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노(10) 내부에 시편(P)을 장입하고, 진공 분위기에서 노(10) 내의 온도를 예열공정온도로 승온시켜 시편(P)을 가열하는 예열단계와;노(10) 내의 압력을 스퍼터링 공정압력으로 유지시키고, 노(10) 내에 Ar과 H2를 투입하면서 시편(P) 표면을 이온 에칭하는 스퍼터링단계와;노(10) 내의 압력을 연질화 공정압력으로 유지시키고, N2와 H2 및 탄화가스를 투입하되, 상기 시편(P)과 시편(P) 외부에 구비된 스크린망(20)에 전류를 인가하면서 시편(P)의 표면에 경화층 및 화합물층을 형성하는 연질화단계와;노(10) 내의 온도를 침류질화 공정온도로 낮춘 후, H2S를 투입하여 화합물층 위에 침류질화층을 형성하는 침류질화단계; 및노(10) 내부에 N2를 투입하여 시편(P)을 냉각시키는 냉각단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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제 1항에 있어서,상기 스퍼터링단계는, 상기 노(10) 내부의 온도를 570℃ 이하로 유지시키고, 상기 시편(P)과 시편(P) 외부에 구비된 스크린망(20)에 전력을 가해 플라즈마(PS)를 각각 생성한 후, 상기 노(10) 내부를 1
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제 1항에 있어서,상기 연질화단계는, 상기 노(10) 내의 압력을 2torr 이하의 공정압력으로 유지시키고, N2와 H2를 3:1~4:1의 비율로 투입하며, 탄화가스를 전체가스에 대해 1~2중량% 투입하며, 상기 시편(P)과 시편(P) 외부에 구비된 스크린망(20)에 전력을 가해 플라즈마(PS)를 각각 생성하면서 2시간 동안 시편(P)에 플라즈마 연질화처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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제 1항에 있어서,상기 침류질화단계는, 상기 노(10) 내의 온도를 450~550℃의 공정온도로 떨어뜨리고, 노(10) 내의 압력을 2torr 이하의 공정압력으로 유지시키며, N2와 H2를 3:1~4:1의 비율로 투입하고, 탄화가스를 전체가스에 대해 10~20중량% 투입하며, 상기 시편(P)과 시편(P) 외부에 구비된 스크린망(20)에 전력을 가해 플라즈마(PS)를 각각 생성하면서 1~2시간 동안 시편(P)에 플라즈마 침류질화처리하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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제 1항에 있어서,상기 침류질화단계에서 H2S와 함께 탄화가스를 더 투입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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제 2항에 있어서,상기 H2S는 탄화가스에 대해 1 ~ 10배의 부피만큼 투입하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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제 1항에 있어서,상기 탄화가스는 프로판(C3H8), 아세틸렌(C2H2 ), 메탄(CH4) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 질화방법
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시편(P)과;상기 시편(P) 외부에 마련된 플라즈마(PS)에 N2와 H2 및 탄화가스를 통과시켜 질화처리함으로써, 상기 시편(P)의 표면에 형성된 경화층 및 화합물층과;상기 시편(P) 외부에 마련된 플라즈마(PS)에 N2와 H2 및 H2S를 통과시켜 질화처리함으로써, 상기 화합물층의 표면에 형성된 침류질화층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용하여 질화처리된 제품
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