| 요약 |
본 발명은 전자기재료로서 사용 가능성이 있는 마그네슘 비정질 합금 자성재료에 관한 것으로, 일반식 Mg100-x-yAxBy(x,y는 원자량%로서 2.5≤x≤35, 2.5≤y≤40)로 표시되고, 상기 A는 Cu, Ni, Co, Zn, Al 및 Ag 을 포함하는 전이금속 중에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 B는 희토류원소 중에서 선택되는 하나 이상이되, Gd, Nd, Tb, Er, Dy, Ho, Tm 및 Sm 을 포함하는 자성희토류원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하며, 최대 포화자화값이 10 emu/g 이상인 비정질 합금인 것을 특징으로 한다.본 발명의 다른 형태에 의한 마그네슘 비정질 합금 자성재료는, 일반식 Mg100-x-yAxBy(x,y는 원자량%로서 2.5≤x≤35, 20003c#y≤40)로 표시되고, 상기 A는 Cu, Ni, Co, Zn, Al 및 Ag 을 포함하는 전이금속 중에서 선택되는 하나 이상이고, 상기 B는 희토류원소 중에서 선택되는 하나 이상이되, Gd, Nd, Tb, Er, Dy, Ho, Tm 및 Sm 을 포함하는 자성희토류원소 중에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.본 발명은, 초경량의 구조재료인 마그네슘 합금에 자성특성을 부여함으로써, 내구성이 필요한 경량의 자성소자에 적용할 수 있는 효과가 있다.
|
