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필스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스파터링 방법

  • 기술번호 : KST2014054006
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판 바이어스를 적용한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판상에 질화물 반도체 박막을 성막함에 있어서, 상기 기판에 바이어스를 적용하여 결정성을 향상시키되, 상기 스퍼터링을 종래에 가열상태에서 수행한 것과는 달리 상온에서 수행함에도 불구하고, 성막의 양호한 결정성을 획득할 수 있도록 하는 기판 바이어스를 적용한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법을 제공한다.본 발명에 의하면, 기판 바이어스를 적용하지 아니한 경우에 생성되는 비정질상의 질화물 반도체를 기판 바이어스를 적용함으로써 결정상 생성에 보다 유리하도록 하였으며, 따라서 성막된 질화물 반도체의 전기전도도, 캐리어 이동도 등이 향상되어 전기적 물성의 개선이 기대될 수 있다.
Int. CL H01L 21/203 (2006.01)
CPC H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02631(2013.01) H01L 21/02631(2013.01)
출원번호/일자 1020100137956 (2010.12.29)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1174648-0000 (2012.08.10)
공개번호/일자 10-2012-0076000 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120817) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세기 대한민국 서울특별시 영등포구
2 석혜원 대한민국 서울특별시 마포구
3 김진호 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최환욱 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)(특허법인 수)
2 강민수 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, *층 (역삼동, 우일빌딩)(광개토국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0872471-82
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.09.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0072583-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0750053-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-1031980-20
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1031981-76
7 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-1038736-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0289290-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
기판상에 3족 질화물을 성막하는 방법에 있어서,RF 스퍼터링 챔버를 환원 분위기로 유지하는 단계; 및상기 분위기하에서 상기 기판에 별도로 펄스상의 DC 바이어스 전압을 인가하면서 RF 스퍼터링에 의해 성막하는 단계;를 포함하여 구성되되, 상기 각 단계들은 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전체 단계는 질소와 아르곤의 혼합 분위기 또는 아르곤 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 질소와 아르곤의 혼합 분위기에서 질소는 질소와 아르곤 전체 부피를 100부피%로 하였을 때, 5 ~ 50부피%가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 바이어스 전압은 100 내지 400V의 범위이며, 주파수는 0 ~ 350kHz인 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 3족 질화물은 질화 갈륨 또는 질화 알루미늄인 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 3족 질화물의 상온 스퍼터링 방법
6 6
제 1 항의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 펄스상의 DC 바이어스 기판 적용에 의한 상온 스퍼터링 방법에 의해 형성된 3족 질화물 성막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.