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인산이온을 포함하는 전해액을 제조하는 단계;상기 전해액에 하이드록시아파타이트 입자를 분산시키는 단계; 및상기 하이드록시아파타이트 입자가 분산된 전해액에 티타늄 임플란트를 양극으로 하여 플라즈마 전해산화 코팅을 수행하는 단계를 포함하며,상기 플라즈마 전해산화 코팅을 수행하는 과정에서 상기 전해액의 인산이온과 하이드록시아파타이트가 반응하여 형성된 베타 삼인산칼슘이 산화막에 포함된 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 전해산화 코팅 공정의 듀티비가 60% 이하인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 전해산화 코팅 공정의 전기진동수가 200Hz 이하인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해액에 포함된 인산이온의 농도가 0
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청구항 1에 있어서,상기 전해액에 분산된 하이드록시아파타이트 입자의 농도가 10~30g/ℓ 범위인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 전해액이 수산화칼슘 수용액인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 6에 있어서,상기 전해액의 수산화칼슘 농도가 0
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청구항 1에 있어서,상기 전해액에 인산이온을 제공하는 물질은 인산칼륨계열 또는 인산나트륨계열 물질인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 전해액에 첨가된 인산칼슘계열 물질이 피로인산칼륨인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 전해액에 첨가된 피로인산칼륨의 농도가 0
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 전해산화 코팅 공정의 전류밀도가 200~300mA/cm2 범위인 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 플라즈마 전해산화 코팅 공정을 10~20분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 베타 삼인산칼슘을 포함하는 산화막으로 코팅된 티타늄 임플란트의 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 12 중에 하나의 방법으로 표면에 산화막이 코팅되고, 상기 산화막에는 하이드록시아파타이트와 인산이온이 반응하여 형성된 베타 삼인산칼슘이 포함된 것을 특징으로 하는 티타늄 임플란트
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