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ＣＧＳ박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 ＣＧＳ박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014052990
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CGS 박막 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 CGS 박막 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 기판 상부에 전극층을 증착하고, 전극층의 상부에 구리(Cu), 갈륨(Ga) 및 셀렌(Se)을 포함하는 단일타겟을 스퍼터링 처리하여 광흡수층을 증착하여 CGS 박막을 제조하며, 이를 이용하여 구조적, 광학적, 전기적으로 특성이 우수한 CGS 박막 태양전지를 제조하도록 구성된다. 따라서, 본 발명은 CGS(CuGaSe2) 단일 스프터링 타겟을 이용한 단 한 번의 공정으로 CGS계 광흡수층을 형성할 수 있어 공정의 간소화뿐 아니라 경제성 및 효율성 측면에서 매우 유리한 효과를 기대할 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020120103120 (2012.09.18)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1410672-0000 (2014.06.17)
공개번호/일자 10-2014-0037409 (2014.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태원 대한민국 광주 광산구
2 박재철 대한민국 전남 장성군
3 김호성 대한민국 경기 수원시 영통구
4 오익현 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조의제 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 재승빌딩 *층 (역삼동)(프라임특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0753268-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0847287-51
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2014-0106993-30
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0207783-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0207798-24
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0348622-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1) 기판을 준비하는 단계;(2) 상기 기판 상부면에 전극층을 형성시키는 단계; 및(3) 상기 전극층의 상부면에 구리(Cu), 갈륨(Ga) 및 셀렌(Se)을 포함하는 단일타겟의 스퍼터링 처리를 통한 단일공정으로, CGS계 광흡수층을 증착 형성시키는 단계를 포함하며,상기 단일타겟은 CuGaSe2로, 구리(Cu)의 조성비를 0
2 2
제 1항에 있어서, 상기 단계 (3)은 구리(Cu), 갈륨(Ga) 및 셀렌(Se)이 포함된 단일타겟을 이용하여 RF 스퍼터링 또는 DC 스퍼터링 처리하여, 상기 광흡수층을 증착하는 것을 특징으로 하는 CGS 박막 제조방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 스퍼터링 처리조건은 상온 내지 550℃ 사이의 온도에서 상기 단일타겟의 단위면적(㎠)당 1
4 4
제 3항에 있어서, 상기 스퍼터링 처리시 공정압력은 0
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 단일타겟은 상기 기판과의 거리가 100㎜ 내지 150㎜인 것을 특징으로 하는 CGS 박막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 광흡수층의 박막 두께는 0
8 8
제 1항 내지 제 4항, 제 6항, 제 7항 중 어느 한항의 제조방법으로 제조된 CGS 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101410671 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101410673 KR 대한민국 FAMILY
3 US20150263210 US 미국 FAMILY
4 WO2014042319 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
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