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유연기판을 포함하는 기능성 박막 및 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법

  • 기술번호 : KST2014053725
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유연기판을 포함하는 기능성 박막이 개시되며, 상기 유연기판을 포함하는 기능성 박막은 유연기판; 상기 유연기판 상에 형성되는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되고, 가시광선 영역에서 투명 상태를 유지하는 산화물을 포함하는 투명 반도체층; 상기 투명 반도체층 상에 형성되는 절연보호막; 및 상기 절연보호막 상에 형성되는 지문방지막을 포함하되, 상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□이다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) B32B 27/06 (2006.01)
CPC B32B 27/06(2013.01) B32B 27/06(2013.01) B32B 27/06(2013.01) B32B 27/06(2013.01) B32B 27/06(2013.01)
출원번호/일자 1020120011773 (2012.02.06)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1270753-0000 (2013.05.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130603) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.06)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한전건 대한민국 서울 송파구
2 최윤석 대한민국 경기 수원시 장안구
3 진수봉 대한민국 경기 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0095075-14
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
5 등록결정서
Decision to grant
2013.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0357104-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연기판을 포함하는 기능성 박막에 있어서,유연기판;상기 유연기판 상에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 가시광선 영역에서 투명 상태를 유지하는 산화물을 포함하는 투명 반도체층;상기 투명 반도체층 상에 형성되는 절연보호막; 및상기 절연보호막 상에 형성되는 지문방지막을 포함하되,상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
2 2
제 1항에 있어서,상기 유연기판은 PET(polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PI(polyimide), 및 PEN(polyethylene naphthalate) 중 적어도 하나를 포함하는 유연기판을 포함하는 기능성 박막
3 3
제 1항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOX 또는 SiNX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
4 4
제 1항에 있어서,상기 산화물은 SnO2이고, 플루오린을 이용하여 n형 도핑된 것인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
5 5
제 1항에 있어서,상기 산화물은 ZnO이고, 알루미늄, 갈륨, 및 붕소 중 하나를 이용하여 n형 도핑된 것인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
6 6
제 1항에 있어서,상기 투명 반도체층은 박막 두께가 1nm ~ 100nm인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
7 7
제 1항에 있어서,상기 절연보호막은 SiOX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
8 8
유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법에 있어서,(a) 유연기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층 상에 투명 반도체층을 형성하는 단계;(c) 상기 투명 반도체층에 대하여 n형 도핑을 수행하여 상기 투명 반도체층의 저항을 조절하는 단계;(d) 상기 투명 반도체층 상에 SiOX로 절연보호막을 형성하는 단계; 및(e) 상기 절연보호막 상에 지문방지막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□인 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOX 또는 SiNX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 (c) 단계는 알루미늄, 갈륨, 및 붕소 중 하나로 n형 도핑을 하는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
11 11
제 8항에 있어서,상기 (c) 단계는 n형 도핑의 반응기체인 수소의 유입량을 조절하여 도핑 농도를 조절할 수 있는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 투명 반도체층은 도핑 농도 조절을 통해 저항 및 가시광선 투과도가 조절되는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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1 KR101306022 KR 대한민국 FAMILY
2 US08933445 US 미국 FAMILY
3 US09006042 US 미국 FAMILY
4 US20130181213 US 미국 FAMILY
5 US20150079768 US 미국 FAMILY

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