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실리콘카바이드 나노분말의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014054089
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계와, 플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계와, 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계와, 출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계와, 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계 및 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 하단부, 상기 사이클론 하단부 또는 상기 포집부 하단부에서 포집되는 단계를 포함하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 이용하여 용이하게 고순도의 SiC 나노분말을 합성할 수 있고, 공정이 간단하여 재현성이 높으며, 대량 생산이 가능하다.
Int. CL B01J 19/08 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01) C01B 32/963(2013.01)
출원번호/일자 1020100050920 (2010.05.31)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1268875-0000 (2013.05.23)
공개번호/일자 10-2011-0131469 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130529) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.31)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황광택 대한민국 서울특별시 강동구
2 김진호 대한민국 서울특별시 강동구
3 조우석 대한민국 서울특별시 광진구
4 고상민 대한민국 경상남도 산청군
5 변명섭 대한민국 경상남도 김해시
6 정택모 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 고길수 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 **, *층 (서초동)(정석국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0347731-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0096086-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0183986-26
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0418902-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0515729-17
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0596890-71
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0690018-78
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0107972-74
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0792741-29
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0792879-10
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0141074-74
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 출발원료로 테트라에틸 오르소실리케이트, 헥사메틸 디실라잔 및 비닐트리메톡시 실란 중에서 선택된 액상의 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 분산가스의 공급 유량은 1∼30slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 보호가스로 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스를 사용하고, 상기 보호가스의 공급 유량은 10∼100slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 출발원료는 정량 펌프를 이용하여 1∼50㎖/min 범위의 공급 속도로 일정하게 유입되게 하고, 상기 플라즈마소스 가스는 아르곤(Ar) 가스를 사용하고 상기 플라즈마소스 가스의 공급 유량은 5∼50slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 급냉가스는 질소(N2) 또는 아르곤(Ar) 가스를 사용하고, 상기 급냉가스의 공급 유량은 50∼500slpm 범위로 일정하게 유지하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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삭제
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삭제
11 11
열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 출발원료로 테트라에틸 오르소실리케이트(tetraethyl orthosilicate)와 페닐트리에톡시실리케이트(phenyltriethoxysilicate)가 혼합된 고상의 전구체를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 실리콘-탄소 전구체는, 트리(메틸)-(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 디(메틸)-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, (메틸)-트리(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 트리(메틸)-(1-디메틸아미노-2-메틸-2-부톡시)실리콘, 디(메틸)-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-부톡시)실리콘, (메틸)-트리(1-디메틸아미노-2-메틸-2-부톡시)실리콘, 트리메틸-(1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 디메틸-비스-(1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 메틸-트리스(1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 1,2-비스(1-메톡시-2-메틸프로폭시-2-옥시)-1,1,2,2-테트라메틸 다이실란, 1,1,2,2-테트라키스(1-메톡시-2-메틸프로판-2-옥시)-1,2-다이메틸다이실란, 2-(2-(1-(다이메틸아미노)-2-프로폭시)-1,1,2,2-테트라메틸다이실옥시)-N,N-다이메틸프로판-1-아민, 2-(2-(1-(다다이메틸아미노)-2-메틸프로판옥시)-1,1,2,2-테트라메틸 다이실옥시)-N,N,2-트리메틸프로판-1-아민, 2-(1,2,2-트리스(1-(다이메틸아미노)프로판-2-옥시)-1,2-다이메틸다이실릴옥시)-N,N-다이메틸프로판-1-아민, 2-(1,2,2-트리스(1-(다이메틸아미노)-2-메틸프로판-2-옥시)-1,2-다이메틸다이실릴옥시)-N,N,2-트리메틸프로판-1-아민, 클로로-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 클로로-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-부톡시)실리콘, 클로로-비스(1-디에틸아미노-2-메틸-2-부톡시)실리콘, 클로로-비스(1-디아이소프로필아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 디클로로-비스(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 트리클로로(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 클로로-트리(1-디메틸아미노-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 디메틸-비스-(1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시)실리콘, 및 메틸-트리스(1-메톡시-2-메틸-2-프로폭시)실리콘 중에서 선택된 1종 이상의 전구체로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 실리콘-탄소 전구체는, 하기의 화학식 1로 표시되는 실리콘 알콕사이드 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
14 14
열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 실리콘-탄소 전구체는, 하기의 화학식 2로 표시되는 실리콘 아미노알콕사이드 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 실리콘-탄소 전구체는, 하기의 화학식 3으로 표시되는 실리콘 착화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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열플라즈마 장치의 반응관, 사이클론 및 포집부로 순차적으로 흐르는 가스의 유동이 형성되게 펌핑하는 단계;플라즈마소스 가스를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 분사하여 고주파 파워 서플라이로부터 유도기전력이 인가되는 유도 코일 영역에서 플라즈마를 생성하는 단계; 플라즈마가 형성된 영역의 단부를 향하게 상기 반응관의 상부에서 급냉가스를 주입하는 단계;출발원료로서 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분을 함께 포함하는 실리콘-탄소 전구체를 플라즈마 토치에서 반응관 쪽으로 향하게 주입하여 플라즈마가 형성된 영역을 통과시키는 단계;상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하면서 상기 실리콘-탄소 전구체에 함유된 실리콘(Si) 성분과 탄소(C) 성분이 반응하여 핵생성과 입자 성장이 이루어져 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 단계; 상기 플라즈마가 형성된 영역을 통과하여 합성된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관 내에서 상기 급냉가스에 의해 급냉되는 단계; 급냉된 실리콘카바이드 나노분말이 상기 반응관의 하단부, 상기 사이클론의 하단부 또는 상기 포집부의 하단부에서 포집되는 단계;포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 프리카본을 제거하기 위하여 500∼1000℃의 온도 범위에서 열처리하는 단계; 및포집된 실리콘카바이드 나노분말에 함유된 불순물인 SiO2 성분을 제거하기 위하여 불산 처리하는 단계를 포함하며,상기 출발원료가 상기 플라즈마가 형성된 영역에 도달하기 전에 분산가스를 주입하여 상기 출발원료와 혼합되게 하는 단계를 더 포함하며, 상기 분산가스는 수소(H2) 또는 암모니아(NH3) 가스가 아르곤(Ar)과 혼합된 가스를 사용하며,상기 반응관의 내벽을 보호하기 위하여 보호가스를 주입하여 상기 반응관 상부 내벽으로부터 상기 반응관 하부 내벽으로 흐르는 유동을 유지하며,상기 반응관 내의 압력이 상기 실리콘카바이드 나노분말이 합성되는 동안에 10∼50psi 범위로 일정하게 유지되고,상기 실리콘-탄소 전구체는, 하기의 화학식 4로 표시되는 실리콘 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 나노분말의 제조방법
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