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실리콘 기판을 산화시켜 표면에 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 산화막 상에 반사 방지층과 감광층을 차례로 형성하는 단계(단계 a);상기 감광층에 규칙적인 배열을 갖는 미세패턴을 스텝퍼 노광장비에 의한 포토리소그래피로 형성하되, 상기 미세패턴은 레티클에 형성된 최초의 마스크 패턴에 부합하도록 형성하며, 상기 형성된 미세패턴에 따라 노출된 반사 방지층을 제거하는 단계(단계 b);상기 미세패턴이 형성된 감광층을 마스크로 건식 식각하여 상기 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 단계(단계 c);상기 단계 c에서 선택적으로 제거되고 남은 실리콘 산화막을 마스크로 실리콘 기판을 건식 식각하여 나노팁을 형성하는 단계(단계 d); 및상기 단계 c에서 선택적으로 제거되고 남은 실리콘 산화막을 모두 제거하는 단계(단계 e);를 포함하며,상기 단계 d는, 반응성 이온 식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 산화막은,상기 실리콘 기판에 플라즈마 화학기상증착법 또는 산화로를 이용한 열산화법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 산화막은,1000~5000Å 범위의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 감광층은,0
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청구항 1에 있어서,상기 스텝퍼 노광장비는,KrF 스텝퍼 노광장비, ArF 스텝퍼 노광장비 및 자외선 노광장비 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 레티클의 마스크 패턴은,원형 어레이, 원형 지그재그 어레이, 벌집형 어레이 및 사각형 어레이, 사각형 지그재그 어레이 중 어느 하나이며, 양성 또는 음성의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 c는,반응성 이온 식각에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 단계 c의 반응성 이온 식각은,CF4 가스 30~50 sccm, 압력 2~500 mTorr, 플라즈마 전력 30~600W의 조건에서 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 d의 반응성 이온 식각은,SF6 가스:O2 가스 = 6:1~3:1의 유량 비율로 SF6 가스 30~75sccm, O2 가스 5~25sccm, 압력 2~500mTorr, 플라즈마 전력 30~800W 에서 30~90초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 산화막의 제거는,탈이온수:불산 = 10:1~100:1 부피비로 혼합된 수용액에 침지시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 산화막 제거는,상기 혼합된 수용액에 10~15분간 침지시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단계 e 이후,상기 실리콘 나노팁 어레이의 나노팁이 형성된 일면에 실리콘 산화막을 형성하고, 상기 실리콘 산화막을 제거하는 공정을 차례로 더 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 실리콘 산화막의 형성은,열산화 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법
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