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자립형 III족 질화물 기판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053398
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 구체예에서 개시된 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법은 종래의 이종 기판 사용에 따른 기술적 한계를 극복할 수 있으며, 더 나아가 호스트 기판인 III족 질화물 기판을 재사용할 수 있는 방안을 제공함으로써 경제성을 제고할 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020100092787 (2010.09.24)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1112118-0000 (2012.01.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120222) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주진우 대한민국 광주광역시 광산구
2 전대우 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 이승재 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
4 백종협 대한민국 대전광역시 서구
5 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
6 정 탁 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614574-02
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0698155-21
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.10.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0082248-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0636411-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1007075-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-1007076-63
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0779407-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) III족 질화물계 호스트 기판을 제공하는 단계;b) 복수의 로드 위에 에피탁시 성장된 III족 질화물 층이 위치하는 구조를 상기 호스트 기판 상에 형성하는 단계; 및c) 상기 복수의 로드를 제거하여 상기 에피탁시 성장된 III족 질화물 층 및 상기 호스트 기판을 상호 분리시키는 단계;를 포함하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,d) 상기 단계 c)에서 분리된 호스트 기판을 상기 단계 a)의 III족 질화물계 호스트 기판으로 재사용하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 b)는, (i) 상기 호스트 기판 상에 중간층을 형성하는 단계; (ii) 상기 중간층에 대한 선택적 에칭을 수행하여 상기 복수의 로드 패턴에 대응하는 홀을 형성하는 단계; (iii) 상기 중간층에 형성된 홀 내에 III족 질화물을 성장시켜 복수의 로드를 형성하는 단계;(iv) 상기 복수의 로드 형성 단계에 후속하여 에피탁시 성장된 III족 질화물 층의 주형으로서 측면 성장층을 형성하는 단계;(v) 상기 측면 성장층 상에 에피탁시 성장된 III족 질화물 층을 형성하는 단계; 및(vi) 상기 복수의 로드를 제외한 중간층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 단계 (ii)는 나노-임프린트(nano-imprint)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 로드 위에 에피탁시 성장된 III족 질화물 층은 HVPE(hydride vapor-phase epitaxy)에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 에피탁시 성장된 III족 질화물 층의 두께는 적어도 300㎛인 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 c)는 화학적 에칭 또는 기계적 방식에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자립형 III족 질화물 기판의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 로드의 사이즈 및 길이는 각각 50 내지 1,000㎚ 및 0
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따라 제조된 자립형 III족 질화물 기판
10 10
제9항에 따른 자립형 III족 질화물 기판을 포함하는 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국광기술원 광산업기술력향상사업 저결함 Epi Layer 성장에 의한 고효율 LED 개발 지원