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전모듈 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053623
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 열전모듈은, 상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판 및 하부기판과, 상기 상부기판 및 하부기판의 일면에 구비되어 공급된 전원의 흐름을 안내하는 전극과, 상기 전극 사이에 이격된 다수 P형열전반도체 및 N형열전반도체와, 상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체 각각의 적어도 일단에 구비되어 상부기판 또는 하부기판과의 접촉면적을 확장하는 전도층을 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/16 (2006.01)
CPC H01L 27/16(2013.01) H01L 27/16(2013.01) H01L 27/16(2013.01)
출원번호/일자 1020100091142 (2010.09.16)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1153720-0000 (2012.05.31)
공개번호/일자 10-2012-0029196 (2012.03.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120614) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.16)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경태 대한민국 대전광역시 서구
2 하국현 대한민국 부산광역시 북구
3 장경미 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0604236-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.06.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0049044-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0506373-57
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0676658-51
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.12.01 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0955616-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0955562-42
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2011.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0114440-26
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2012.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0005695-15
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0036871-24
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0036865-50
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2012.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0294006-99
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판 및 하부기판과,상기 상부기판 및 하부기판의 일면에 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu) 중 하나 이상을 포함하는 금속분말을 포함하는 페이스트(paste)를 스크린프린팅 공법으로 코팅하여 형성되며, 공급된 전원의 흐름을 안내하는 상부전극과 하부전극을 포함하는 전극과,상기 상부전극과 하부전극 중 하나 이상의 일면 일측에 열전분말과 유기용제가 혼합되어 형성된 페이스트(paste)를 스크린프린팅 공법으로 코팅하여 서로 이격된 다수 P형열전반도체 및 N형열전반도체와,상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체 중 어느 하나 이상의 일단에 상기 전극과 동일한 재료로 스크린프린팅 공법에 의해 코팅되고, 상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체 소결시에 P형열전반도체, N형열전반도체 및 전극과 융착함으로써 접촉면적을 확장하는 전도층을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 열전모듈
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전도층은,상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체와 전극 사이의 전기비저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 열전모듈
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
열전모듈의 상/하면 외관을 형성하는 상부기판과 하부기판 중 어느 하나 이상의 일측에 상부전극 또는 하부전극을 형성하는 전극형성단계와;상기 상부전극과 하부전극 중 어느 하나 이상의 일면 일측에 나노 크기의 열전분말과 유기용제가 혼합된 페이스트(paste)를 스크린프린팅하여 P형열전반도체와 N형열전반도체 중 어느 하나 이상을 형성하는 반도체형성단계와;상기 P형열전반도체와 N형열전반도체 중 하나 이상과, 상부전극과 하부전극 중 어느 하나 이상의 일측에 상기 전극과 동일한 재료를 포함하는 페이스트(paste)를 스크린프린팅 공법으로 코팅하여 전도층을 형성하는 금속코팅단계와;상기 상부전극 및 하부전극을 전도층과 융착하는 융착과정과, 상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체를 소결하는 소결과정으로 이루어진 모듈형성단계를 포함하며,상기 모듈형성단계는,상기 P형열전반도체 및 N형열전반도체의 상단부에 형성된 요철이 상기 융착과정과 소결과정의 동시 실시에 의해 P형열전반도체, N형열전반도체 및 전극과 융착하여 제거되도록 함으로써 열전모듈을 완성하는 과정임을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 소결과정은,비산화성분위기에서 250℃ 이하의 온도 범위에서 실시됨을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 금속코팅단계는, P형열전반도체와 N형열전반도체 단부의 단면적 이상의 면적으로 전도층을 형성하는 과정임을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 모듈형성단계는,상기 반도체형성단계에서 발생한 P형열전반도체와 N형열전반도체의 높이차이를 전도층으로 보상하는 과정임을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
9 9
삭제
10 10
삭제
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 에너지자원기술개발사업 상온용 나노벌크 열전소재 및 모듈화 기술 개발