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요약
Int. CL
CPC
출원번호/일자
1020120134502
출원인
등록번호/일자
공개번호/일자
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수
0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.
공개전문 정보가 없습니다
등록사항 정보가 없습니다
통합행정정보가 없습니다
기술번호
KST2014054144
자료제공기관
NTB
기술공급기관
기술명
금속 전극을 이용한 1차원 나노선 소자 개발
기술개요
- 반도체 소자는 한 쌍의 양자점컨택 게이트들 및 중앙 게이트를 사용하여 절대온도 4K에서 채널길이가 1000nm인 전자의 채널의 양자화가 가능하다. 본 기술은 금속 전극을 이용한 반도체 소자에 관한 것이다. 본 기술에 따른 반도체 소자는 한 쌍의 양자점컨택(QPC) 게이트 및 중앙 게이트를 포함한다. 본 기술에 따른 반도체 소자는 QPC의 음전압을 인가하여 전자의 전도도를 제어할 수 있고, 중앙 게이트에 양전압을 인가하면 전도도의 양자화가 가능해 진다. 본 기술에 따른 반도체 소자는 절대온도 4K에서 채널길이가 상대적으로 긴 채널의 양자화가 가능하다.