맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

스마트조명 LED용 광적응형 형광체막 형성 기술

  • 기술번호 : KST2014053399
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 발광다이오드는 베이스 구조물, 상기 베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 파장변환물질층을 포함한다. 또한, 상기 발광다이오드 제조방법은 베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계 및 상기 발광다이오드 칩 상에 상기 발광다이오드 칩의 측면부에 인접한 영역에 비해 상부면에 인접한 영역이 두꺼운 투광성 광경화 물질을 함유한 파장변환물질층을 배치하는 단계를 포함한다. 발광다이오드, 파장변환물질층, 투광성 광경화 물질
Int. CL H01L 33/50 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020090055755 (2009.06.23)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-0963743-0000 (2010.06.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.23)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이광철 대한민국 광주광역시 북구
2 김재필 대한민국 광주광역시 광산구
3 송상빈 대한민국 광주광역시 광산구
4 김상묵 대한민국 광주광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0378274-15
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0700407-12
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2009.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2009.11.24 수리 (Accepted) 9-1-2009-0064046-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0030425-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191137-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0191227-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.03.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0191245-30
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0215207-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 구조물; 상기 베이스 구조물 상에 배치된 발광다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩 상에 배치되며, 투광성 광경화 물질 및 파장변환물질을 함유하며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는 파장변환물질층;을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제1항에 있어서, 상기 베이스 구조물은 패키지 프레임 또는 베이스 기판인 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서, 상기 베이스 구조물은 패키지 리드 프레임, 패키지 프리몰드 프레임, 서브 마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼인 발광다이오드
4 4
제1항에 있어서, 상기 베이스 구조물은 반사컵을 구비하는 발광다이오드
5 5
제 1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩 및 파장변환물질층 사이에 배치되며, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 더 포함하는 발광다이오드
6 6
제5항에 있어서, 상기 보호층은 상기 발광다이오드 칩을 덮는 돔형의 형상 또는 상기 발광다이오드 칩을 덮고, 균일한 두께를 가지는 컨포멀한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
7 7
제5항에 있어서, 상기 보호층은 유리 또는 투광성 수지를 함유하는 발광다이오드
8 8
제1항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩은 청색광 또는 자외선광을 발생시키는 소자인 발광다이오드
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서, 상기 투광성 광경화 물질은 실리콘 수지, 에폭시 수지, 아크릴 수지 및 우레탄 수지로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 발광다이오드
11 11
제1항에 있어서, 상기 파장변환물질은 발광대역이 황색, 적색, 녹색 및 청색으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 파장 범위를 갖는 발광다이오드
12 12
제1항에 있어서, 상기 파장변환물질은 형광체, 염료 또는 안료를 포함하는 발광다이오드
13 13
제1항에 있어서, 상기 파장변환물질층 상에 배치된 보호층을 더 포함하는 발광다이오드
14 14
제13항에 있어서, 상기 보호층은 유리 또는 투광성 수지를 함유하는 발광다이오드
15 15
수직형 발광다이오드 칩이 배치된 베이스 구조물; 및 상기 발광 다이오드 칩 상부에 배치되며, 투광성 광경화 물질 및 파장변환물질을 함유하고, 상기 발광다이오드 칩에서 방출되는 광량에 비례하는 두께 프로파일을 갖는 파장변환물질층;을 포함하는 발광다이오드
16 16
제15항에 있어서, 상기 수직형 발광다이오드 칩은 상기 베이스 구조물 내부 또는 상부면에 배치되는 발광다이오드
17 17
제15항에 있어서, 상기 베이스 구조물은 서브마운트 기판 또는 발광다이오드 웨이퍼인 발광다이오드
18 18
베이스 구조물 상에 발광다이오드 칩을 배치하는 단계; 상기 발광다이오드 칩 상에 파장변환물질 및 투광성 광경화 물질을 함유하는 혼합물을 도포하는 단계; 상기 발광다이오드 칩에 전계를 인가하여 방출되는 광에 상기 혼합물을 노광시켜, 상기 광량에 비례하여 상기 혼합물을 경화시키는 단계; 및 경화되지 않은 잔여 혼합물은 제거하여 파장변환물질층을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 제조방법
19 19
삭제
20 20
제18항에 있어서, 상기 혼합물은 블레이드 코팅법, 스크린 프린팅법, 딥 코팅법, 도팅법, 스핀코팅법, 스프레이법 또는 잉크젯프린팅법을 사용하여 도포하는 발광다이오드 제조방법
21 21
제 18항에 있어서, 상기 발광다이오드 칩 상에 혼합물을 도포하기 전에, 상기 발광 다이오드 칩을 봉지하는 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조 방법
22 22
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20120086040 US 미국 FAMILY
2 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012086040 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
4 WO2010150994 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.