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화학적 리프트 오프 방법을 이용한 III족 질화물 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053397
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 구체예에서 개시된 무극성 또는 반극성 III족 질화물 층은 각종 전자 소자의 기판 용도로 사용될 수 있는 바, 종래의 극성 III족 질화물 기판의 문제점을 완화 또는 해소할 수 있을 뿐만 아니라, 화학적 리프트 오프 방식에 의하여 제조될 수 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100110517 (2010.11.08)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1105868-0000 (2012.01.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.08)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 백종협 대한민국 대전광역시 서구
5 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
6 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0727777-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091301-75
4 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0723364-25
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판 상에 제1 III족 질화물 층을 형성하는 단계;b) 1 또는 2 이상의 캐비티가 내부에 형성된 제2 III족 질화물 층을 측면 성장(lateral growth) 방식에 의하여 상기 제1 III족 질화물 층 상에 형성하는 단계;c) 상기 제2 III족 질화물 층 상에 제3 III족 질화물 층을 형성하는 단계; 및d) 상기 제2 III족 질화물 층의 적어도 일부 두께에 대한 화학적 에칭을 수행하여 분리된 제3 III족 질화물 층을 얻는 단계;를 포함하며,상기 캐비티 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타내는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하는 기판은 m-면 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 III족 질화물 층은 (11-22) 방향의 반극성 층인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 측면 성장 방식은 ELOG(epitaxial lateral overgrowth) 방식인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 단계 b)는,(i) 상기 제1 III족 질화물 층 상에 패턴화된 마스크 층을 형성하는 단계; 및(ii) 상기 패턴화된 마스크 층이 형성된 제1 III족 질화물 층 상에 III족 질화물 층을 측면 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 마스크 층은 (1-100) 방향으로 패턴화된 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 마스크 층은 SiO2 또는 SiNx 재질인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 마스크 층은 스트라이프 패턴으로 형성되고, 상기 스트라이프의 폭 및 스트라이프 간격은 각각 2 내지 50 ㎛ 및 2 내지 20 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제3 III족 질화물 층은 HVPE에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 제3 III족 질화물 층의 두께는 적어도 200 ㎛인 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
11 11
제1항에 있어서,상기 화학적 에칭은 용융 알칼리 염 내에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 화학적 에칭은 400 내지 600 ℃의 온도 조건 하에서 0
13 13
a) 실리콘(Si) 기판 상에 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면을 제공하도록 이방성 에칭(anisotropic etching)을 수행하는 단계;b) 상기 에칭된 실리콘 기판 상에 1 또는 2 이상의 캐비티를 형성하면서 III족 질화물 층을 성장시키는 단계;c) 상기 단계 b)에서 성장된 III족 질화물 층 상에 III족 질화물 층을 형성하는 단계; 및d) 상기 단계 b)에서 성장된 III족 질화물 층의 적어도 일부 두께에 대한 화학적 에칭을 수행함으로써 상기 단계 c)에서 형성된 III족 질화물 층을 분리하는 단계;를 포함하며, 상기 무극성 또는 반극성 에피탁시층의 성장 표면은 (111) 파셋(facet)을 갖고, 그리고 상기 캐비티 내면의 적어도 일 영역이 N-극성을 나타내는 것을 특징으로 하는 III족 질화물 기판의 제조방법
14 14
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따라 제조된 III족 질화물 기판
15 15
제14항에 따른 III족 질화물 기판을 포함하는 전자 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103262211 CN 중국 FAMILY
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3 JP05730399 JP 일본 FAMILY
4 JP25544739 JP 일본 FAMILY
5 US09171717 US 미국 FAMILY
6 US20130193558 US 미국 FAMILY
7 WO2012064050 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
8 WO2012064050 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN103262211 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103262211 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN105702562 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 CN105702562 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 JP2013544739 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP5730399 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2013193558 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US9171717 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2012064050 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO2012064050 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 한국광기술원 국제공동기술개발사업 이종기판을 이용한 0.5W급 이상 대면적, 고출력 청색 발광다이오드 개발