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접촉저항식 촉각센서, 그의 제조방법 및 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보 측정방법
- 기술번호 : KST2014053410
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 접촉저항식 촉각센서에 양자구조화된 전도층과 절연층을 구비하여 센서하부로 전달되는 전기신호를 통해 접촉 위치 및 촉각센서에 인가된 외력의 크기를 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다. 이를 위해 패턴화된 배선(210)으로 구성된 제 1 전극층(10); 제 1 전극층(10) 일면에 성막되고, 복수의 나노채널(40)이 균일하게 형성된 절연체(30)와 나노채널(40)을 채우는 금속(500)으로 구성된 양자구조화된 전도층(20); 전도층(20) 상부에 구비되고, 소정의 공간(60)을 형성하기 위한 절연 스페이서(50)로 구성된 절연층(70); 및 절연층(70) 일면에 성막되고, 외력(310)에 의해 탄성 변형됨으로써 전도층(20)에 접촉될 수 있도록 전도성 고분자와 패턴화된 배선(220)으로 구성된 제 2 전극층(80);을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서, 그의 제조방법 및 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보 측정방법이 개시된다. |
|---|---|
| Int. CL | G06F 3/045 (2006.01) G06F 3/041 (2006.01) |
| CPC | G06F 3/045(2013.01) G06F 3/045(2013.01) G06F 3/045(2013.01) G06F 3/045(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100035253 (2010.04.16) |
| 출원인 | 한국표준과학연구원 |
| 등록번호/일자 | 10-1113769-0000 (2012.02.01) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0115750 (2011.10.24) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120227) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.04.16) |
| 심사청구항수 | 21 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국표준과학연구원 | 대한민국 | 대전 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 권수용 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 박연규 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 3 | 김민석 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 4 | 강대임 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김문종 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스) |
| 2 | 손은진 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)(특허법인 아이퍼스) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국표준과학연구원 | 대전 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0243525-73 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.20 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0045634-40 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.07.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0408468-19 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0729597-49 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0729578-82 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0006887-53 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5004381-25 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266640-72 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266627-88 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266645-00 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 접촉저항식 촉각센서에 있어서,패턴화된 배선(210)으로 구성된 제 1 전극층(10); 상기 제 1 전극층(10) 일면에 성막되고, 복수의 나노채널(40)이 균일하게 형성된 절연체(30)와 상기 나노채널(40)을 채우는 금속(500)으로 구성된 양자구조화된 전도층(20); 상기 전도층(20) 상부에 구비되고, 소정의 공간(60)을 형성하기 위한 절연 스페이서(50)로 구성된 절연층(70); 및상기 절연층(70) 일면에 성막되고, 외력(310)에 의해 탄성 변형됨으로써 상기 전도층(20)에 접촉될 수 있도록 전도성 고분자와 패턴화된 배선(220)으로 구성된 제 2 전극층(80);을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 나노채널(40)은 상기 제 1 전극층(10) 상면에 대해 수직 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극층(10)의 배선(210)과 상기 제 2 전극층(80)의 배선(220)은 서로 교차되는 방향이 되도록 구비되는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 4 |
4 제 1항에 있어서,상기 전도층(20)은 상기 제 2 전극층(80)이 상기 금속(500)에 접촉됨으로써 발생하는 전기신호(330)를 상기 제 1 전극층(10)으로 전달하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서,상기 나노채널(40)의 위치 신호에 기초하여 상기 제 2 전극층(80)에 접촉이 이루어진 위치를 측정할 수 있는 위치측정수단(90)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서,상기 제 1 전극층(10)은 전기신호(330)가 전달되는 상기 나노채널(40)의 개수 신호에 기초하여 상기 제 2 전극층(80)에 인가된 외력(310)의 세기를 측정할 수 있는 외력측정수단(100)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서,상기 절연체(30)는 고분자 또는 산화물 매트릭스인 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서,상기 절연 스페이서(50)는 상기 전도층(20)과 상기 제 2 전극층(80) 사이에 공간(60)이 형성될 수 있도록 디웨팅 현상을 일으킬 수 있는 소수성 고분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서,상기 절연 스페이서(50)는 상기 고분자를 상기 전도층(20) 상부면에 스핀코팅 또는 딥코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서,상기 절연 스페이서(50)는 상기 전도층(20) 상부면에 그물구조로 형성된 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센싱 소재 |
| 11 |
11 제 1항에 있어서,상기 절연 스페이서(50)의 폭은 상기 나노채널(40)의 폭보다 더 크게 형성된 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 12 |
12 제 1항에 있어서,상기 제 2 전극층(80)은 상기 전도층(20)과 분리되어 있다가 소정의 임계값을 초과한 외력(310)이 상기 제 2 전극층(80)에 인가될 때 상기 전도층(20)에 접촉하여 전기신호(330)가 발생하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 13 |
13 제 12항에 있어서,상기 제 2 전극층(80)과 상기 전도층(20)이 접촉하는 면적은 소정의 임계값을 초과한 외력(310)에 비례하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서 |
| 14 |
14 접촉저항식 촉각센서를 제조하는 방법에 있어서,패턴화된 배선(210)으로 구성된 제 1 전극층(10)을 제조하는 단계(S510);복수의 나노채널(40)이 균일하게 형성된 절연체(30)를 상기 제 1 전극층(10)에 성막하는 단계(S520);상기 나노채널(40)에 금속(500)을 채워 양자구조화된 전도층(20)을 형성하는 단계(S530);상기 전도층(20) 상부에 공간(60)을 형성하기 위한 절연 스페이서(50)로 구성된 절연층(70)을 구비하는 단계(S540); 및외력(310)에 의해 탄성 변형됨으로써 상기 전도층(20)에 접촉될 수 있도록 전도성 고분자와 패턴화된 배선(220)으로 구성된 제 2 전극층(80)을 상기 절연층(70) 일면에 성막하는 단계(S550);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서,상기 절연체(30)를 성막하는 단계(S520)는 고분자 패터닝 또는 산화물 템플레이트를 이용하여 나노채널(40)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조방법 |
| 16 |
16 제 14항에 있어서,상기 금속(500)은 금, 루테늄, 구리 및 니켈 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조방법 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서,상기 제 2 전극층(80)을 성막하는 단계(S530)는 상기 전도층(20)을 통해 최초의 전기신호(330)가 전달되는 시점이 조절될 수 있도록 그리고,상기 제 2 전극층(80)에 인가되는 외력(310)에 비례해 증가하는 전기신호(330)의 세기가 조절될 수 있도록,상기 제 2 전극층(80)의 경도를 달리하여 제조될 수 있는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조방법 |
| 18 |
18 제 14항에 있어서,상기 절연층(70)을 구비하는 단계(S540)는 상기 전도층(20)과 상기 제 2 전극층(80) 사이에 공간(60)을 형성하기 위해 디웨팅 현상이 일어날 수 있는 소수성 고분자로 구성된 절연 스페이서(50)를 형성하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조방법 |
| 19 |
19 제 18항에 있어서,상기 절연 스페이서(50)는 상기 고분자를 상기 전도층(20) 상부면에 스핀 코팅 또는 딥코팅함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서의 제조방법 |
| 20 |
20 제 14항에 있어서,상기 제 2 전극층(80)을 성막하는 단계(S550)는 외력(310)에 의해 탄성 변형됨으로써 상기 전도층(20)에 접촉될 수 있도록 전도성 고분자로 성막되는 것을 특징으로 하는 촉각센서의 제조방법 |
| 21 |
21 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보의 측정방법에 있어서,제 2 전극층(80)의 상부면에 소정의 임계값 이상의 외력(310)이 인가되어 상기 제 2 전극층(80)이 탄성변형되는 단계(S710);상기 탄성변형에 의해 상기 제 2 전극층(80)이 양자구조화된 전도층(20)의 나노채널(40)에 접촉되는 단계(S720);상기 접촉된 나노채널(40)과 상기 제 2 전극층(80) 사이에서 전기신호(330)가 발생되는 단계(S730);상기 발생된 전기신호(330)가 상기 나노채널(40)의 금속(500)을 통해 제 1 전극층(10)으로 전달되는 단계(S740); 및상기 전기신호(330)가 전달되는 상기 나노 채널(40)의 위치 신호에 기초하여 위치측정수단(90)이 접촉위치를 측정하는 과정 및 상기 나노채널(40)의 개수 신호에 기초하여 외력측정수단(100)이 인가된 외력(310)의 세기를 측정하는 과정 중 적어도 한 과정이 수행되는 단계(S750);를 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보의 측정방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1113769-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100416 출원 번호 : 1020100035253 공고 연월일 : 20120227 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120104 청구범위의 항수 : 21 유별 : G06F 3/045 발명의 명칭 : 접촉저항식 촉각센서, 그의 제조방법 및 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보 측정방법 존속기간(예정)만료일 : 20190202 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 432,000 원 | 2012년 02월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2015년 01월 30일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2016년 01월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 351,400 원 | 2017년 01월 06일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 628,600 원 | 2018년 01월 19일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.04.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0243525-73 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.20 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0045634-40 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.07.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0408468-19 |
| 5 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.09.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0729597-49 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.09.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0729578-82 |
| 7 | 등록결정서 | 2012.01.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0006887-53 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.01.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5004381-25 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266640-72 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266627-88 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5266645-00 |
| 기술번호 | KST2014053410 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국표준과학연구원 |
| 기술명 | 접촉저항식 촉각센서, 그의 제조방법 및 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보 측정방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 접촉저항식 촉각센서에 양자구조화된 전도층과 절연층을 구비하여 센서하부로 전달되는 전기신호를 통해 접촉 위치 및 촉각센서에 인가된 외력의 크기를 용이하게 측정할 수 있는 효과가 있다. 이를 위해 패턴화된 배선(210)으로 구성된 제 1 전극층(10); 제 1 전극층(10) 일면에 성막되고, 복수의 나노채널(40)이 균일하게 형성된 절연체(30)와 나노채널(40)을 채우는 금속(500)으로 구성된 양자구조화된 전도층(20); 전도층(20) 상부에 구비되고, 소정의 공간(60)을 형성하기 위한 절연 스페이서(50)로 구성된 절연층(70); 및 절연층(70) 일면에 성막되고, 외력(310)에 의해 탄성 변형됨으로써 전도층(20)에 접촉될 수 있도록 전도성 고분자와 패턴화된 배선(220)으로 구성된 제 2 전극층(80);을 포함하는 것을 특징으로 하는 접촉저항식 촉각센서, 그의 제조방법 및 접촉저항식 촉각센서를 이용한 접촉정보 측정방법이 개시된다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전자기기 정보입력장치(스마트폰, 노트북 입력장치/지능로봇/스마트 TV) |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스,기술협력, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345169389 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50223 |
| 연구과제명 | 휴먼인터페이스를 위한 촉각센서 및 제시기술 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국표준과학연구원 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345138415 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50223 |
| 연구과제명 | 휴먼인터페이스를 위한 촉각센서 및 제시기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국표준과학연구원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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