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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014053898
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지의 제조방법이 개시된다. 태양전지를 제조하기 위하여 실리콘 기판의 전면에 제1 구조물들을 형성한 후, 제1구조물들 각각의 표면에 제2 구조물들을 형성한다. 이어서, 제1 및 제2 구조물들이 형성된 실리콘 기판의 전면에 반사방지층을 형성한다. 그 후, 반사방지층 상부에 제1 전극 패턴을 형성하고, 실리콘 기판의 후면에 제2 전극 패턴을 형성한다. 이러한 태양전지에 따르면 입사광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020120074401 (2012.07.09)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1315644-0000 (2013.09.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.09)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울 서초구
2 김희석 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 신종훈 대한민국 경기도 김포시 유현로 **
4 이영석 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남건필 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2 차상윤 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3 박종수 대한민국 서울특별시 영등포구 경인로 ***, *동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
4 한상민 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**-**, A동***-***호(특허법인지원(광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0545697-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070302-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0601283-77
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0839546-03
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0668571-14
7 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2014.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0224043-26
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 pn 접합이 존재하고, 서로 이격된 복수의 제1 구조물들 및 상기 제1 구조물들 각각의 표면에 형성되고 상기 제1 구조물보다 작은 종횡비와 크기를 갖는 복수의 제2 구조물들을 갖는 전면을 구비하는 실리콘 기판;상기 실리콘 기판의 전면 상에 위치한 반사방지층;상기 반사방지층 상부에 위치한 제1 전극 패턴; 및상기 전면에 대향하는 상기 실리콘 기판의 후면 상에 위치한 제2 전극 패턴을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 구조물은 원 기둥 또는 다각 기둥의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제2항에 있어서, 상기 제1 구조물은 1
4 4
제2항에 있어서, 상기 제2 구조물은 다각뿔 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
실리콘 기판의 전면에 제1 구조물들을 형성하는 단계;상기 제1구조물들 각각의 표면에 제2 구조물들을 형성하는 단계;상기 제1 및 제2 구조물들이 형성된 상기 실리콘 기판의 전면에 반사방지층을 형성하는 단계;상기 반사방지층 상부에 제1 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전면에 대향하는 상기 실리콘 기판의 후면에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1 구조물을 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판의 전면에 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스터 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 실리콘 기판의 전면을 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 제1 구조물을 형성하는 단계는,상기 실리콘 기판의 전면에 질화막, 산화막 및 금속막 중 하나인 마스크막을 형성하는 단계;상기 마스크막 상부에 포토레지스터 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스터 패턴을 식각 마스크로 이용한 식각 공정을 통해 상기 마스크막을 패터닝하여 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및상기 마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 실리콘 기판의 전면을 건식 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 포토레지스터 패턴은 원형 또는 다각형 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 제1구조물들 각각의 표면에 제2 구조물들을 형성하는 단계는,상기 제1 구조물이 형성된 상기 실리콘 기판의 전면에 습식 식각 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 습식 식각은 80초 이상 150초 이하의 시간동안 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지경부 에너지 기술평가원 정부)지경부-에너지기술평가원-지식경제기술혁신(비목통합) 에너지기술개발사업 침엽수형 초고효율 3-D 실리콘 태양전지 핵심기술 개발