 태양전지의 제조방법에 의하여 제조되는 다결정 실리콘 박막 태양전지
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