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플라즈마 아크방전을 이용한 나노분말 제조공정

  • 기술번호 : KST2014054535
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전극봉(122)이 삽입된 아크발생부(120)에 원료봉(124)을 연속적으로 장입하는 원료봉장입단계(S1)와; 상기 원료봉장입단계(S1)를 거친 조업챔버(100)와 나노분말을 포집하는 포집챔버(200) 내부를 진공상태로 만드는 진공형성단계(S2)와; 상기 진공형성단계(S2)를 거쳐 진공 형성된 상기 조업챔버(100)에 아르곤(Ar)을 주입하여 플라즈마 아크(Plasma Arc)를 발생시키는 아크발생단계(S3)와; 상기 아크발생단계(S3)에서 생성되는 금속증기의 발생량을 증가시키고, 생성된 금속증기를 포집챔버(200)로 이동시키기 위해 가스(Gas)를 주입하는 가스주입단계(S4)와; 상기 가스주입단계(S4)를 거친 금속증기를 상기 조업챔버(100)에서 포집챔버(200)로 연속적으로 순환시키는 가스순환단계(S5)와; 상기 가스순환단계(S5)를 거친 금속증기가 나노분말로 응축되어 상기 포집챔버(200)에서 포집되는 나노분말포집단계(S6)와; 상기 나노분말포집단계(S6)에서 포집된 나노분말의 산화를 방지하기 위하여 후처리챔버(300)에서 후처리하는 후처리단계(S7)를 포함하여 구성된다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 연속적으로 다양한 금속, 세라믹, 복합체 나노분말을 제조할 수 있으며, 대량생산할 수 있는 이점이 있다. 나노분말, 플라즈마 아크방전, 원료봉, 전극봉, 가스순환, 연속
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B22F 9/14 (2011.01)
CPC B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01) B22F 9/14(2013.01)
출원번호/일자 1020040069920 (2004.09.02)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0593265-0000 (2006.06.19)
공개번호/일자 10-2006-0021093 (2006.03.07) 문서열기
공고번호/일자 (20060626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.09.02)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철진 대한민국 경남 창원시
2 유지훈 대한민국 경남 양산시
3 김병기 대한민국 부산 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2004-0398172-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2005-0072221-23
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0035348-38
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.03.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0156249-29
7 의견서
Written Opinion
2006.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2006-0156230-63
8 등록결정서
Decision to grant
2006.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0335467-11
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
음극(-)인 전극봉이 삽입된 조업챔버의 아크발생부에 양극(+)인 원료봉을 연속적으로 장입하는 원료봉장입단계와;상기 원료봉장입단계를 거쳐 원료봉이 장입된 조업챔버와 나노분말을 포집하는 포집챔버 내부를 진공상태로 만드는 진공형성단계와;상기 진공형성단계를 거쳐 진공 형성된 상기 조업챔버에 아르곤(Ar)을 주입하여 플라즈마 아크(Plasma Arc)를 발생시키는 아크발생단계와;상기 아크발생단계에서 생성되는 금속증기의 발생량을 증가시키고, 생성된 금속증기를 포집챔버로 이동시키기 위해 가스(Gas)를 주입하는 가스주입단계와;상기 가스주입단계를 거쳐 이동되는 가스를 상기 조업챔버에서 포집챔버로 그리고 다시 조업챔버로 연속·순환시키는 가스순환단계와;상기 가스순환단계를 거쳐 생성되는 금속증기가 나노분말로 응축되어 상기 포집챔버에서 포집되는 나노분말포집단계와;상기 나노분말포집단계에서 포집된 나노분말의 산화를 방지하기 위하여 후처리챔버에서 후처리하는 후처리단계를 포함하여 구성되며,상기 원료봉장입단계에서의 음극(-)과 양극(+)은 각각 다수개로 구성됨을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 원료봉장입단계에서의 전극봉은 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 그라파이트(Graphite), 몰리브덴 합금 중 어느 하나임을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 원료봉장입단계에서의 원료봉은 단일성분의 금속, 세라믹 또는 이들의 합금 중 어느 하나임을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 가스주입단계에서의 가스(Gas)는 수소(H2), 산소(O2), 불활성 기체, 폴리머 기체 중 어느 하나이거나 이들 기체를 일정비율로 혼합한 혼합기체임을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 후처리단계는, 상기 후처리챔버에 산소(O2), 메탄(CH4) 또는 폴리머 기체가 포함된 아르곤(Ar)을 주입하여 나노분말을 부동태화(Passivation) 처리함을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
7 6
제 1 항에 있어서, 상기 후처리단계는, 상기 후처리챔버에 산소(O2), 메탄(CH4) 또는 폴리머 기체가 포함된 아르곤(Ar)을 주입하여 나노분말을 부동태화(Passivation) 처리함을 특징으로 하는 플라즈마 아크를 이용한 나노분말 제조공정
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.