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복수개의 막전극접합체 제조방법

  • 기술번호 : KST2014054424
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수개의 막전극접합체 제조방법을 제공한다. 복수개의 막전극접합체 제조방법은 고분자전해질막 전면에 복수개의 금속전극을 형성하는 단계; 데칼기판 상에 상기 금속전극에 대응하는 복수개의 촉매전극을 형성하는 단계; 상기 데칼기판의 촉매전극들이 상기 고분자전해질막 후면에 대향하도록 배치시키는 단계; 및 상기 데칼기판과 상기 고분자전해질막을 압착하여 상기 고분자전해질막의 후면에 상기 촉매전극들을 전사하는 단계를 포함한다. 따라서, 막전극접합체를 단일 공정과정으로 대량 생산할 수 있다.
Int. CL H01M 4/88 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 4/92 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01)
CPC H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/8814(2013.01) H01M 4/8814(2013.01)
출원번호/일자 1020120005109 (2012.01.17)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1305889-0000 (2013.09.02)
공개번호/일자 10-2013-0084382 (2013.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김용신 대한민국 경기 용인시 수지구
2 모하매드라쉬드 파키스탄 경기 안산시 상록구
3 전태선 대한민국 경기 안산시 상록구
4 김준범 대한민국 경기 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0041818-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.02.06 수리 (Accepted) 9-1-2013-0008201-52
4 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0581514-60
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번호 청구항
1 1
고분자전해질막 전면에 복수개의 금속전극을 형성하는 단계;데칼기판 상에 상기 금속전극에 대응하는 복수개의 촉매전극을 형성하는 단계;상기 데칼기판의 촉매전극들이 상기 고분자전해질막 후면에 대향하도록 배치시키는 단계; 및상기 데칼기판과 상기 고분자전해질막을 압착하여 상기 고분자전해질막의 후면에 상기 촉매전극들을 전사하는 단계를 포함하는 복수개의 막전극접합체 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 고분자전해질막 전면에 복수개의 금속전극을 형성하는 단계는,고분자전해질막 전면에 건식감광필름 패턴을 형성하는 단계;상기 건식감광필름 패턴 사이에 노출된 고분자전해질막 상에 금속전극을 형성하는 단계; 및상기 건식감광필름 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 복수개의 막전극접합체 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 건식감광필름 패턴 사이에 노출된 고분자전해질막 상에 금속전극을 형성하는 단계는 침투-환원 방법 또는 타케나카-토리카이 방법을 이용하는 복수개의 막전극접합체 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 고분자전해질막은 나피온막인 복수개의 막전극접합체 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 금속전극은 백금 또는 금을 포함하는 복수개의 막전극접합체 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 데칼기판은 1㎛ 내지 20㎛ 크기의 기공을 가지는 다공성 테플론을 포함하는 복수개의 막전극접합체 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 데칼기판 상에 복수개의 촉매전극을 형성하는 단계는,상기 데칼기판 상에 건식감광필름 패턴을 형성하는 단계;상기 건식감광필름 패턴 사이에 노출된 데칼기판 상에 촉매전극을 형성하는 단계; 및상기 건식감광필름 패턴을 제거하는 단계를 포함하고,상기 촉매전극은 탄소나노튜브에 금속나노입자가 부착된 금속나노입자-탄소나노튜브 복합체인 복수개의 막전극접합체 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 건식감광필름 패턴 사이에 노출된 데칼기판 상에 촉매전극을 형성하는 단계는,상기 금속나노입자-탄소나노튜브 복합체를 포함하는 용액을 상기 데칼기판으로 여과하여 상기 건식감광필름 패턴 사이에 노출된 데칼기판 상에 금속나노입자-탄소나노튜브를 잔류시키는 단계를 포함하는 복수개의 막전극접합체의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 금속나노입자-탄소나노튜브는 백금나노입자-다중벽탄소나노튜브인 복수개의 막전극접합체의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 데칼기판과 상기 고분자 전해질막을 15℃ 내지 35℃의 온도에서 압착하는 것을 특징으로 하는 복수개의 막전극접합체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국산업기술진흥원 한양대학교 산학협력단 2단계산학협력중심대학육성사업(산학연계기업지원강화사업) 전기화학식 고분자전해질 가스센서 대량생산 공정기술 개발