요약 | 본 발명은 비트라인의 상부에 좌, 우측 캔틸레버 전극을 비트라인 방향으로 일부 이동(shift)시키며 서로 엇갈리게 좌우 비대칭이 되도록 형성함으로써, 1비트를 저장하기 위한 셀 면적의 증가 없이 비트간 간섭현상을 최소화시킬 수 있는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자를 제공한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
CPC | H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) H01L 27/11568(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110090485 (2011.09.07) |
출원인 | 서강대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1325639-0000 (2013.10.30) |
공개번호/일자 | 10-2013-0027120 (2013.03.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20131107) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.09.07) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서강대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 마포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최우영 | 대한민국 | 서울특별시 동작구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 권오준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠*차 ****호 (역삼동)(소중한특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서강대학교산학협력단 | 서울특별시 마포구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.09.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0697791-16 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0048552-54 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.03.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0169941-99 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0398566-38 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0398534-88 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0600666-82 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 소정의 평탄면을 갖는 기판;상기 기판 상에서 제 1 방향으로 형성된 비트라인;상기 비트라인을 중심에 두고 양측으로 일정거리 이격되며 제 1 방향으로 형성된 좌, 우측 주요 워드라인;상기 좌, 우측 주요 워드라인 각각의 상부에 형성된 상부 절연막;상기 비트라인 및 상기 상부 절연막과 수직으로 이격되며 제 2 방향으로 형성된 보조 워드라인; 및상기 비트라인 양측으로 각 일단이 연결되고 타단은 상기 보조 워드라인과 상기 상부 절연막 사이에서 제 2 방향으로 부양되도록 형성된 좌, 우측 캔틸레버 전극을 포함하여 구성되되,상기 좌, 우측 캔틸레버 전극은 상기 비트라인의 상부에서 상기 비트라인과 수직인 중심선을 기준으로 제 1 방향의 양의 방향과 음의 방향으로 각각 이동(shift)되어 비대칭적으로 부양되도록 연결되고,상기 보조 워드라인은 상기 좌, 우측 캔틸레버 전극을 따라가며 제 1 방향으로 굽이치도록 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
2 |
2 제 1 항에 있어서,상기 상부 절연막은 전하가 저장되어 있지 않아 휘발성 메모리 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
3 |
3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 좌, 우측 캔틸레버 전극은 각각 반대편에 형성된 캔틸레버 전극 폭의 1/3 내지 2/3 만큼 이동(shift)된 것을 특징으로 하는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
4 |
4 제 1 항에 있어서,상기 상부 절연막은 전하트랩층을 포함하는 2개 이상의 유전층으로 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
5 |
5 제 4 항에 있어서,상기 전하트랩층은 질화막 또는 고유전율막인 것을 특징으로 하는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 서강대학교산학협력단 | 기초연구사업 | 저전력 나노 전기기계 비휘발성 메모리 소자 개발 |
특허 등록번호 | 10-1325639-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20110907 출원 번호 : 1020110090485 공고 연월일 : 20131107 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130829 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 존속기간(예정)만료일 : 20191031 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2013년 10월 30일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 10월 27일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 09월 27일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 79,500 원 | 2018년 12월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.09.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0697791-16 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.05.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0048552-54 |
4 | 의견제출통지서 | 2013.03.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0169941-99 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.06 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0398566-38 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.06 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0398534-88 |
7 | 등록결정서 | 2013.08.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0600666-82 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.01.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5005781-67 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5014626-89 |
기술번호 | KST2014054345 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 서강대학교 |
기술명 | 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자 |
기술개요 |
본 발명은 비트라인의 상부에 좌, 우측 캔틸레버 전극을 비트라인 방향으로 일부 이동(shift)시키며 서로 엇갈리게 좌우 비대칭이 되도록 형성함으로써, 1비트를 저장하기 위한 셀 면적의 증가 없이 비트간 간섭현상을 최소화시킬 수 있는 비대칭 T형 전기기계 메모리 소자를 제공한다. |
개발상태 | 기술개발완료 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 전기기계 메모리 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345145989 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0084522 |
연구과제명 | 저전력 나노 전기기계 비휘발성 메모리 소자 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201208 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415128784 |
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세부과제번호 | H0301-13-1007 |
연구과제명 | 차세대 융·복합 시스템용 아날로그IP 핵심설계기술개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201006~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1345145989 |
---|---|
세부과제번호 | 2009-0084522 |
연구과제명 | 저전력 나노 전기기계 비휘발성 메모리 소자 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200909~201208 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415115183 |
---|---|
세부과제번호 | C1090-1101-0003 |
연구과제명 | 아날로그 IP 설계기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 정보통신산업진흥원 |
연구주관기관명 | 서강대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201006~201312 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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