1 |
1
구조적 특성이 서로 다른 질화규소(SiNx)를 상층과 하층으로 성막시키되, 하층 입자상은 둥글게 독립적으로 성장시킨 다공성 모폴로지(porous morphology)를 가지며, 상층의 입자상은 밀집된 모폴로지(dense morphology)를 갖는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 질화규소(SiNx)의 하층의 광 투과도는 70% 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 질화규소(SiNx)의 상층의 광 투과도는 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
삭제
|
6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 다층박막봉지의 총 두께는 300 ~ 600 nm인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 두 층으로 구성된 질화규소(SiNx)의 투습도는 0
|
8 |
8
DLC(Diamond Like Carbon) 박막층을 하층으로 하고, 질화규소(SiNx) 박막층을 상층으로 성막시킨 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
9 |
9
제 8항에 있어서, 상기 다층박막봉지는 DLC층과 질화규소층으로 이루어진 층이 반복하여 성막될 수 있는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
10 |
10
제 8항에 있어서, 상기 DLC(Diamond Like Carbon) 박막층의 두께는 15 ~ 25nm인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
11 |
11
제 8항에 있어서, 상기 질화규소(SiNx) 박막층의 두께는 120 ~ 180 nm인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
12 |
12
제 8항에 있어서, SiNx/DLC로 이루어진 다층박막 봉지는 80% 이상의 광 투과율을 갖는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지
|
13 |
13
제 8항에 있어서, SiNx/DLC로 이루어진 다층박막 봉지는 0
|
14 |
14
삭제
|
15 |
15
하층에 둥글게 독립적으로 성장시킨 다공성 모폴로지(porous morphology)를 갖는 질화규소(SiNx)층을 성막시키는 단계 (단계1); 및상층에 밀집된 모폴로지(dense morphology)를 갖는 질화규소(SiNx)층을 성막시키는 단계 (단계2)를 포함하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
16 |
16
제 15항에 있어서, 상층 및 하층의 질화규소(SiNx)층은 열선기상화학증착(hot-wire chemical vapor deposition, HWCVD) 시스템을 이용하여 성막되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
17 |
17
제 16항에 있어서, 기판의 온도는 80 ~ 150 ℃인 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
18 |
18
하층에 DLC(Diamond Like Carbon) 박막층을 성막시키는 단계 (단계 1); 및상층에 질화규소(SiNx) 박막층을 성막되는 단계 (단계 2)를 포함하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
19 |
19
제 18항에 있어서, 상기 DLC(Diamond Like Carbon)층은 플라즈마 증강 열선기상화학증착(plasma enhanced hot-wire chemical vapor deposition, PE-HWCVD) 시스템을 이용하되, 기판의 온도는 80 ~ 150 ℃로 하여 성막시키는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
20 |
20
제 18항에 있어서, 상기 질화규소(SiNx)층은 열선기상화학증착(hot-wire chemical vapor deposition, HWCVD) 시스템을 이용하되 기판의 온도를 80 ~ 150 ℃로 하여 성막되는 것을 특징으로 하는 유기태양전지용 다층박막봉지의 제조방법
|
21 |
21
제 1항에 따른 다층박막봉지를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
|
22 |
22
제 8항에 따른 다층박막봉지를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기태양전지
|