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X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 상기 기판에 구비된 박막 트랜지스터의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014054337
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 직접형 digital X-ray radiography system용 TFT 백플레인 패널에 기존의 하부 게이트 박막 트랜지스터 소자 대신 상부 게이트 구조의 소자를 적용한다. 이에 따라 공정 단순화, 소자 구동 안정성 등이 보장된다.
Int. CL H01L 31/115 (2006.01)
CPC H01L 31/115(2013.01) H01L 31/115(2013.01) H01L 31/115(2013.01)
출원번호/일자 1020110050014 (2011.05.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1322331-0000 (2013.10.21)
공개번호/일자 10-2012-0131674 (2012.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20131028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.26)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김원근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김영훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 한철종 대한민국 서울특별시 강남구
4 권순형 대한민국 서울특별시 동작구
5 이정노 대한민국 경기도 용인시 수지구
6 오민석 대한민국 서울특별시 서초구
7 유병욱 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지명 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0394827-98
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.04.06 수리 (Accepted) 9-1-2012-0025841-61
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0437859-72
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0795367-71
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0795371-54
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0116605-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0352331-50
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0352338-79
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.07.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0491975-50
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.08.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0742939-91
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0742940-37
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0581782-89
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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디지털 엑스선 영상 진단 시스템에서 영상신호를 리드 아웃 하는 X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판에 있어서, 일방향으로 형성되는 복수의 게이트 라인과, 상기 복수의 게이트 라인과 교차하여 다소의 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인이 형성된 베이스 기판;각 화소 영역에 형성되어, 상부 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터; 및상기 각 화소 영역에 형성되어 상기 박막 트랜지스터에 연결되고, 상기 X-ray의 직접적인 조사량에 대응하는 전하를 발생하여 상기 박막 트랜지스터에 연결된 커패시터에 충전시키는 광전 변환 소자를 포함하되,상기 박막 트랜지스터는상기 베이스 기판상에 형성되어, 상기 광전 변화 소자와 연결되는 소스 전극;상기 소스 전극과 동일한 층에 형성되어 일정 간격으로 이격된 드레인 전극;상기 일정 간격으로 이격된 공간에 형성되어, 서로 마주하는 상기 드레인 전극의 일단부와 상기 소스 전극의 일단부를 덮는 반도체 채널층;상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 반도체 채널층을 덮는 유전체 층;상기 유전체 층을 사이에 두고, 상기 반도체 채널층의 상부에 형성되고, 상기 X-ray가 상기 반도체 채널층으로 입사하는 것을 차단하는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 유전체 층을 덮는 보호층을 포함하는 것인 X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판
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삭제
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터와 연결된 커패시터를 더 포함하고, 상기 커패시터는,상기 소스 전극과 동일한 층에 형성되어, 상기 소스 전극과 연결되는 하부 전극;상기 유전체 층을 사이에 두고, 상기 하부 전극와 마주하는 상부 전극을 포함하되,상기 커패시터의 상부 전극은,상기 게이트 전극과 동일한 공정에 의해 동시에 형성되는 것인 X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판
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제4항에 있어서, 상기 광전 변환 소자는,상기 보호층 상부에 형성되어, 상기 박막 트랜지스터를 제외한 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성되어, 비아홀을 통해 상기 커패시터의 하부 전극과 연결되는 화소 전극;상기 화소 전극에 의해 노출된 보호층과 상기 화소 전극을 덮는 포토 컨덕터; 및상기 포토 컨덕터를 사이에 두고, 상기 화소 영역 전체에 걸쳐 형성된 바이어스 전극;을 포함하는 X-ray 검출기용 박막 트랜지스터 어레이 기판
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삭제
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패밀리정보가 없습니다
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