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플렉서블 CIGS 박막 태양전지

  • 기술번호 : KST2014054200
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 CI(G)S계 박막에 개시된다. 본 발명의 CI(G)S계 박막의 제조방법은, CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a); CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b); 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c); CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e); 를 포함한다. 이에 의하여, 종래 CI(G)S계 박막의 형성에서보다 낮은 온도로 셀렌화 열처리가 가능하여 제조비용을 절감하면서도, 낮은 온도에서도 박막 내 결정성장이 충분히 이루어질 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC
출원번호/일자 1020120010638 (2012.02.02)
출원인 한국에너지기술연구원
등록번호/일자 10-1367760-0000 (2014.02.20)
공개번호/일자 10-2013-0089350 (2013.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.02)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 어영주 대한민국 대전 유성구
2 윤경훈 대한민국 대전 유성구
3 윤재호 대한민국 대전 서구
4 신기식 대한민국 대전 유성구
5 곽지혜 대한민국 대전 유성구
6 안세진 대한민국 대전 유성구
7 안승규 대한민국 대전 서구
8 조준식 대한민국 대전 유성구
9 유진수 대한민국 서울 노원구
10 조아라 대한민국 서울 송파구
11 박상현 대한민국 대전 유성구
12 박주형 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국에너지기술연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0087279-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0038153-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0540939-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0901234-52
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0901233-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5003356-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0116494-95
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-0013224-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.19 수리 (Accepted) 4-1-2017-5010650-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.08 수리 (Accepted) 4-1-2019-5004978-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166801-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.21 수리 (Accepted) 4-1-2019-5166803-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2020-5197654-62
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CI(G)S계 나노입자를 제조하는 단계(단계 a);상기 CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계(단계 b);상기 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 c);상기 CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 d); 및상기 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄(Se) 증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계(단계 e);를 포함하고,상기 플럭스는,설폰아미드, 소듐셀레네이트 10 수화물, 소듐셀레나이트 및 설폰산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 CI(G)S계 나노입자는,Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 2원계 나노입자; Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S 및 Cu-Ga-Se 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 3원계 나노입자; Cu-In-Ga-Se의 4원계 나노입자; Cu-In-Ga-Se-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-(S,Se)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 5원계 나노입자; Cu-In-Al-Ga-Se-S 인 6원계 나노입자; Cu-Zn-Sn-(Se,S) 및 Cu-In-Ga-Zn-Sn-(Se,S) 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 CZTS계 나노입자; 및 Cu, In, Ga, Al, Zn, Sn, S 및 Se 원소분말로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 나노입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 단계 a는,저온 콜로이달 방법, 용매열 합성법, 마이크로웨이법 및 초음파 합성법 중 어느 하나의 방법에 의하는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 단계 b의 슬러리는,상기 CI(G)S 나노입자, 상기 플럭스, 용매, 킬레이트제 및 바인더를 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
5 5
삭제
6 6
청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나로 수행되는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 단계 d는,60 내지 300℃ 온도에서 2 내지 10분간 건조하되, 상기 건조를 2 내지 10회 반복수행하는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 단계 e는,250 내지 450℃의 범위에서, 30 내지 120분간 셀렌화 열처리하는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
9 9
녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스가 포함된 CI(G)S계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 l);상기 플럭스가 포함된 CI(G)S계 전구체 용액을 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하는 단계(단계 m);상기 CI(G)S계 전구체 박막을 건조시키는 단계(단계 n); 및상기 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄 증기를 이용하여 셀렌화 열처리 하는 단계(단계 o);를 포함하고,상기 플럭스는,설폰아미드, 소듐셀레네이트 10 수화물, 소듐셀레나이트 및 설폰산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
10 10
청구항 9에 있어서,상기 CI(G)S계 전구체 용액은, Cu, In 및 Ga 을 각각 포함하는 금속염 용액; 및 CI(G)S계 나노입자를 포함하는 히드라진 용액; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 CI(G)S계 나노입자는,Cu-Se, In-Se, Ga-Se, Cu-S, In-S 및 Ga-S 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 2원계 나노입자; Cu-In-Se, Cu-In-S, Cu-Ga-S 및 Cu-Ga-Se 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 3원계 나노입자; Cu-In-Ga-Se의 4원계 나노입자; Cu-In-Ga-Se-(S,Se) 및 Cu-In-Al-Ga-(S,Se)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 5원계 나노입자; Cu-In-Al-Ga-Se-S 인 6원계 나노입자; Cu-Zn-Sn-(Se,S) 및 Cu-In-Ga-Zn-Sn-(Se,S) 입자로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 CZTS계 나노입자; 및 Cu, In, Ga, Al, Zn, Sn, S 및 Se 원소분말로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 나노입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
12 12
청구항 10에 있어서,상기 금속염 용액은 염화물, 아세테이트염, 질산염 및 황산염으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
13 13
청구항 9에 있어서,상기 단계 m은,스프레이법, 초음파 스프레이법, 스핀코팅법, 닥터블레이드법, 스크린 인쇄법 및 잉크젯 프린팅법 중 어느 하나에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
14 14
청구항 9에 있어서,상기 단계 o는,250 내지 450℃의 범위에서, 30 내지 120분간 셀렌화 열처리하는 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막의 제조방법
15 15
CI(G)S계 나노입자와 녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스를 포함하는 슬러리를 제조하는 단계;상기 슬러리를 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하고 건조하는 단계; 및상기 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄 증기를 이용하여 셀렌화 열처리하는 단계;에 따라 제조되고,상기 플럭스는,설폰아미드, 소듐셀레네이트 10 수화물, 소듐셀레나이트 및 설폰산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막
16 16
녹는점이 30~400℃ 범위에 있는 플럭스가 포함된 CI(G)S계 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 플럭스가 포함된 CI(G)S계 전구체 용액을 기판에 비진공 코팅하여 CI(G)S계 전구체 박막을 형성하고 건조하는 단계; 및상기 CI(G)S계 전구체 박막을 셀레늄 증기를 이용하여 셀렌화 열처리 하는 단계;에 따라 제조되고,상기 플럭스는,설폰아미드, 소듐셀레네이트 10 수화물, 소듐셀레나이트 및 설폰산으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온의 녹는점을 갖는 플럭스를 이용한 태양전지용 CI(G)S계 박막
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3 EP02811538 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 WO2013115582 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 CN104094412 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP2811538 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2811538 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2811538 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 WO2013115582 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 한국에너지기술연구원 신기술융합형 성장동력 사업 화학적 방식에 의한 고효율 저가 CIGS 박막 태양전지 소재 개발