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이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법

  • 기술번호 : KST2014054894
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 금속재질의 판재 표면에 이온빔을 조사하여 판재의 손상 없이 내구성을 갖는 그리드를 형성할 수 있는 이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법은, 박판성형에 사용되는 판재에 그리드를 형성하는 방법에 있어서, 그리드 패턴이 형성된 마스크를 판재 전면에 위치시키고, 이온원 장치에서 인출된 산소 이온빔을 가속관을 통해 가속시켜 상기 마스크를 통해 상기 판재에 주사하여, 상기 판재의 표면에 상기 판재의 구성 물질과 산소 이온의 결합을 통한 산화물을 형성함으로써 상기 판재의 표면에 상기 판재의 색상과 다른 색상을 갖는 그리드를 형성하는 것을 특징으로 한다. 박판성형, 변형률 측정, 그리드, 마스크, 이온주입, 이온원, 질량분리전자석, 가속관
Int. CL H01J 37/08 (2006.01) H01J 9/20 (2006.01) H01J 37/30 (2006.01) B23K 15/08 (2006.01)
CPC B23K 15/0026(2013.01) B23K 15/0026(2013.01) B23K 15/0026(2013.01) B23K 15/0026(2013.01) B23K 15/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020080132414 (2008.12.23)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1116178-0000 (2012.02.07)
공개번호/일자 10-2010-0073683 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120306) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박범식 대한민국 대전광역시 동구
2 조용섭 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신운철 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***길 *(삼성동) 우경빌딩*층(가디언국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0884288-00
2 [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0431947-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0061874-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0581003-37
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0107468-46
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0107467-01
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2011.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0453772-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0642580-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.08.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0642582-03
11 등록결정서
Decision to grant
2011.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0774882-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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박판성형에 사용되는 판재에 그리드를 형성하는 방법에 있어서, 그리드 패턴이 형성된 마스크를 판재 전면에 위치시키고, 이온원 장치에서 인출된 산소 이온빔을 가속관을 통해 가속시켜 상기 마스크를 통해 상기 판재에 주사하여, 상기 판재의 표면에 상기 판재의 구성 물질과 산소 이온의 결합을 통한 산화물을 형성함으로써 상기 판재의 표면에 상기 판재의 색상과 다른 색상을 갖는 그리드를 형성하는 것을 특징으로 하는 박판 성형가공용 그리드 형성방법
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박판성형에 사용되는 판재에 그리드를 형성하는 방법에 있어서, 그리드 패턴이 형성된 마스크를 판재 전면에 위치시키고, 이온원 장치에서 인출된 질소 이온빔을 가속관을 통해 가속시켜 상기 마스크를 통해 상기 판재에 주사하여, 상기 판재의 표면에 상기 판재의 구성 물질과 질소 이온의 결합을 통한 질화물을 형성함으로써 상기 판재의 표면에 상기 판재의 색상과 다른 색상을 갖는 그리드를 형성하는 것을 특징으로 하는 박판 성형가공용 그리드 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 산소 이온빔은,상기 가속관을 통해 30keV ~ 300keV의 에너지를 갖도록 가속되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법
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제 2 항에 있어서,상기 질소 이온빔은,상기 가속관을 통해 30keV ~ 300keV의 에너지를 갖도록 가속되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 박판 성형가공용 그리드 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.