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플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014052970
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉시블 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 플렉시블(flexible) 기판 상부에 전극층을 증착하며, 전극층의 상부에 CIS, CGS, CIGS 단일 타켓을 상온-200℃ 사이의 저온에서 스퍼터링 처리하여 광흡수층을 증착하여 CIS, CGS, CIGS 박막을 제조하되, 플렉시블 기판 상의 성막 온도를 조절하여 구조적·광학적으로 우수한 특성의 플렉시블 박막형 태양전지를 제조하도록 구성된다. 따라서, 본 발명은 단일 스퍼터링 타겟을 이용한 1회 증착 공정으로 간단한 제작이 가능하고, 플렉시블 기판의 변형을 유발하지 않는 저온 공정에서 우수한 흡수층 박막을 얻을 수 있어 높은 효율의 태양전지의 생산이 가능하다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120142026 (2012.12.07)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1441942-0000 (2014.09.12)
공개번호/일자 10-2014-0074441 (2014.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20140925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.07)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주광역시 광산구
2 박재철 대한민국 전남 장성군
3 이승현 대한민국 광주 남구 군
4 이전량 대한민국 광주 서구
5 구보라 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2012-1019140-58
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0004694-88
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0071870-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0299489-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0299492-48
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0594946-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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플렉시블(flexible) 기판;상기 플렉시블 기판 상에 형성된 후면전극층;상기 후면전극층 상에 형성된 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성된 윈도우층; 상기 윈도우층 상에 형성된 반사방지막층; 및상기 후면전극에 대한 상대전극을 포함하여 이루어지고,상기 광흡수층은 CIS(CuInSe2), CGS(CuGaSe2) 및 CIGS(CuInGaSe2) 각각의 단일타겟을 스퍼터링 처리하여 증착되되,상기 CIGS(CuInGaSe2) 단일타겟만을 가지고 증착하여 형성된 CIGS 흡수층 박막은 XRD 분석결과 기판 온도가 증가할수록 결정성이 향상되며 2차 상이 없는 황동광 구조만을 나타내고, 라만 PL 특성에서 피크의 세기가 증가하고 반치폭이 감소하며, 기판 온도가 증가할수록 CIGS 타겟 조성비에 맞는 밴드갭 특성을 나타내고,상기 CIS(CuInSe2)와 CGS(CuGaSe2) 각각의 단일타겟을 동시 증착하여 형성된 CIGS 광흡수층 박막은 XRD 분석결과 기판 온도가 증가할수록 결정성이 향상되며 2차 상이 없는 황동광 구조만을 나타내고, 라만 PL 특성에서 CIS 또는 CGS 영역으로 갈수록 각각의 라만 쉬프트 값에 가까운 특성을 나타내며, 기판 온도가 증가할수록 인듐(In), 갈륨(Ga) 조성비에 따라 광학적 밴드갭에 일정하게 분포함을 특징으로 하는 플렉시블 박막형 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플렉시블 기판은 투명한 폴리에틸렌설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI) 및 스테인리스 스틸 중 어느 하나의 재질로 된 것을 특징으로 하는 플렉시블 박막형 태양전지
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 광흡수층은 CIS와 CGS 단일타겟을 상온 내지 200℃ 사이의 저온의 기판 온도에서 상기 플렉시블 기판 위에 동시 증착하여 인듐(In), 갈륨(Ga) 조성비에 따라 결정학적으로 안정된 박막이 형성됨을 특징으로 플렉시블 박막형 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 CIGS 단일타겟은 구리(Cu):인듐(In):갈륨(Ga):셀렌(Se)의 조성비가 1:0
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(1) 플렉시블 기판 상부에 전극층을 증착하는 단계; 및(2) 상기 전극층이 증착된 플렉시블 기판에 CIS(CuInSe2), CGS(CuGaSe2) 및 CIGS(CuInGaSe2) 각각의 단일타겟을 스퍼터링 처리하여, 광흡수층을 증착하는 단계를 포함하며,상기 단계 (2)는 상기 CIS(CuInSe2)와 CGS(CuGaSe2) 각각의 단일타겟을 플렉시블 기판 위에 동시 증착하여 CIS-CGS 흡수층 박막을 형성하고, 상기 CIGS(CuInGaSe2) 단일타겟만을 가지고 플렉시블 기판 위에 증착하여 CIGS 흡수층 박막을 형성하되,상기 CIGS 흡수층 박막은 XRD 분석결과 기판 온도가 증가할수록 결정성이 향상되며 2차 상이 없는 황동광 구조만을 나타내고, 라만 PL 특성에서 피크의 세기가 증가하고 반치폭이 감소하며, 기판 온도가 증가할수록 CIGS 타겟 조성비에 맞는 밴드갭 특성을 나타내고,상기 CIS-CGS 흡수층 박막은 XRD 분석결과 기판 온도가 증가할수록 결정성이 향상되며 2차 상이 없는 황동광 구조만을 나타내고, 라만 PL 특성에서 CIS 또는 CGS 영역으로 갈수록 각각의 라만 쉬프트 값에 가까운 특성을 나타내며, 기판 온도가 증가할수록 인듐(In), 갈륨(Ga) 조성비에 따라 광학적 밴드갭에 일정하게 분포함을 특징으로 하는 플렉시블 박막형 태양전지 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 CIS-CGS 흡수층 박막은 Ga/(In+Ga)의 조성비가 0
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제 5항에 있어서, 상기 스퍼터링 처리는 파워 100W(1
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.