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적층결함이 제거된 III족 질화물 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053396
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 적층결함(stacking fault)이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광전기화학(Photoelectrochemical) 에칭방법 또는 측면성장방법을 이용하여 적층결함(stacking fault)을 제거하는 무극성 또는 반극성(semi-polar) Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법에 관한 것이다.이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 제1Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 제1Ⅲ족 질화물층 상에 복수개의 캐비티가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계; 상기 단계에서 형성된 소자를 전해액에 담고, 소정의 빛에너지를 조사하는 단계; 및 광전기화학반응을 통하여 상기 제2Ⅲ족 질화물층표면에 존재하는 적층결함부분을 식각하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01) H01L 33/02 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020110101569 (2011.10.06)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1271723-0000 (2013.05.22)
공개번호/일자 10-2013-0037265 (2013.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130604) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.06)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 황남 대한민국 광주광역시 광산구
4 김자연 대한민국 광주광역시 광산구
5 백종협 대한민국 대전광역시 서구
6 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
7 송재철 대한민국 전라북도 전주시 완산구
8 오화섭 대한민국 광주광역시 광산구
9 정탁 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0778844-60
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0088241-97
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0034811-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0222269-56
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0222268-11
7 등록결정서
Decision to grant
2013.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0349066-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
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번호 청구항
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(a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판(110) 상에 제1Ⅲ족 질화물층(120)을 형성하는 단계;(b) 상기 (a) 단계에서 형성된 제1Ⅲ족 질화물층(120) 상에 복수개의 캐비티(150)가 내부에 형성된 제2Ⅲ족 질화물층(140)을 형성하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계에서 형성된 제2Ⅲ족 질화물층(140) 상에 복수개의 캐비티(150')가 내부에 형성된 제3Ⅲ족 질화물층(160)을 형성하는 단계; 를 포함하되,상기 (c) 단계는,상기 (b) 단계에 의해 형성된 제2Ⅲ족 질화물층(140)상에 존재하는 적층결함부분 상에 캐비티(150')가 형성되도록 제3Ⅲ족 질화물층(160)을 형성하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 (b) 단계는,(b-1) 상기 제1Ⅲ족 질화물층(120) 상에 패턴화된 마스크층(130)을 형성하는 단계; 및(b-2) 상기 (b-1) 단계를 통해 형성된 마스크층(130) 상에 Ⅲ족 질화물 층을 측면 성장시키는 단계; 를 포함하는 적층결함이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 (c) 단계는 ,(c-1) 상기 제2Ⅲ족 질화물층(140) 상에 패턴화된 마스크층(130')을 형성하는 단계; 및(c-2) 상기 (c-1) 단계를 통해 형성된 마스크층(130') 상에 Ⅲ족 질화물 층을 측면 성장시키는 단계; 를 포함하는 적층결함이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 마스크층(130,130')은 (1-100) 방향으로 패턴화 된 것을 특징으로 하는 적층결함이 제거된 Ⅲ족 질화물 기판의 제조방법
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1 지식경제부 한국광기술원 산업원천기술개발사업 모바일 융합기기용 5W급 풀칼라(R.G.B) 레이져 다이오드 및 모듈개발