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공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 및 온도센서 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053392
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 공중부유형 탄소나노와이어를 통하여 특정 가스의 농도를 검지하는 센서를 제조하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법에 관한 것으로, (a) 실리콘 기판 상측의 복수개의 전극영역에 1차 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 실리콘 기판을 식각하는 단계; (c) 상기 1차 절연층 및 실리콘 기판의 식각영역에 2차 절연층을 적층하는 단계; (d) 상기 1차 절연층 및 상기 식각영역 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (e) 상기 전극영역을 1차 노광하는 단계; (f) 상기 전극영역 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 전극 영역을 연결하는 마이크로 사이즈의 와이어 형태로 2차 노광하는 단계; (g) 상기 (e), (f) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 에칭하는 단계; (h) 에칭 과정 이후 남아있는 상기 전극 영역 및 마이크로 사이즈의 와이어를 열분해하여 일체형 탄소 전극과 탄소나노와이어를 형성하는 단계; 및 (i) 상기 탄소나노와이어에 가스 감지 물질을 적층하는 단계를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법을 제공한다.
Int. CL G01K 7/16 (2006.01) G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020120052309 (2012.05.17)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1403406-0000 (2014.05.28)
공개번호/일자 10-2013-0033939 (2013.04.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110097433   |   2011.09.27
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신흥주 대한민국 울산 울주군
2 허정일 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 마크 마두 미국 어바인 캘리포니아 공대, 엔지니어링 게이트
4 임영진 대한민국 부산 사하구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인태백 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** 이노플렉스 *차 ***호

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0393990-88
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0054035-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0517955-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0794707-68
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0794705-77
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0054043-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0184698-83
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0184693-55
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0350885-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.03.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0275469-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판 상측의 복수개의 전극영역에 1차 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 기판을 식각하는 단계; (c) 상기 1차 절연층 및 기판의 식각영역에 2차 절연층을 적층하는 단계; (d) 상기 1차 절연층 및 상기 식각영역 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (e) 상기 전극영역을 1차 노광하는 단계; (f) 상기 전극영역 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 전극 영역을 연결하는 마이크로 사이즈의 와이어 형태로 2차 노광하는 단계; (g) 상기 (e), (f) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 에칭하는 단계; (h) 에칭 과정 이후 남아있는 상기 전극 영역 및 마이크로 사이즈의 와이어를 열분해하여 일체형 탄소 전극과 탄소나노와이어를 형성하는 단계; 및 (i) 상기 탄소나노와이어에 가스 감지 물질을 적층하는 단계를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
2 2
청구항 1에서, 상기 (a) 단계는, (a-1) 상기 기판 상면에 1차 절연층을 적층하는 단계 및 (a-2) 1차 절연층을 선택적으로 식각하는 단계를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
3 3
청구항 1에서 상기 (b) 단계는, 상기 기판을 등각 식각하는 것을 특징으로 하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 (b)단계의 식각에 의하여 제거되는 상기 기판의 식각영역의 일단은, 측면방향으로 오목하게 들어가도록 형성되는 것을 특징으로 하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트는, SU-8 인 것을 특징으로 하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 (h) 단계에서, 상기 탄소나노와이어의 폭은 100nm ~ 800 nm이고, 높이는 100nm ~ 800nm이며, 길이는 20μm ~ 150μm으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노와이어를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 (i) 단계에서,상기 가스 감지 물질은 팔라듐 또는 백금인 것을 특징으로 하는 탄소나노와이어를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 가스센서 제조방법
8 8
(a) 기판 상측의 복수개의 전극영역에 1차 절연층을 형성하는 단계; (b) 상기 기판을 식각하는 단계; (c) 상기 1차 절연층 및 기판의 식각영역에 2차 절연층을 적층하는 단계; (d) 상기 1차 절연층 및 상기 식각영역 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; (e) 상기 전극영역을 1차 노광하는 단계; (f) 상기 전극영역 사이의 포토레지스트 상부를 와이어 형태의 포토마스크를 통하여 상기 전극 영역을 연결하는 마이크로 사이즈의 와이어 형태로 2차 노광하는 단계; (g) 상기 (e), (f) 단계에서 노광된 부분을 제외한 나머지 부분의 포토레지스트를 에칭하는 단계; (h) 에칭 과정 이후 남아있는 상기 전극 영역 및 마이크로 사이즈의 와이어를 열분해하여 일체형 탄소 전극과 탄소나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는 공중부유형 탄소 나노와이어 기반 온도센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 울산과학기술대학교 산학협력단 기초연구사업-일반연구자지원사업 이중 미소전극이 장착된 다기능성 SECM-AFM 프루브 개발
2 교육과학기술부 울산과학기술대학교 산학협력단 세계수준의 연구중심대학 육성사업 (3차년도)차세대 맞춤형 의료 진단을 위한 나노생명과학 기술 개발