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금속 전극으로 출력이 제어되는 양자전류 발생기 개발

기술번호 : KST2014054143
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 단전자 펌프에 관한 것으로 본 발명에 따른 단전자 펌프는 반도체 기판; 반도체 기판 상에서 제 1 방향을 따라 평행하게 제공되고, 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 서로 이격되어 제공되고, 소정의 갭을 갖는 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들; 제 2 방향을 따라 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들의 갭 상에 제공되는 중앙 게이트; 및 신호를 발생하고, 신호를 제 1 스플릿-게이트에 공급하는 신호 발생기를 포함한다.
Int. CL	H01L 29/778 (2006.01) H01L 29/775 (2006.01)
CPC	H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01) H01L 29/7613(2013.01)
출원번호/일자	1020120134503 (2012.11.26)
출원인	한국표준과학연구원
등록번호/일자	10-1418337-0000 (2014.07.04)
공개번호/일자	10-2014-0070736 (2014.06.11) 문서열기
공고번호/일자	(20140716) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.26)
심사청구항수	11

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원	대한민국	대전 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김남	대한민국	대전 유성구
2	배명호	대한민국	대전광역시 유성구
3	안예환	대한민국	서울 서초구
4	오영헌	대한민국	부산 서구
5	서민기	대한민국	부산광역시 동구
6	정윤철	대한민국	서울 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	오세준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)(특허법인 고려)
2	권혁수	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 **, 층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3	송윤호	대한민국	서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국표준과학연구원		대전 유성구

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2012-0974722-86
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0063813-18
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.10.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0717684-14
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2013-1029973-87
6	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1029974-22
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
8	등록결정서 Decision to grant	2014.04.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0262683-53
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 반도체 기판;상기 반도체 기판 상에서 제 1 방향을 따라 평행하게 제공되고, 상기 제 1 방향의 수직 방향인 제 2 방향을 따라 서로 이격되어 제공되고, 소정의 갭을 갖는 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들;상기 제 2 방향을 따라 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들의 갭 상에 제공되는 중앙 게이트; 및신호를 발생하고, 상기 신호를 상기 제 1 스플릿-게이트에 공급하는 신호 발생기를 포함하고,상기 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들에 음전압이 인가되고, 상기 중앙 게이트에 양전압이 인가되고, 상기 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들 및 상기 중앙 게이트에 의해 양자점이 형성되며,상기 제 1 스플릿-게이트는 상기 신호에 따라 상기 양자점으로 전자를 펌핑하여 펌핑 전류를 출력하는 단전자 펌프
2	2 제 1 항에 있어서,절대 온도 4
3	3 제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은 GaAs/AlGaAs 헤테로구조이고, 상기 GaAs/AlGaAs 헤테로 구조의 접합면에 위치한 2차원 전자 가스를 포함하는 단전자 펌프
4	4 제 1 항에 있어서,상기 신호의 주파수는 10[MHz] 내지 1[GHz]의 범위를 갖는 단전자 펌프
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들에 서로 다른 전압들을 공급하는 전압 발생기를 더 포함하는 단전자 펌프
6	6 제 5 항에 있어서,상기 전압 발생기는 상기 제 2 스플릿-게이트에 인가되는 상기 음전압을 조절하여 상기 출력되는 펌핑 전류의 크기를 제어하는 단전자 펌프
7	7 제 6 항에 있어서,상기 제 2 스플릿-게이트에 인가되는 상기 음전압이 감소할수록 상기 출력되는 펌핑 전류의 크기가 단계적으로 증가되는 단전자 펌프
8	8 제 5 항에 있어서,상기 전압 발생기는 상기 중앙 게이트에 인가되는 상기 양전압을 조절하여 상기 출력되는 펌핑 전류의 평활면의 편평도를 제어하는 단전자 펌프
9	9 제 8 항에 있어서,상기 중앙 게이트에 인가되는 상기 양전압이 증가할수록 상기 출력되는 펌핑 전류의 평활면의 편평도가 점진적으로 향상되는 단전자 펌프
10	10 제 1 항에 있어서,상기 신호의 주파수를 조절하여 상기 출력되는 펌핑 전류의 크기를 조절하는 단전자 펌프
11	11 제 10 항에 있어서,상기 신호의 주파수가 증가할수록 상기 출력되는 펌핑 전류의 크기가 상기 신호의 주파수에 비례하여 점진적으로 상승되는 단전자 펌프

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	한국표준과학연구원	한국표준과학연구원연구운영비지원	나노기반 융합 측정기술 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1418337-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20121126 출원 번호 : 1020120134503 공고 연월일 : 20140716 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140417 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 29/775 발명의 명칭 : 단전자 펌프 존속기간(예정)만료일 : 20190705

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 한국표준과학연구원 대전 유성구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	237,000 원	2014년 07월 07일	납입
제 4 년분	금 액	197,400 원	2017년 06월 26일	납입
제 5 년분	금 액	141,000 원	2018년 06월 25일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.11.26	수리 (Accepted)	1-1-2012-0974722-86
2	선행기술조사의뢰서	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0063813-18
4	의견제출통지서	2013.10.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0717684-14
5	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.12	수리 (Accepted)	1-1-2013-1029973-87
6	[명세서등 보정]보정서	2013.11.12	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1029974-22
7	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.09	수리 (Accepted)	4-1-2014-5004381-25
8	등록결정서	2014.04.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0262683-53
9	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266645-00
10	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266627-88
11	출원인정보변경(경정)신고서	2018.12.27	수리 (Accepted)	4-1-2018-5266640-72


기술번호	KST2014054143
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국표준과학연구원
기술명	금속 전극으로 출력이 제어되는 양자전류 발생기 개발
기술개요	본 발명은 단전자 펌프에 관한 것으로 본 발명에 따른 단전자 펌프는 반도체 기판; 반도체 기판 상에서 제 1 방향을 따라 평행하게 제공되고, 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따라 서로 이격되어 제공되고, 소정의 갭을 갖는 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들; 제 2 방향을 따라 제 1 내지 제 3 스플릿-게이트들의 갭 상에 제공되는 중앙 게이트; 및 신호를 발생하고, 신호를 제 1 스플릿-게이트에 공급하는 신호 발생기를 포함한다.
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	단전자 메모리, 전류표준기, 단광자 광원, 양자 컴퓨터
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345196033
세부과제번호	K12017
연구과제명	나노기반 융합측정기술 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	기초기술연구회
연구주관기관명	한국표준과학연구원
성과제출연도	2012
연구기간	201201~201212
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020130113913]	그래핀 식각장치 및 이를 이용한 식각방법	새창보기
[1020120134503]	금속 전극으로 출력이 제어되는 양자전류 발생기 개발	새창보기
[1020120134502]	금속 전극을 이용한 1차원 나노선 소자 개발	새창보기

중요키워드

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[KST2021002041][한국표준과학연구원]	양자홀 상태 기반의 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자	새창보기
[KST2019028107][한국표준과학연구원]	단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자	새창보기
[KST2015179457][한국표준과학연구원]	스핀 큐빗 감지용 단전자 트랜지스터 및 그 제조 방법	새창보기

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