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태양전지의 배면전극용 Mo 스퍼터링 타겟 소재 개발

  • 기술번호 : KST2014053273
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIGS 태양전지요 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법에 관한 것으로서, 몰리브덴 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 충진하는 단계와, 몰리브덴 분말이 충진된 몰드를 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버 내부에 장착하는 단계와, 챔버 내부를 진공화하는 단계와, 몰드 내의 몰리브덴 분말에 일정한 압력을 유지하면서 설정된 승온패턴에 따라 승온시키면서 최종 목표온도에 도달할 때까지 성형하는 성형 단계와, 최종 목표온도를 1 내지 10분 더 유지하는 단계와, 일정 압력을 유지하면서 상기 챔버 내부를 냉각하는 냉각 단계를 포함한다. 이러한 CIGS 태양전지용 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법에 의하면, 방전 플라즈마 소결 공정을 이용하여 스퍼터링 타겟에 적합하게 소결체 제조시 고밀도화가 가능하고 단일 공정으로 짧은 시간에 입자 성장이 거의 없는 균질한 조직, 및 고순도를 갖는 소결체를 제조할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2014.01) C23C 14/14 (2014.01) B22F 3/10 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110020586 (2011.03.08)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-1259599-0000 (2013.04.24)
공개번호/일자 10-2012-0102430 (2012.09.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오익현 대한민국 광주광역시 북구
2 박현국 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
3 이승민 대한민국 광주광역시 북구
4 양준모 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이재량 대한민국 광주광역시 광산구 하남산단*번로 ***, *층(도천동, 광주경제고용진흥원)(가온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0168177-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005552-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2012-5068733-13
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090658-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0606577-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-1012985-03
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1012993-68
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2013-5017806-08
10 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0242211-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5006834-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
가
3 3
제2항에 있어서, 상기 라 단계는 상기 몰드 내부의 압력을 50 내지 70 MPa로 유지하고, 라-1
4 4
제3항에 있어서, 상기 가 단계는 상기 몰리브덴 분말을 상기 몰드 내에 충진하고 성형 프레스를 이용하여 1400 내지 1600 kgf의 압력으로 예비 가압을 하고 1 내지 10분간 유지시키는 예비가압과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지용 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 몰드 내에 전계를 인가하기 위한 상기 챔버 내의 상부전극과 상기 몰드 내에 상방향에서 진입되는 상부 펀치 사이에는 그레파이트 소재로 된 복수 개의 상부 스페이서가 상기 상부 펀치를 향할 수록 외경이 작게 형성된 것이 적용되고, 상기 챔버 내의 하부전극과 상기 몰드 내에 하방향에서 진입되는 하부 펀치 사이에는 그레파이트 소재로 된 복수 개의 하부 스페이서가 상기 하부 펀치를 향할수록 외경이 작게 형성되어 있고,상기 상부 스페이서는 상기 상부전극으로부터 상기 상부 펀치 방향으로 원형상으로 형성된 제1상부 스페이서와, 제2 상부 스페이서 및 제3상부 스페이서가 마련되어 있고, 상기 하부 스페이서는 상기 챔버 내의 하부전극으로부터 몰드 방향으로 원형상으로 형성된 제1하부 스페이서와, 제2 하부 스페이서 및 제3하부 스페이서가 마련되어 있으며, 상기 제1 상부 스페이서 및 상기 제1하부 스페이서는 직경이 350mm, 두께가 30mm이고, 상기 제2 상부 스페이서 및 상기 제2하부 스페이서는 직경이 300mm, 두께가 60mm이고, 상기 제3 상부 스페이서 및 상기 제3하부 스페이서는 직경이 200 내지 250mm, 두께가 30 내지 60mm인 것이 적용된 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지용 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 다 단계는상기 몰리브덴 분말의 산화 및 가스나 불순물로 인한 제2상의 형성을 억제하기 위하여 1X100 Pa 내지 1X10-3 Pa 로 상기 챔버 내부를 진공화하고,상기 바단계는 상기 몰드의 내부를 50 내지 70 MPa의 압력을 유지하면서 냉각시키는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 태양전지용 몰리브덴 스퍼터링 타겟 제조방법
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1 JP05789002 JP 일본 FAMILY
2 JP26514438 JP 일본 FAMILY
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4 US20130336831 US 미국 FAMILY
5 WO2012121542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2012121542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 JP2014514438 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5789002 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2013336831 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9506141 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2012121542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2012121542 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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