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실리콘 박막 태양전지의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 실리콘 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014053071
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 실리콘 박막 태양전지에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 투명 기판과 전극층 사이에 산화알루미늄 막을 형성하여, 실리콘 박막 태양전지의 반사율을 감소시킴으로써, 효율을 증가시키는데 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/075 (2006.01.01) H01L 31/0236 (2006.01.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020110123709 (2011.11.24)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1274336-0000 (2013.06.05)
공개번호/일자 10-2013-0057788 (2013.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.24)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강동원 대한민국 서울특별시 광진구
2 한민구 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서만규 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)
2 서경민 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동, 현죽빌딩)(특허법인성암)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0933162-88
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0111738-12
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0961753-52
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0138306-01
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0246667-76
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.03.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0246668-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0372890-65
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판 상에 산화알루미늄 막을 형성하는 산화알루미늄 막 형성 단계;상기 산화알루미늄 막상에 제1전극층을 적층하여 형성하는 제1전극층 형성 단계;상기 제1전극층 상에 제1반사 방지막을 형성하는 제1반사 방지막 형성 단계;상기 제1반사 방지막 상에 실리콘층을 형성하는 실리콘층 형성 단계; 및상기 실리콘층 상에 제2전극층을 적층하여 형성하는 제2전극층 형성 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 산화알루미늄 막 형성 단계에서는상기 산화알루미늄 막을 상기 투명기판의 상면에 20 내지 80 nm의 두께로 형성하는 것은 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 산화알루미늄 막 형성 단계에서는상기 산화알루미늄 막을 RF 마그네트론 스퍼터를 이용하여, 상기 투명 기판에 증착하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제1전극층 형성 단계에서 형성된 상기 제1전극층은 투명 전극층으로 알루미늄이 도핑된 산화 아연(AZO)인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
5 5
청구항 4에 있어서,상기 제1전극층 형성단계에서는 상기 제1전극층을 상기 산화알루미늄 막 상면에 1 내지 1
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제1전극층 형성 단계에서는상기 제1전극층을 형성한 후에 상기 제1전극층의 상면을 습식 식각액에 의해 식각하여 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서,상기 습식 식각액은 염화수소 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 제1반사 방지막은 니오븀이 도핑된 이산화 타이타늄(NTO)인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 실리콘층 형성 단계 이전에는상기 제1반사방지막 상에 상기 제1반사방지막을 보호하기 위한 보호막을 형성하는 보호막 형성단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 보호막은 알루미늄이 도핑된 산화 아연(AZO)인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
11 11
청구항 1에 있어서,상기 실리콘층은 pin구조의 미세 결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
12 12
청구항 1에 있어서,상기 제2전극층 형성 단계 이전에 상기 실리콘층 형성단계에서 형성된 상기 실리콘층 상에 제2반사 방지막을 형성하는 제2반사 방지막 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
13 13
청구항 12에 있어서,제2반사 방지막 형성 단계에서 형성된 상기 제2반사 방지막은 알루미늄이 도핑된 산화 아연(AZO)과, 은이 순차적으로 적층된 다층 박막인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
14 14
청구항 1에 있어서,상기 제2전극층 형성 단계에서 형성된 상기 제2전극층은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법
15 15
청구항 1항 내지 청구항 14항 중 선택된 어느 한 항의 실리콘 박막 태양전지의 제조 방법으로 제조된 실리콘 박막 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.