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기판;상기 기판 상에 형성된 요철 형상의 나노 구조체들을 갖는 광산란층;상기 광산란층 상에 제 1 전극;상기 제 1 전극 상에 유기발광층; 및상기 유기발광층 상에 제 2 전극을 포함하되,상기 나노 구조체들의 폭은 100nm 내지 1000nm이고, 상기 나노 구조체들 사이의 간격은 100nm 내지 3000nm인 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 구조체들은 불규칙적인 폭과 간격을 가지는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체들은 그 단면이 사각형 모양인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 나노 구조체들은 그 단면이 원형으로 오목한 모양인 것을 특징으로 하는 유기발광 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 광산란층과 상기 제 1 전극 사이에 평탄층을 더 포함하는 유기발광 다이오드
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제 5 항에 있어서,상기 평탄층은 상기 광산란층과 다른 굴절률을 갖는 유기발광 다이오드
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기판 상에 광산란 매질층 및 금속합금층을 차례로 적층하는 단계;상기 금속합금층에 열처리하여 에칭 마스크 패턴들을 형성하는 단계;상기 에칭 마스크 패턴들을 이용하여 상기 광산란 매질층을 식각하여 광산란층을 형성하는 단계; 및상기 에칭 마스크 패턴들을 제거하는 단계; 를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란 매질층은 SiO2, SnO2, TiO2, TiO2-SiO2, ZrO2, Al2O3, HfO2, In2O3, ITO, 금속질화물, 폴리에틸렌계 수지, 폴리아크릴계 수지, 폴리염화비닐(PVC) 수지, PVP(polyvinylpyrrolidone), 폴리아미드계 수지, 폴리스티렌계 수지, 또는 에폭시계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란 매질층은 상기 기판보다 굴절률이 큰 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란 매질층은 상기 기판보다 굴절률이 작은 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란 매질층은 50nm 내지 1000nm 사이의 두께를 가지도록 형성되는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속합금층은 Ag, Au, Cu, Pt, Ni, Cr, Pd, Mg, Cs, Ca, Sn, Sb, Pb 또는 이들의 조합을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속합금층은 5nm 내지 300nm 사이의 두께를 가지도록 형성되는 것을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 에칭 마스크 패턴들의 폭은 50nm 내지 1000nm이고, 상기 에칭 마스크 패턴들 사이의 간격은 100nm 내지 3000nm인 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란층을 형성하는 단계는,상기 광산란 매질층을 건식 식각 또는 습식 식각하여 형성하는 것을 포함하되, 상기 건식 식각은 반응성 이온 식각(Reactive Ion Etching; RIE) 또는 유도결합 플라즈마(Inductively coupled plasma; ICP) 식각을 포함하고, 상기 습식 식각은 불산 또는 버퍼 옥사이드 식각(Buffered Oxide Etchant; BOE)을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란층은 불규칙적인 요철 형상의 나노 구조체들을 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 16 항에 있어서,상기 나노 구조체들의 폭은 100nm 내지 1000nm이고, 상기 나노 구조체들 사이의 간격은 100nm 내지 3000nm인 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 광산란층 상에 평탄층을 형성하는 것을 더 포함하는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 18항에 있어서,상기 평탄층은 상기 광산란층과 다른 굴절률을 갖는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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제 18항에 있어서,상기 평탄층은 상기 제 1 전극과 같거나 높은 굴절률을 갖는 유기발광 다이오드의 제조 방법
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