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유연기판을 포함하는 기능성 박막에 있어서,유연기판;상기 유연기판 상에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되고, 가시광선 영역에서 투명 상태를 유지하는 산화물을 포함하는 투명 반도체층;상기 투명 반도체층 상에 형성되는 절연보호막; 및상기 절연보호막 상에 형성되는 지문방지막을 포함하되,상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 유연기판은 PET(polyethylene terephthalate), PC(polycarbonate), PI(polyimide), 및 PEN(polyethylene naphthalate) 중 적어도 하나를 포함하는 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOX 또는 SiNX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 산화물은 SnO2이고, 플루오린을 이용하여 n형 도핑된 것인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 산화물은 ZnO이고, 알루미늄, 갈륨, 및 붕소 중 하나를 이용하여 n형 도핑된 것인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 투명 반도체층은 박막 두께가 1nm ~ 100nm인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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제 1항에 있어서,상기 절연보호막은 SiOX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막
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유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법에 있어서,(a) 유연기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;(b) 상기 버퍼층 상에 투명 반도체층을 형성하는 단계;(c) 상기 투명 반도체층에 대하여 n형 도핑을 수행하여 상기 투명 반도체층의 저항을 조절하는 단계;(d) 상기 투명 반도체층 상에 SiOX로 절연보호막을 형성하는 단계; 및(e) 상기 절연보호막 상에 지문방지막을 형성하는 단계를 포함하되,상기 투명 반도체층의 면저항은 10MΩ/□ ~ 100MΩ/□인 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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제 8항에 있어서,상기 버퍼층은 SiOX 또는 SiNX인 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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제 8항에 있어서,상기 (c) 단계는 알루미늄, 갈륨, 및 붕소 중 하나로 n형 도핑을 하는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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제 8항에 있어서,상기 (c) 단계는 n형 도핑의 반응기체인 수소의 유입량을 조절하여 도핑 농도를 조절할 수 있는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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제 11항에 있어서,상기 투명 반도체층은 도핑 농도 조절을 통해 저항 및 가시광선 투과도가 조절되는 유연기판을 포함하는 기능성 박막 적층 방법
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