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광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053105
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 광소자는 투명한 비정질의 기판; 상기 기판 상에 형성된전류주입층; 상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및 상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하고, 비정질 기판에 흑연층을 형성한 후 반도체부를 형성함으로써, 종래의 비정질 기판에 반도체부 형성의 문제점을 보완할 수 있으며, 우수한 결정성을 갖는 반도체부를 형성할 수 있는 광소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 33/02 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110081270 (2011.08.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1267450-0000 (2013.05.20)
공개번호/일자 10-2013-0019233 (2013.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.16)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규철 대한민국 서울특별시 송파구
2 정건욱 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안상희 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)
2 홍장원 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)(특허법인 하나)
3 남준욱 대한민국 경기도 성남시 분당구 대왕판교로***, A동 ***호(삼평동, 유스페이스*)(특허법인지담)
4 특허법인 하나 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0631721-06
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0078092-06
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0763825-52
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0828209-05
6 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0845469-02
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0376704-04
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2012-0063767-60
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503577-84
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0799378-66
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0799379-12
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
14 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0115321-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광소자에 있어서,투명한 비정질의 기판;상기 기판 상에 형성된 전류주입층;상기 전류주입층 상에 형성된 흑연층; 및상기 흑연층 상에 형성된 반도체부를 포함하는 광소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 전류주입층은 도전성 있는 물질로 이루어지는 광소자
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기판은 1000℃ 이상의 고온에서 물리적, 화학적 작용에 의한 변형이 제한되고, 가시광선 영역의 빛이 투과되는 재질인 광소자
5 5
제1 항에 있어서,상기 반도체부는 미세 막대, 미세 바늘, 미세 튜브, 미세 벽, 및 박막으로 이루어진 군에서 선택되는 구조체를 포함하는 광소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 반도체부는 상기 흑연층 상의 데미지부로부터 성장하여 형성된 것인 광소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 흑연층 상에는 하나 이상의 개구부가 패터닝된 마스크층이 형성되고,상기 데미지부는 상기 개구부를 통해 형성할 수 있는는 광소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 반도체부의 표면에 형성되는 광소자층을 더 포함하는 광소자
9 9
제 8 항에 있어서,상기 광소자층은 제 1 광소자층, 제 2 광소자층 및 상기 제1 광소자층과 상기 제2 광소자층 사이에 형성된 우물층을 포함하며,상기 제1 광소자층은 n형 반도체 및 p형 반도체 중 하나로 형성되고, 상기 제2 광소자층은 상기 n형 반도체 및 상기 p형 반도체 중 다른 하나로 형성되는 광소자
10 10
제 9 항에 있어서,상기 n형 반도체는 실리콘, 게르마늄, 셀레늄, 텔루르 및 탄소로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 불순물이 도핑된 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄 또는 질화인듐갈륨을 포함하고,상기 p 형 반도체는 마그네슘, 아연 및 벨리륨으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 불순물이 도핑된 질화갈륨, 질화알루미늄, 질화갈륨알루미늄 또는 질화인듐갈륨을 포함하는 광소자
11 11
제 8 항에 있어서,상기 광소자층의 상측에 형성되는 전극층을 더 포함하는 광소자
12 12
제 11 항에 있어서,상기 전류주입층은 제 1 전극층이고, 상기 전극층은 제 2 전극층인 광소자
13 13
광소자 제조방법에 있어서,투명한 비정질의 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 전류주입층을 형성하는 단계;상기 전류주입층 상에 흑연층을 형성하는 단계; 및상기 흑연층 상에 반도체부를 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 전류주입층을 형성하는 단계에서 상기 전류주입층은 금속증착법, 열증착법, 전자빔증착법, 및 스퍼터링 중 적어도 하나의 방법에 의해 형성되는 광소자 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 흑연층을 형성하는 단계에서 상기 흑연층은 화학기상증착법에 의해 형성되는 광소자 제조방법
16 16
제 13 항에 있어서,상기 흑연층 상에 상기 반도체부의 성장을 위한 데미지부를 형성하는 단계를 더 포함하는 광소자 제조방법
17 17
제16항에 있어서,상기 데미지부는 가스 플라즈마, 이온빔, 전자빔, 양성자빔, 및 중성자빔으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 방법의 조합에 의해 형성되는 것인 광소자 제조방법
18 18
제 16 항에 있어서,상기 데미지부를 형성하는 단계는,상기 흑연층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 하나 이상의 개구부를 형성하는 단계;상기 데미지부를 상기 개구부를 통해 상기 흑연층 상에 형성하는 단계를 포함하는 광소자 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 개구부를 형성하는 단계는 전자빔 리소그래피, 포토리소그래피, 나노임프린트, 및 레이저 간섭 리소그래피 중 적어도 하나의 방법을 이용하는 단계인 것인 광소자 제조방법
20 20
제 13 항에 있어서,상기 반도체부에 광소자층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광소자 제조방법
21 21
제20항에 있어서,상기 전류주입층은 제1 전극층이고,상기 광소자층의 표면에 제2 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 광소자 제조방법
22 22
삭제
23 23
제 21 항에 있어서, 상기 제 2 전극층은 빛을 투과시키거나 반사시킬 수 있는 두께로 형성되는 광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US09444006 US 미국 FAMILY
2 US20140291690 US 미국 FAMILY
3 WO2013025043 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2014291690 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9444006 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교산학협력단 창의적연구진흥사업 반도체 나노 막대 연구단