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박막 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053608
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 태양전지는 기판; 기판상에 형성되는 전면 전극층; 전면 전극 상에 형성되는 옥사이드층; 옥사이드층 상에 형성되는 광 흡수층(intrinsic layer); 및 광 흡수층 상에 형성되는 후면 전극층을 포함하고, 옥사이드층은 MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 중에서 선택되는 물질로 형성된다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020120073834 (2012.07.06)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1195927-0000 (2012.10.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 류승윤 대한민국 경기 화성
2 김동호 대한민국 경남 창원시 마산회원구
3 남기석 대한민국 경남 창원시 의창구
4 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 권정대 대한민국 경남 창원시 성산구
6 이성훈 대한민국 경남 창원시 마산회원구
7 윤정흠 대한민국 경남 김해시 월산로 ***-**,
8 이건환 대한민국 경기도 평택시
9 정형환 대한민국 경기 고양시 일산서구
10 박성규 대한민국 경상남도 창원시 성산구
11 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
12 임굉수 대한민국 대전 유성구
13 박상일 대한민국 충북 청주시 흥덕구
14 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0541917-48
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0544454-25
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2012-0554543-70
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0423330-60
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0468733-44
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0660975-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0660922-80
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0628436-08
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성되는 전면 전극층;상기 전면 전극층 상에 형성되는 옥사이드층;상기 옥사이드층 상에 형성되는 것으로, 비정질 실리콘 박막(a-Si:H), 미세결정질 실리콘 박막(Micro-Crystalline Silicon, mc-Si:H), 결정질 실리콘 박막(Crystalline Silicon, Si:H), 다결정질 실리콘 박막(Polycrystalline Silicon, pc-Si:H) 및 나노결정질 실리콘박막(Nano-Crystalline Silicon, nc-Si:H) 중에서 선택되는 광 흡수층(intrinsic layer); 및상기 광 흡수층 상에 형성되는 후면 전극층을 포함하고, 상기 옥사이드층은 MoO3, WO3, V2O5 및 CrO3 중에서 선택되는 물질로 형성되는 박막 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 옥사이드층의 두께는 1nm 내지 30nm인 박막 태양전지
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 후면 전극층은,상기 광 흡수층 상에 형성되는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고, 상기 제1 전극층은 LiF, Liq, CsCl, ZrO2, Al2O3 및 SiO2 중에서 선택되는 물질로 형성되고, 상기 제2 전극층은 Al, Ag, Mg, Ca 및 Li 중에서 선택되는 물질로 형성되는 박막 태양전지
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 제1 전극층은 LiF로 형성되고, 상기 제2 전극층은 Al로 형성되는 박막 태양전지
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 제1 전극층의 두께는 0
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 기판은 FTO(Fluorine Tin Oxide)가 코팅된 유리 기판인 박막 태양전지
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 전면 전극층은, FTO(Fluorine Tin Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), ZnO:Al, AgO 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되거나, ITO/GZO 또는 ZnO/AZO로 이루어진 이중층으로 형성되는 박막 태양전지
8 8
삭제
9 9
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 따른 박막 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 옥사이드층의 형성은 열 증착법(thermal evaporation), 스퍼터링(sputtering) 공정 또는 전자빔 증착(E-beam evaporation)을 이용하여 이루어지는 박막 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서, 상기 후면 전극층은 상기 광 흡수층 상에 형성되는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하여 형성되고, 상기 옥사이드층 및 상기 후면 전극층은 상기 열 증착법을 이용하여 형성되되, 상기 옥사이드층의 두께는 10nm 내지 30nm로 형성하고, 상기 제1 전극층의 두께는 1
11 11
청구항 9에 있어서, 상기 후면 전극층은 상기 광 흡수층 상에 형성되는 제1 전극층과, 상기 제1 전극층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하여 형성되고, 상기 옥사이드층은 상기 스퍼터링 공정을 이용하여 형성되고, 상기 후면 전극층은 상기 열 증착법을 이용하여 형성되되,상기 옥사이드층의 두께는 5nm 내지 10nm로 형성하고, 상기 제1 전극층의 두께는 1
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1 US20140007933 US 미국 FAMILY
2 US20140011314 US 미국 FAMILY
3 WO2014007416 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2014007933 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014011314 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2014007416 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 대면적 실리콘 박막태양전지 핵심소재 공정개발 및 평가 기반 구축(2/5)