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다중발광소자 및 이를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014053381
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중발광소자 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 기판 상에 위치한 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치한 제1형 반도체층; 상기 제1형 반도체층 상에 위치하되, 상기 제1형 반도체층의 일부가 노출되도록 패턴화된 제1활성층; 상기 제1활성층에 의해 노출된 제1형 반도체층 상에 위치한 제2활성층; 및 상기 제1활성층 및 제2활성층 상에 위치하는 제2형 반도체층;을 포함하며, 상기 제1활성층과 제2활성층은 수평적으로 반복하여 배치되는 것을 특징으로 하는 다중발광소자가 제공된다.
Int. CL H01L 33/08 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100023611 (2010.03.17)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1122020-0000 (2012.02.23)
공개번호/일자 10-2011-0104627 (2011.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.17)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
2 김재범 대한민국 광주광역시 광산구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0168188-96
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0209653-56
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0207910-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0308702-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0558270-69
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0558271-15
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0080904-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 위치한 버퍼층;상기 버퍼층 상에 위치한 제1형 반도체층;상기 제1형 반도체층 상에 위치하되, 상기 제1형 반도체층의 일부가 노출되도록 패턴화된 제1활성층;상기 패턴화된 제1활성층에 의해 노출된 제1형 반도체층 상에 위치하며, 상기 제1활성층과 동일한 구성 성분을 가지되, 상기 구성 성분의 조성비가 다른 제2활성층; 및상기 제1활성층 및 제2활성층 상에 위치하는 제2형 반도체층;을 포함하며,상기 제1활성층과 제2활성층은 수평적으로 반복하여 배치되는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층과 제1형 반도체층 사이에는 씨드층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층을 사이에 두고 이웃하는 적어도 두 개의 제2활성층을 구비하며, 상기 이웃하는 적어도 두 개의 제2활성층은 상기 제1활성층에 의해 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층 또는 제2활성층은 다중 양자 우물 구조(Multiple Quantum Wells)인 것을 특징으로 하는 다중발광소자
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1활성층은 적어도 한 층의 베리어(barrier)층 및 적어도 한 층의 웰(well)층을 구비하고 있되, 상기 베리어층과 웰층은 교대로 적층되어 있으며,상기 베리어층은 Alx1Ga1-x1-y1Iny1N(0＜x1＜1, 0＜y1＜1, x1+y1＜1)을 포함하며, 상기 웰층은 Alx2Ga1-x2-y2Iny2N (0＜x2＜1, 0＜y2＜1, x2+y2＜1 x2＜x1, y2＜y1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제2활성층은 적어도 한 층의 베리어층 및 적어도 한 층의 웰층을 구비하고 있되, 상기 베리어층과 웰층은 교대로 적층되어 있으며,상기 상기 베리어층은 Alx3Ga1-x3-y3Iny3N(0＜x3＜1, 0＜y3＜1, x3+y3＜1)을 포함하며, 상기 웰층은 Alx4Ga1-x4-y4Iny4N (0＜x4＜1, 0＜y4＜1, x4+y4＜1 x4＜x3, y4＜y3)을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층은 적어도 한 층의 베리어층 및 적어도 한 층의 웰층을 구비하고 있고, 상기 제2활성층은 적어도 한 층의 베리어층 및 적어도 한 층의 웰층을 구비하고 있되, 상기 제1활성층 또는 제2활성층의 상기 베리어층과 웰층은 교대로 적층되어 있으며,상기 베리어층은 5 내지 15nm의 두께이고, 상기 웰층은 1 내지 3nm의 두께인 것을 특징으로 하는 다중발광소자
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층은 평면상에서 일정 폭을 갖는 직선 형태의 패턴, 일정 폭을 갖는 원 형태의 패턴 및 일정 폭을 갖는 사각 형태를 포함하는 다각 형태의 패턴 중 어느 하나 이상의 형태로 상기 제1형 반도체층의 일부가 노출되도록 패턴화되어 있는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
9 9
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층과 제2형 반도체층 사이에는 마스크 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층에서 방출되는 제1파장의 광과 상기 제2활성층에서 방출되는 제2파장의 광이 서로 결합하여 생성된 제3파장의 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
11 11
제 1 항에 있어서,상기 제1활성층의 폭, 너비 또는 직경은 λ1/4n1(이때, 상기 λ1은 제1활성층에서 방출되는 광의 제1파장, 상기 n1은 제1활성층의 굴절률)의 조건에 만족하고,상기 제2활성층의 폭, 너비 또는 직경은 λ2/4n2(이때, 상기 λ2은 제2활성층에서 방출되는 광의 제2파장, 상기 n2은 제2활성층의 굴절률)의 조건에 만족하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자
12 12
기판 상에 버퍼층, 제1형 반도체층 및 제1활성층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 제1형 반도체층의 일부를 노출시키도록 상기 제1활성층을 식각하여 패턴화된 제1활성층을 형성하는 단계;상기 패턴화된 제1활성층에 의해 노출된 상기 제1형 반도체층 상에, 상기 제1활성층과 동일한 구성 성분을 가지되, 상기 구성 성분의 조성비가 다른 제2활성층을 형성하는 단계; 및상기 패턴화된 제1활성층 및 제2활성층 상에 제2형 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 제1활성층과 제2활성층은 수평적으로 반복하여 배치되어 형성되는 것을 특징으로 하는 다중발광소자 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 패턴화된 제1활성층을 형성하는 단계는,상기 제1활성층 위에 마스크층을 적층하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 이용하여 상기 제1형 반도체층의 일부를 노출시키도록 상기 제1활성층을 식각하여 패턴화된 제1활성층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자 제조 방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 버퍼층은 450 내지 600℃의 온도에서 형성하고, 상기 제1형 반도체층 또는 제2형 반도체층은 1000 내지 1100℃의 온도에서 형성하고, 상기 제1활성층 또는 제2활성층은 700 내지 850℃의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자 제조 방법
15 15
제 12 항에 있어서, 상기 순차적으로 적층하는 단계에서,상기 버퍼층과 제1형 반도체층 사이에 씨드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자 제조 방법
16 16
제 13 항에 있어서,상기 제2활성층을 형성하는 단계와 상기 제2형 반도체층을 형성하는 단계 사이에,상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다중발광소자 제조 방법
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4 US20140246649 US 미국 FAMILY
5 WO2011115414 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2011115414 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2012319081 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014246649 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8765505 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9508897 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2011115414 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2011115414 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 한국광기술원 IT 산업원천기술개발사업 Al-nitirde 기반 280nm 자외선 LED칩 개발